LM258 SOP08 HXY MOSFET
Symbol Micros:
WO258 d HXY
Obudowa: SOP08
Dual Op-Amp; Voff 2mV, ±1.5÷±16V, 0÷70°C Zamiennik dla: LM258D-ST, LM258DT, LM258D-TI, LM258DR-TI, LM258DE4, LM258DRE4, LM258DRG4, LM258DG, LM258DR2G, AP358SG-13
Parametry
| Napięcie pracy: | 1,5V ~ 16V |
| Obudowa: | SOP08 |
| Producent: | HXY MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | 0°C ~ 70°C |
| Typ układu scalonego: | Wzmacniacz operacyjny |
| Liczba kanałów: | 2 |
| Montaż: | SMD |
| Napięcie pracy: | 1,5V ~ 16V |
| Obudowa: | SOP08 |
| Producent: | HXY MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | 0°C ~ 70°C |
| Typ układu scalonego: | Wzmacniacz operacyjny |
| Liczba kanałów: | 2 |
| Montaż: | SMD |
Odpowiedniki
LM258D smd STM
Dual Op-Amp, GBW 0.7MHz, SR 0.3V/us, Voff 3mV, +/-1.5÷+/-16V, -25÷85°C LM258DR2G, AP358SG-13, LM258DR, LM258DT LM258D-GURT LM258D-ST
Producent:
ST
Symbol producenta:
LM258DT RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
Stan magazynowy
7153 szt.
| Ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 2500+ |
| cena netto (PLN) | 1,1400 | 0,6290 | 0,4170 | 0,3480 | 0,3250 |
Sposób pakowania: 2500
Ilość (wielokrotność 1)
LM258DG ONSEMI
Dual Op-Amp, GBW 0.7MHz, SR 0.3V/us, Voff 3mV, +/-1.5÷+/-16V, -25÷85°C LM258DG4 LM258DR2G
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol producenta:
LM258DG RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
Stan magazynowy
182 szt.
| Ilość szt. | 3+ | 10+ | 40+ | 196+ | 784+ |
| cena netto (PLN) | 1,2400 | 0,7920 | 0,5730 | 0,4810 | 0,4520 |
Sposób pakowania: 196
Ilość (wielokrotność 1)
LM258DR TI
Dual Op-Amp, GBW 0.7MHz, SR 0.3V/us, Voff 3mV, +/-1.5÷+/-16V, -25÷85C LM258DRG4 LM258DRE4 LM258DE4 LM258D-TI
Producent:
Texas Instruments
Symbol producenta:
LM258DR RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
Stan magazynowy
200 szt.
| Ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
| cena netto (PLN) | 1,0900 | 0,5810 | 0,4500 | 0,4160 | 0,3980 |
Sposób pakowania: 1000
Ilość (wielokrotność 1)
LM258DR UMW
Dual Op-Amp, Voff 2mV, ±1.5÷±16V, -25÷85°C Zamiennik dla: LM258D-ST, LM258DT, LM258D-TI, LM258DR-TI, LM258DE4, LM258DRE4, LM258DRG4, LM258DG, LM258DR2G, AP358SG-13
Producent:
UMW
Symbol producenta:
LM258DR RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
Stan magazynowy
360 szt.
| Ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 2000+ |
| cena netto (PLN) | 1,1200 | 0,5660 | 0,3420 | 0,2700 | 0,2490 |
Sposób pakowania: 500
Ilość (wielokrotność 1)
XL258 XINLUDA
Dual Op-Amp, GBW 0.7MHz, SR 0.3V/us, Voff 3mV, ±1.5÷±16V, -25÷85°C Zamiennik dla: LM258D-ST, LM258DT, LM258D-TI, LM258DR-TI, LM258DE4, LM258DRE4, LM258DRG4, LM258DG, LM258DR2G, AP358SG-13
Producent:
XINLUDA
Symbol producenta:
XL258 RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
Stan magazynowy
2060 szt.
| Ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 2500+ |
| cena netto (PLN) | 1,0300 | 0,5220 | 0,3160 | 0,2500 | 0,2290 |
Sposób pakowania: 2500
Ilość (wielokrotność 1)
LM258DR JSMICRO
Dual Op-Amp; Voff 2mV, ±1.5÷±16V, -25÷85°C Zamiennik dla: LM258D-ST, LM258DT, LM258D-TI, LM258DR-TI, LM258DE4, LM258DRE4, LM258DRG4, LM258DG, LM258DR2G, AP358SG-13
Producent:
JSMicro Semiconductor
Symbol producenta:
LM258 RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
Stan magazynowy
500 szt.
| Ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 2000+ |
| cena netto (PLN) | 0,9860 | 0,4980 | 0,3000 | 0,2370 | 0,2190 |
Sposób pakowania: 500
Ilość (wielokrotność 1)