Tranzystory (wyszukane: 9589)
Produkt | Koszyk |
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Obudowa
|
Producent
|
Moc strat
|
Współczynnik wzmocnienia prądowego
|
Częstotliwość graniczna
|
Ładunek bramki
|
Maksymalna moc rozpraszana
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
|
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
|
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Montaż
|
Napięcie kolektor-emiter
|
Napięcie bramka-emiter
|
Układy tranzystorowe [T/N]
|
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IPB073N15N5
Tranzystor: N-MOSFET ; unipolarny ; 150V ; 81A ; 214W ; PG-TO263-3 IPB073N15N5ATMA1
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
BCP5116TA
Trans GP BJT PNP 45V 1A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R BCP5116TC;
|
||||||||||||||||||||||||||
SOT223 | DIODES | 2W | 1A | 45V | PNP | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
IPB60R165CP Infineon
N-MOSFET 600V 21A 192W 165mΩ IPB60R165CPATMA1
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
IPB60R190C6 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK IPB60R190C6ATMA1
|
||||||||||||||||||||||||||
190mOhm | 20,2A | 151W | D2PAK | INFINEON | 600V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
BCP53-16 GALAXY
Tranzystor PNP; 250; 1,5W; 80V; 1A; 125MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCP5316TA; BCP5316TC; BCP53-16,115; BCP53-16,135; BCP53-16T1G; BCP53-16T3G; BCP53-16-TP; BCP5316H6327XTSA1;
|
||||||||||||||||||||||||||
SOT223 | GALAXY | 1,5W | 250 | 125MHz | 1A | 80V | PNP | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
IPD350N06LG INFINEON
N-MOSFET 60V 29A 68W 35mΩ IPD350N06LGBTMA1
|
||||||||||||||||||||||||||
TO252/3 (DPAK) | Infineon Technologies | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | SMD | ||||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
IPD60R280P7ATMA1
Tranzystor: N-MOSFET ; unipolarny ; 600V ; 12A ; 53W ; PG-TO252-3 600V CoolMOS P7 Power Transistor
|
||||||||||||||||||||||||||
280mOhm | 12A | 53W | DPAK | INFINEON | 600V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
BCP56
NPN 1000mA 80V 1330mW 130MHz Complementary to BCP51,BCP52,BCP53
|
||||||||||||||||||||||||||
SOT223 | YFW | 1,5W | 250 | 100MHz | 1A | 80V | NPN | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
IPD65R660CFDATMA2
LOW POWER_LEGACY Podobny do: IPD65R660CFDBTMA1; Transistors - FETs, MOSFETs - Single
|
||||||||||||||||||||||||||
660mOhm | 6A | 63W | DPAK | INFINEON | 700V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
IPD80R1K2P7ATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 4.5A TO252-3
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
IPD900P06NMATMA1
TRENCH 40<-<100V Transistors - FETs, MOSFETs - Single
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
BCP69 China
PNP -1000mA -20V 625mW 140MHz
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
IPI029N06NAKSA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 30V; 2,9mOhm; 24A; 3W; -55°C~175°C;
|
||||||||||||||||||||||||||
2,9mOhm | 24A | 3W | TO262 | INFINEON | 60V | N-MOSFET | 10V | -55°C ~ 175°C | 30V | THT | ||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
BCR116WH6327XTSA1
NPN 50V 100mA 150MHz 250mW BCR116WH6327XTSA1; BCR116WH6327;
|
||||||||||||||||||||||||||
SOT323 | INFINEON | 250mW | 70 | 150MHz | 100mA | 50V | NPN | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
IPL60R065P7AUMA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 600V 41A 4-Pin VSON EP T/R
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
IPN70R600P7SATMA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
BCR533 SOT23
Tranzystor NPN; 70; 330mW; 50V; 500mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCR533E6327; BCR533E6327HTSA1; BCR 533 E6327;
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-11-20
Ilość szt.: 3000
|
|||||||||||||||||||||||||
STGF7NC60HD
Trans IGBT Chip N-CH 600V 10A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
IPP034N03LG
Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube IPP034N03LGXKSA1
|
||||||||||||||||||||||||||
4,7mOhm | 80A | 94W | TO220 | INFINEON | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | |||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
BCV27 China
Darlington NPN 500mA 30V 200mW 220MHz
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
SOT23 | PJSEMI | 200mW | 20000 | 220MHz | 500mA | 30V | NPN | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-09-30
Ilość szt.: 3000
|
|||||||||||||||||||||||||
BCV47 China
Darlington NPN 500mA 60V 200mW 220MHz
|
||||||||||||||||||||||||||
SOT23 | FUXINSEMI | 300mW | 2000 | 170MHz | 500mA | 60V | NPN | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
IPP110N20NAA
Trans MOSFET N-CH 200V 88A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube IPP110N20NAAKSA1
|
||||||||||||||||||||||||||
11mOhm | 88A | 300W | TO220 | INFINEON | 200V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | |||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
IPP320N20N3G
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube IPP320N20N3GXKSA1
|
||||||||||||||||||||||||||
32mOhm | 34A | 136W | TO220 | INFINEON | 200V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | |||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
IPP600N25N3GXKSA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 250V; 20V; 60mOhm; 25A; 136W; -55°C~175°C;
|
||||||||||||||||||||||||||
60mOhm | 25A | 136W | TO220 | INFINEON | 250V | N-MOSFET | 10V | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
STGW30H60DLFB STMicroelectronics
30A; 600V; 260W; IGBT
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
BCX42
Tranzystor PNP; 63; 330mW; -125V; -800mA; 150MHz; -55°C~150°C; INFINEON LTB:31-DEC-2023; Odpowiednik: BCX42E6327HTSA1; BCX42E6433HTMA1; BCX42E6327; BCX42E6327HTSA1; SP000010900;
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
SOT23 | YFW | 330mW | 63 | 150MHz | -800mA | -125V | PNP | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-09-20
Ilość szt.: 9000
|
|||||||||||||||||||||||||
BCX42
Tranzystor PNP; 63; 330mW; 125V; 800mA; 150MHz; -65°C ~ 150°C; BCX42-CDI;
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
SOT23 | 330mW | 63 | 150MHz | 800mA | 125V | PNP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-11-20
Ilość szt.: 3000
|
|||||||||||||||||||||||||
BCX51 China
PNP -1000mA -45V 1300mW 50MHz (CJ - HFE range: 100~250)
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-10-30
Ilość szt.: 1000
|
|||||||||||||||||||||||||
BCX51TA
Trans GP BJT PNP 45V 1A 1000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R BCX51TA; BCX51TC; BCX51TF;
|
||||||||||||||||||||||||||
SOT89 | DIODES | 2W | 250 | 150MHz | 1A | 45V | PNP | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
BCX5316H6327XTSA1
Trans GP BJT PNP 80V 1A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 BCX5316H6327XTSA1; BCX5316H6433XTMA1;
|
||||||||||||||||||||||||||
SOT89 | INFINEON | 2W | 100 | 125MHz | 1A | 80V | PNP | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|