Tranzystory (wyszukane: 9759)

1    306  307  308  309  310  311  312  313  314    326
Produkt Koszyk
Rezystancja otwartego kanału
Maksymalny prąd drenu
Maksymalna tracona moc
Obudowa
Producent
Moc strat
Współczynnik wzmocnienia prądowego
Częstotliwość graniczna
Ładunek bramki
Maksymalna moc rozpraszana
Maksymalne napięcie dren-źródło
Maksymalny prąd kolektora
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
Maksymalny prąd kolektora
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
Typ tranzystora
Maksymalne napięcie dren-bramka
Temperatura pracy (zakres)
Maksymalne napięcie bramka-źródło
Montaż
Napięcie kolektor-emiter
Napięcie bramka-emiter
Układy tranzystorowe [T/N]
JNG40T120HS JIAENSEMI Tranzystor IGBT ; 1200V; 30V; 80A; 120A; 300W; 4V~6V; 107nC; -55°C~155°C;
JNG40T120HS JIAENSEMI TO247
  TO247 JIAENSEMI 107nC 300W 120A 80A 4,0V ~ 6,0V -55°C ~ 155°C THT 1200V 30V
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                                               
BC860B DIOTEC Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R BC860B-DIO
BC860B DIOTEC SOT23-3
  SOT23-3 DIOTEC 250mW 475 100MHz 100mA 45V PNP -55°C ~ 150°C
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                                               
BC860C SOT23 YFW Tranzystor PNP; 800; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C;
BC860C SOT23 YFW SOT23
  SOT23 YFW 200mW 800 100MHz 100mA 45V PNP -65°C ~ 150°C
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                                               
IPB026N10NF2SATMA1 Infineon Technologies TRENCH >=100V Transistors - FETs, MOSFETs - Single
IPB026N10NF2SATMA1 Infineon Technologies  
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                                               
IPB031N08N5 MOSFET N-CH 80V TO263-3 IPB031N08N5ATMA1
IPB031N08N5  
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                                               
IPB050N10NF2SATMA1 Infineon Technologies TRENCH >=100V Transistors - FETs, MOSFETs - Single
IPB050N10NF2SATMA1 Infineon Technologies  
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                                               
IPB123N10N3G INFINEON N-MOSFET 100V 58A 94W 12.3mΩ IPB123N10N3GATMA1
IPB123N10N3G INFINEON TO263/3
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                                               
BCP5116TA Trans GP BJT PNP 45V 1A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R BCP5116TC;
BCP5116TA SOT223
  SOT223 DIODES 2W 1A 45V PNP -65°C ~ 150°C
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                                               
IPB60R190C6 INFINEON Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK IPB60R190C6ATMA1
IPB60R190C6 INFINEON D2PAK
  190mOhm 20,2A 151W D2PAK INFINEON 600V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                                               
IPB64N25S320 MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3 IPB64N25S320ATMA1
IPB64N25S320  
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                                               
BCP53-16 GALAXY Tranzystor PNP; 250; 1,5W; 80V; 1A; 125MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCP5316TA; BCP5316TC; BCP53-16,115; BCP53-16,135; BCP53-16T1G; BCP53-16T3G; BCP53-16-TP; BCP5316H6327XTSA1;
BCP53-16 GALAXY SOT223
  SOT223 GALAXY 1,5W 250 125MHz 1A 80V PNP -55°C ~ 150°C
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                                               
IPD034N06N3G Infineon Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 3,4mOhm; 100A; 167W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IPD034N06N3GATMA1;
IPD034N06N3G Infineon TO252/3 (DPAK)
  3,4mOhm 100A 167W TO252/3 (DPAK) Infineon Technologies 60V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                                               
IPD15N06S2L64ATMA2 Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 64mOhm; 19A; 47W; -55°C~175°C;
IPD15N06S2L64ATMA2 DPAK
  64mOhm 19A 47W DPAK INFINEON 55V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                                               
IPD350N06LG INFINEON N-MOSFET 60V 29A 68W 35mΩ IPD350N06LGBTMA1
IPD350N06LG INFINEON TO252/3 (DPAK)
