TSM2301CX-CN CHIPNOBO

Symbol Micros: TTSM2301cx CNB
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 170mOhm; 2,3A; 400mW; -50°C ~ 150°C; Odpowiednik: TSM2301CX RFG;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 170mOhm
Maksymalny prąd drenu: 2,3A
Maksymalna tracona moc: 400mW
Obudowa: SOT23
Producent: CHIPNOBO
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: CHIPNOBO Symbol producenta: TSM2301ACX-CN RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,4500 0,2060 0,1120 0,0840 0,0750
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Rezystancja otwartego kanału: 170mOhm
Maksymalny prąd drenu: 2,3A
Maksymalna tracona moc: 400mW
Obudowa: SOT23
Producent: CHIPNOBO
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 8V
Temperatura pracy (zakres): -50°C ~ 150°C
Montaż: SMD