Strona główna / Tranzystory (Wyświetlanie: 9571-9600 z 9587 elementów)

Tranzystory (wyszukane: 9587)

Produkt	Koszyk	Obudowa	Producent	Moc strat	Współczynnik wzmocnienia prądowego	Częstotliwość graniczna	Ładunek bramki	Maksymalna moc rozpraszana	Maksymalny prąd kolektora	Maksymalne napięcie kolektor-emiter	Maksymalny prąd kolektora	Maksymalna prąd kolektora w impulsie	Napięcie przewodzenia (Vgeth)	Typ tranzystora	Temperatura pracy (zakres)	Montaż	Napięcie kolektor-emiter	Napięcie bramka-emiter
IPB180N04S4H0ATMA1 Trans MOSFET N-CH 40V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK Symbol Micros: TIPB180n04s4h0 info Dodaj do ulubionych

	Pozycja dostępna na zamówienie
ZTX458 NPN 0.3A 400V 1W 50MHz Symbol Micros: TZTX458 info rys. techniczny Dodaj do ulubionych
TO92						50MHz								NPN
TO92	Pozycja dostępna na zamówienie
IPB025N10N3GATMA1 Trans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK IPB025N10N3GE8187ATMA1 IPB025N10N3GE8197ATMA1 Symbol Micros: TIPB025n10n3g info Dodaj do ulubionych

	Pozycja dostępna na zamówienie
IPA80R450P7XKSA1 Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Symbol Micros: TIPA80r450p7 info Dodaj do ulubionych

	Pozycja dostępna na zamówienie
IPA50R950CEXKSA2 Trans MOSFET N-CH 500V 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP IPA50R950CEXKSA1 Symbol Micros: TIPA50r950ce info Dodaj do ulubionych