  TO252/3 (DPAK) Infineon Technologies N-MOSFET -55°C ~ 175°C SMD
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                                               
IPD60R280P7ATMA1 Tranzystor: N-MOSFET ; unipolarny ; 600V ; 12A ; 53W ; PG-TO252-3 600V CoolMOS P7 Power Transistor
IPD60R280P7ATMA1 DPAK
  280mOhm 12A 53W DPAK INFINEON 600V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                                               
IPD60R3K3C6 Infineon Tech Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 7,72Ohm; 1,7A; 18,1W; -55°C ~ 150°C;
IPD60R3K3C6 Infineon Tech TO252
  7,72Ohm 1,7A 18,1W TO252 Infineon Technologies 650V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 30V SMD
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                                               
BCP56 NPN 1000mA 80V 1330mW 130MHz Complementary to BCP51,BCP52,BCP53
BCP56 SOT223
  SOT223 YFW 1,5W 250 100MHz 1A 80V NPN -65°C ~ 150°C
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                                               
IPD65R660CFDATMA2 LOW POWER_LEGACY Podobny do: IPD65R660CFDBTMA1; Transistors - FETs, MOSFETs - Single
IPD65R660CFDATMA2 DPAK
  660mOhm 6A 63W DPAK INFINEON 700V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                                               
IPD80R1K2P7ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 800V 4.5A TO252-3
IPD80R1K2P7ATMA1 Infineon Technologies  
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                                               
IPD900P06NMATMA1 TRENCH 40<-<100V Transistors - FETs, MOSFETs - Single
IPD900P06NMATMA1  
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                                               
IPD90P03P4L04 P-MOSFET 30V 90A 137W 4.1mΩ IPD90P03P4L04ATMA2 IPD90P03P4L04ATMA1
IPD90P03P4L04 TO252
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                                               
IPG20N06S4L11ATMA1 MOSFET 2N-CH 8TDSON Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
IPG20N06S4L11ATMA1  
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                                               
BCP69 China PNP -1000mA -20V 625mW 140MHz
BCP69 China SOT223
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                                               
IPI029N06NAKSA1 Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 30V; 2,9mOhm; 24A; 3W; -55°C~175°C;
IPI029N06NAKSA1 TO262
  2,9mOhm 24A 3W TO262 INFINEON 60V N-MOSFET 10V -55°C ~ 175°C 30V THT
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                                               
BCR116WH6327XTSA1 NPN 50V 100mA 150MHz 250mW BCR116WH6327XTSA1; BCR116WH6327;
BCR116WH6327XTSA1 SOT323
  SOT323 INFINEON 250mW 70 150MHz 100mA 50V NPN -65°C ~ 150°C
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                                               
IPI90R340C3 N-MOSFET 15A 900V 208W 0.34Ω MOSFET N-CH 900V TO-262
IPI90R340C3 TO262
  N-MOSFET
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                                               
IPL60R065P7AUMA1 INFINEON Trans MOSFET N-CH 600V 41A 4-Pin VSON EP T/R
IPL60R065P7AUMA1 INFINEON  
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                                               
IPN70R600P7SATMA1 INFINEON Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
IPN70R600P7SATMA1 INFINEON  
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                                               
IPN70R750P7SATMA1 Tranzystor N-Channel MOSFET; 700V; +/-16V; 750mOhm; 6,5A; 6,7W; -40°C~150°C;
IPN70R750P7SATMA1 SOT223
  750mOhm 6,5A 6,7W SOT223 INFINEON 700V N-MOSFET -40°C ~ 150°C 16V SMD
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                                               
BCR533 SOT23 Tranzystor NPN; 70; 330mW; 50V; 500mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCR533E6327; BCR533E6327HTSA1; BCR 533 E6327;
BCR533 SOT23 SOT23
                                                   
Pozycja dostępna na zamówienie
                                                     
Towar w drodze
Planowany termin: 2026-03-15
Ilość szt.: 3000
                                               
1    306  307  308  309  310  311  312  313  314    326