Tranzystory (wyszukane: 9589)
Produkt | Koszyk |
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Obudowa
|
Producent
|
Moc strat
|
Współczynnik wzmocnienia prądowego
|
Częstotliwość graniczna
|
Ładunek bramki
|
Maksymalna moc rozpraszana
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
|
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
|
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Montaż
|
Napięcie kolektor-emiter
|
Napięcie bramka-emiter
|
Układy tranzystorowe [T/N]
|
||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SISHA14DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V PP 1212-8 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SISHA14DN-T1-GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SISHA14DN-T1-GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
SISS08DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CHAN 25 V POWERPAK 1212
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SISS08DN-T1-GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
SISS23DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SISS23DN-T1-GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SISS23DN-T1-GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SISS23DN-T1-GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
93000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
SISS30ADN-T1-GE3
N-CHANNEL FET 80V Transistors - FETs, MOSFETs - Single
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SISS30ADN-T1-GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
NSS30101LT1G
Transistor NPN; Bipolar; 30V; 5V; 900; 100MHz; 1A; 310mW; -55°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NSS30101LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 310mW | 900 | 100MHz | 1A | 30V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NSS30101LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 310mW | 900 | 100MHz | 1A | 30V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||
SISS5710DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW Transistors - FETs, MOSFETs - Single
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SISS5710DN-T1-GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SISS5710DN-T1-GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
SISS588DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE Transistors - FETs, MOSFETs - Single
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SISS588DN-T1-GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
SISS63DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V POWERPAK 1212-8S Transistors - FETs, MOSFETs - Single
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SISS63DN-T1-GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
NSS60201LT1G
Trans GP BJT NPN 60V 2A 540mW
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NSS60201LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NSS60201LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
SISS67DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SISS67DN-T1-GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
NSS60601MZ4 SOT223
NPN 6A 60V 0.8W 100MHz NSS60601MZ4T1G NSS60601MZ4T3G
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NSS60601MZ4T1G Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NSS60601MZ4T1G Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
SISS73DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 150V PP 1212-8 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SISS73DN-T1-GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
SISS94DN-T1-GE3 PowerPAK1212-85
N-Channel 200 V 5.4 A 75 mOhm Surface Mount Mosfet - PowerPAK 1212-8S
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SISS94DN-T1-GE3 Obudowa dokładna: PPAK1212 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SISS94DN-T1-GE3 Obudowa dokładna: PPAK1212 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
SIUD402ED-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 1A POWERPAK0806
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIUD402ED-T1-GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
SIUD406ED-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CHAN 30-V POWERPAK 0806
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIUD406ED-T1-GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
NST3904F3T5G
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 347mW 3-Pin SOT-1123
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NST3904F3T5G Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
8000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 8000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
SIUD412ED-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 500MA PWRPAK0806
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIUD412ED-T1-GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
SIZF5300DT-T1-GE3 Vishay Siliconix
DUAL N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIZF5300DT-T1-GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
SIZF5302DT-T1-RE3 Vishay Siliconix
DUAL N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIZF5302DT-T1-RE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
NST45010MW6T1G
Tranzystor PNP; 475; 380mW; 45V; 100mA; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NST45010MW6T1G Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
SOT363 | ON SEMICONDUCTOR | 380mW | 475 | 100mA | 45V | PNP | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||
SMUN5235T1G
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW Automotive 3-Pin SC-70
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: SMUN5235T1G Obudowa dokładna: SC70-3 |
Magazyn zewnetrzny:
24000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
NST847BPDP6T5G
Trans Dual Complementary General Purpose Transistor
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NST847BPDP6T5G Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
8000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 8000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
SMUN2111T1G
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW Automotive 3-Pin SC-59
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: SMUN2111T1G Obudowa dokładna: SC-59 |
Magazyn zewnetrzny:
21000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
SMUN2213T1G
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW Automotive 3-Pin SC-59
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: SMUN2213T1G Obudowa dokładna: SC-59 |
Magazyn zewnetrzny:
39000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
SMUN2214T1G
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW Automotive 3-Pin SC-59
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: SMUN2214T1G Obudowa dokładna: SC-59 |
Magazyn zewnetrzny:
18000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: SMUN2214T1G Obudowa dokładna: SC-59 |
Magazyn zewnetrzny:
36000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
SMUN5111T1G
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW Automotive 3-Pin SC-70
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: SMUN5111T1G Obudowa dokładna: SC-59 |
Magazyn zewnetrzny:
42000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
SMUN5111DW1T1G
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW Automotive 6-Pin SOT-363
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: SMUN5111DW1T1G Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnetrzny:
48000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: SMUN5111DW1T1G Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnetrzny:
21000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
SMUN5114T1G
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW Automotive 3-Pin SC-70
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: SMUN5114T1G Obudowa dokładna: SC70-3 |
Magazyn zewnetrzny:
18000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
SMUN5114DW1T1G
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW Automotive 6-Pin SOT-363
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: SMUN5114DW1T1G Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnetrzny:
18000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
SMUN5211T1G
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW Automotive 3-Pin SC-70
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: SMUN5211T3G Obudowa dokładna: SC70-3 |
Magazyn zewnetrzny:
30000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: SMUN5211T1G Obudowa dokładna: SC70-3 |
Magazyn zewnetrzny:
57000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: SMUN5211T3G Obudowa dokładna: SC70-3 |
Magazyn zewnetrzny:
20000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |