TSM2301CX-CN CHIPNOBO
Symbol Micros:
TTSM2301cx CNB
Obudowa: SOT23
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 170mOhm; 2,3A; 400mW; -50°C ~ 150°C; Odpowiednik: TSM2301CX RFG;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 170mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2,3A |
| Maksymalna tracona moc: | 400mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | CHIPNOBO |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 170mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2,3A |
| Maksymalna tracona moc: | 400mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | CHIPNOBO |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 8V |
| Temperatura pracy (zakres): | -50°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |
Odpowiedniki
TSM2301ACX RFG
Tranzystor P-MOSFET; 20V; 12V; 190mOhm; 2,8A; 700mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: TSM2301CX RF; TSM2301CX-RFG; TSM2301ACX; TSM2301BCX RFG; TSM2301ACX RFG; Zamiennikiem będzie: TSM650P02CX;
Producent:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Symbol producenta:
TSM2301ACX RFG RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
14433 szt.
| Ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
| cena netto (PLN) | 1,2000 | 0,6380 | 0,4940 | 0,4560 | 0,4370 |
Sposób pakowania: 3000/12000/144000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Symbol producenta:
TSM2301ACX RFG RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23
Stan magazynowy
103600 szt.
| Ilość szt. | 100+ |
| cena netto (PLN) | 0,4942 |
Sposób pakowania: 100
Ilość (wielokrotność 1)
TSM2301CX JGSEMI
Tranzystor P-MOSFET; 20V; 12V; 120mOhm; 3,6A; 1,56W; -55°C ~ 125°C; Odpowiednik: TSM2301CX RFG;
Producent:
JGSEMI
Symbol producenta:
TSM2301CX RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
1460 szt.
| Ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,5940 | 0,2720 | 0,1480 | 0,1110 | 0,0990 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)