	Pozycja dostępna na zamówienie
IPD30N08S2L21ATMA1 Trans MOSFET N-CH 75V 30A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Symbol Micros: TIPD30n08s2l21 info Dodaj do ulubionych
DPAK
DPAK	Pozycja dostępna na zamówienie
BGH75N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR Transistor IGBT; THT; TO247-4; technologia: Field Stop, SiC SBD, Trench Napięcie kolektor: 650V; napięcie bramka: 20V; prąd kolektora: 75A; prąd kolektora w impulsie: 300A; moc: 338W Symbol Micros: TBGH75N65ZF1 info karta katalogowa rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Rys.TBGH75N65ZF1		TO247-4	BASiC SEMICONDUCTOR				444nC	338W			75A	300A	4,2V ~ 5,8V		-40°C ~ 150°C	THT	650V	20V
Rys.TBGH75N65ZF1	Pozycja dostępna na zamówienie
IPB60R060P7ATMA1 Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Symbol Micros: TIPB60r060p7 info rys. techniczny Dodaj do ulubionych
D2PAK
D2PAK	Pozycja dostępna na zamówienie
IPB600N25N3GATMA1 Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Symbol Micros: TIPB600n25n3g info rys. techniczny Dodaj do ulubionych
D2PAK
D2PAK	Pozycja dostępna na zamówienie
BGH75N120HF1 BASiC SEMICONDUCTOR Transistor IGBT; THT; TO247-3; technologia: Field Stop, SiC SBD, Trench Napięcie kolektor: 1,2kV; napięcie bramka: 20V; prąd kolektora: 75A; prąd kolektora w impulsie: 200A; moc: 568W Symbol Micros: TBGH75N120HF1 info karta katalogowa rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Rys.TBGH75N120HF1		TO247-3	BASiC SEMICONDUCTOR				398nC	568W			75A	200A	4,2V ~ 5,8V		-40°C ~ 150°C	THT	1200V	20V
Rys.TBGH75N120HF1	Pozycja dostępna na zamówienie
BGH50N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR Transistor IGBT; THT; TO247-4; technologia: Field Stop, SiC SBD, Trench Napięcie kolektor: 650V; napięcie bramka: 20V; prąd kolektora: 50A; prąd kolektora w impulsie: 200A; moc: 297W Symbol Micros: TBGH50N65ZF1 info karta katalogowa rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Rys.TBGH50N65ZF1		TO247-4	BASiC SEMICONDUCTOR				308nC	297W			50A	200A	4,2V ~ 5,8V		-40°C ~ 150°C	THT	650V	20V
Rys.TBGH50N65ZF1	Pozycja dostępna na zamówienie
BGH50N65HS1 BASiC SEMICONDUCTOR Transistor IGBT; THT; TO247-3; technologia: Field Stop, SiC SBD, Trench Napięcie kolektor: 650V; napięcie bramka: 20V; prąd kolektora: 50A; prąd kolektora w impulsie: 200A; moc: 297W Symbol Micros: TBGH50N65HS1 info karta katalogowa rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Rys.TBGH50N65HS1		TO247-3	BASiC SEMICONDUCTOR				308nC	297W			50A	200A	4,2V ~ 5,8V		-40°C ~ 150°C	THT	650V	20V
Rys.TBGH50N65HS1	Pozycja dostępna na zamówienie
BGH50N65HF1 BASiC SEMICONDUCTOR Transistor IGBT; THT; TO247-3; technologia: Field Stop, SiC SBD, Trench Napięcie kolektor: 650V; napięcie bramka: 20V; prąd kolektora: 50A; prąd kolektora w impulsie: 200A; moc: 297W Symbol Micros: TBGH50N65HF1 info karta katalogowa rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Rys.TBGH50N65HF1		TO247-3	BASiC SEMICONDUCTOR				308nC	297W			50A	200A	4,2V ~ 5,8V		-40°C ~ 150°C	THT	650V	20V
Rys.TBGH50N65HF1	Pozycja dostępna na zamówienie
BGH75N65HF1 BASiC SEMICONDUCTOR Transistor IGBT; THT; TO247-3; technologia: Field Stop, SiC SBD, Trench Napięcie kolektor: 650V; napięcie bramka: 20V; prąd kolektora: 75A; prąd kolektora w impulsie: 300A; moc: 405W Symbol Micros: TBGH75N65HF1 info karta katalogowa rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Rys.TBGH75N65HF1		TO247-4	BASiC SEMICONDUCTOR				444nC	405W			75A	300A	4,2V ~ 5,8V		-40°C ~ 150°C	THT	650V	20V
Rys.TBGH75N65HF1	Pozycja dostępna na zamówienie
BC857B BORN Tranzystor PNP; 475; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC857B,215; BC857B,235; BC857BLT1G; BC857BLT3G; BC857BE6327HTSA1; BC857BE6433HTMA1; BC857B RFG; BC857B-7-F; BC857B-TP; Symbol Micros: TBC857b BORN info rys. techniczny Dodaj do ulubionych
SOT23
SOT23	Pozycja dostępna na zamówienie	SOT23	BORN	250mW	475	100MHz			100mA	45V				PNP	-55°C ~ 150°C

	Towar w drodze Planowany termin: 2025-09-30 Ilość szt.: 3000
TIP42CF TO-220F JSCJ Tranzystor PNP; Bipolarny; 75; 65W; 100V; 6A; 3MHz; -55°C ~ 150°C; Symbol Micros: TTIP42cf TO220F CJ info karta katalogowa rys. techniczny Dodaj do ulubionych
TO220FP
TO220FP	Pozycja dostępna na zamówienie	TO220FP	CJ	65W	75	3MHz			6A	100V				PNP	-55°C ~ 150°C

	Towar w drodze Planowany termin: 2025-10-30 Ilość szt.: 100
BGH75N65HS1 BASiC SEMICONDUCTOR Transistor IGBT; THT; TO247-3; technologia: Field Stop, SiC SBD, Trench Napięcie kolektor: 650V; napięcie bramka: 20V; prąd kolektora: 75A; prąd kolektora w impulsie: 300A; moc: 405W Symbol Micros: TBGH75N65HS1 info karta katalogowa rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Rys.TBGH75N65HS1		TO247-3	BASiC SEMICONDUCTOR				444nC	405W			75A	300A	4,2V ~ 5,8V		-40°C ~ 150°C	THT	650V	20V
Rys.TBGH75N65HS1	Pozycja dostępna na zamówienie