LM258 SOP08 HXY MOSFET
Symbol Micros:
WO258 d HXY
403672
WO258 d HXY
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOP08
Dual Op-Amp; Voff 2mV, ±1.5÷±16V, 0÷70°C Zamiennik dla: LM258D-ST, LM258DT, LM258D-TI, LM258DR-TI, LM258DE4, LM258DRE4, LM258DRG4, LM258DG, LM258DR2G, AP358SG-13
Parametry
Napięcie pracy: | 1,5V ~ 16V |
Obudowa: | SOP08 |
Producent: | HXY MOSFET |
Temperatura pracy (zakres): | 0°C ~ 70°C |
Typ układu scalonego: | Wzmacniacz operacyjny |
Liczba kanałów: | 2 |
Montaż: | SMD |
Napięcie pracy: | 1,5V ~ 16V |
Obudowa: | SOP08 |
Producent: | HXY MOSFET |
Temperatura pracy (zakres): | 0°C ~ 70°C |
Typ układu scalonego: | Wzmacniacz operacyjny |
Liczba kanałów: | 2 |
Montaż: | SMD |
Odpowiedniki
LM258DT
Dual Op-Amp, GBW 0.7MHz, SR 0.3V/us, Voff 3mV, +/-1.5÷+/-16V, -25÷85°C LM258DR2G, AP358SG-13, LM258DR, LM258DT LM258D-GURT LM258D-ST
Producent:
ST
Symbol producenta:
LM258DT RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
Stan magazynowy
16762 szt.
Ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 2500+ |
cena netto (PLN) | 1,0800 | 0,5490 | 0,3320 | 0,2630 | 0,2410 |
Sposób pakowania: 2500/20000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
ST
Symbol producenta:
LM258DT RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08
Stan magazynowy
4923931 szt.
Ilość szt. | 5000+ |
cena netto (PLN) | 0,2410 |
Sposób pakowania: 2500
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
ST
Symbol producenta:
LM258DT RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08
Stan magazynowy
857520 szt.
Ilość szt. | 2500+ |
cena netto (PLN) | 0,2410 |
Sposób pakowania: 2500
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
ST
Symbol producenta:
LM258DT RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08
Stan magazynowy
1632500 szt.
Ilość szt. | 5000+ |
cena netto (PLN) | 0,2410 |
Sposób pakowania: 2500
Ilość (wielokrotność 1)
LM258DG ONSEMI
Dual Op-Amp, GBW 0.7MHz, SR 0.3V/us, Voff 3mV, +/-1.5÷+/-16V, -25÷85°C LM258DG4 LM258DR2G
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol producenta:
LM258DG RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
Stan magazynowy
182 szt.
Ilość szt. | 3+ | 10+ | 40+ | 196+ | 784+ |
cena netto (PLN) | 1,1400 | 0,7270 | 0,5270 | 0,4420 | 0,4150 |
Sposób pakowania: 196
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol producenta:
LM258DG RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08
Stan magazynowy
212500 szt.
Ilość szt. | 2500+ |
cena netto (PLN) | 0,4150 |
Sposób pakowania: 2500
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol producenta:
LM258DG RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08
Stan magazynowy
130000 szt.
Ilość szt. | 2500+ |
cena netto (PLN) | 0,4150 |
Sposób pakowania: 2500
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol producenta:
LM258DG RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08
Stan magazynowy
547500 szt.
Ilość szt. | 2500+ |
cena netto (PLN) | 0,4150 |
Sposób pakowania: 2500
Ilość (wielokrotność 1)
LM258DR TI
Dual Op-Amp, GBW 0.7MHz, SR 0.3V/us, Voff 3mV, +/-1.5÷+/-16V, -25÷85C LM258DRG4 LM258DRE4 LM258DE4 LM258D-TI
LM258DR UMW
Dual Op-Amp, Voff 2mV, ±1.5÷±16V, -25÷85°C Zamiennik dla: LM258D-ST, LM258DT, LM258D-TI, LM258DR-TI, LM258DE4, LM258DRE4, LM258DRG4, LM258DG, LM258DR2G, AP358SG-13
XL258 XINLUDA
Dual Op-Amp, GBW 0.7MHz, SR 0.3V/us, Voff 3mV, ±1.5÷±16V, -25÷85°C Zamiennik dla: LM258D-ST, LM258DT, LM258D-TI, LM258DR-TI, LM258DE4, LM258DRE4, LM258DRG4, LM258DG, LM258DR2G, AP358SG-13
LM258DR JSMICRO
Dual Op-Amp; Voff 2mV, ±1.5÷±16V, -25÷85°C Zamiennik dla: LM258D-ST, LM258DT, LM258D-TI, LM258DR-TI, LM258DE4, LM258DRE4, LM258DRG4, LM258DG, LM258DR2G, AP358SG-13
Edytuj Symbol
Usuń powiązane z Symbolem Kontrahenta
Symbol Micros
Czy na pewno chcesz usunąć Twoje symbole? Twój symbol Symbol Micros
Symbol Kontrahenta:
Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta
Dodaj symbol
Symbol Micros
Symbol Kontrahenta:
Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta
Podana nazwa jest zajeta
Symbol zawiera niedozwolone znaki lub jest zbyt krótki. Symbol może składać się z dużych i małych liter, spacji, znaków specjalnych: "-", "/", "." i musi mieć co najmniej 3 znaki.