Tranzystory (wyszukane: 9759)
Produkt | Koszyk |
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Obudowa
|
Producent
|
Moc strat
|
Współczynnik wzmocnienia prądowego
|
Częstotliwość graniczna
|
Ładunek bramki
|
Maksymalna moc rozpraszana
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
|
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
|
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Montaż
|
Napięcie kolektor-emiter
|
Napięcie bramka-emiter
|
Układy tranzystorowe [T/N]
|
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
JNG40T120HS JIAENSEMI
Tranzystor IGBT ; 1200V; 30V; 80A; 120A; 300W; 4V~6V; 107nC; -55°C~155°C;
|
||||||||||||||||||||||||||
TO247 | JIAENSEMI | 107nC | 300W | 120A | 80A | 4,0V ~ 6,0V | -55°C ~ 155°C | THT | 1200V | 30V | ||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
BC860B DIOTEC
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R BC860B-DIO
|
||||||||||||||||||||||||||
SOT23-3 | DIOTEC | 250mW | 475 | 100MHz | 100mA | 45V | PNP | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
BC860C SOT23 YFW
Tranzystor PNP; 800; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||||
SOT23 | YFW | 200mW | 800 | 100MHz | 100mA | 45V | PNP | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
IPB026N10NF2SATMA1 Infineon Technologies
TRENCH >=100V Transistors - FETs, MOSFETs - Single
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
IPB031N08N5
MOSFET N-CH 80V TO263-3 IPB031N08N5ATMA1
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
IPB050N10NF2SATMA1 Infineon Technologies
TRENCH >=100V Transistors - FETs, MOSFETs - Single
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
IPB123N10N3G INFINEON
N-MOSFET 100V 58A 94W 12.3mΩ IPB123N10N3GATMA1
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
BCP5116TA
Trans GP BJT PNP 45V 1A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R BCP5116TC;
|
||||||||||||||||||||||||||
SOT223 | DIODES | 2W | 1A | 45V | PNP | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
IPB60R190C6 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK IPB60R190C6ATMA1
|
||||||||||||||||||||||||||
190mOhm | 20,2A | 151W | D2PAK | INFINEON | 600V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
IPB64N25S320
MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3 IPB64N25S320ATMA1
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
BCP53-16 GALAXY
Tranzystor PNP; 250; 1,5W; 80V; 1A; 125MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCP5316TA; BCP5316TC; BCP53-16,115; BCP53-16,135; BCP53-16T1G; BCP53-16T3G; BCP53-16-TP; BCP5316H6327XTSA1;
|
||||||||||||||||||||||||||
SOT223 | GALAXY | 1,5W | 250 | 125MHz | 1A | 80V | PNP | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
IPD034N06N3G Infineon
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 3,4mOhm; 100A; 167W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IPD034N06N3GATMA1;
|
||||||||||||||||||||||||||
3,4mOhm | 100A | 167W | TO252/3 (DPAK) | Infineon Technologies | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
IPD15N06S2L64ATMA2
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 64mOhm; 19A; 47W; -55°C~175°C;
|
||||||||||||||||||||||||||
64mOhm | 19A | 47W | DPAK | INFINEON | 55V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
IPD350N06LG INFINEON
N-MOSFET 60V 29A 68W 35mΩ IPD350N06LGBTMA1
|
||||||||||||||||||||||||||
TO252/3 (DPAK) | Infineon Technologies | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | SMD | ||||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
IPD60R280P7ATMA1
Tranzystor: N-MOSFET ; unipolarny ; 600V ; 12A ; 53W ; PG-TO252-3 600V CoolMOS P7 Power Transistor
|
||||||||||||||||||||||||||
280mOhm | 12A | 53W | DPAK | INFINEON | 600V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
IPD60R3K3C6 Infineon Tech
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 7,72Ohm; 1,7A; 18,1W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||||
7,72Ohm | 1,7A | 18,1W | TO252 | Infineon Technologies | 650V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | SMD | |||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
BCP56
NPN 1000mA 80V 1330mW 130MHz Complementary to BCP51,BCP52,BCP53
|
||||||||||||||||||||||||||
SOT223 | YFW | 1,5W | 250 | 100MHz | 1A | 80V | NPN | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
IPD65R660CFDATMA2
LOW POWER_LEGACY Podobny do: IPD65R660CFDBTMA1; Transistors - FETs, MOSFETs - Single
|
||||||||||||||||||||||||||
660mOhm | 6A | 63W | DPAK | INFINEON | 700V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
IPD80R1K2P7ATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 4.5A TO252-3
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
IPD900P06NMATMA1
TRENCH 40<-<100V Transistors - FETs, MOSFETs - Single
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
IPD90P03P4L04
P-MOSFET 30V 90A 137W 4.1mΩ IPD90P03P4L04ATMA2 IPD90P03P4L04ATMA1
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
IPG20N06S4L11ATMA1
MOSFET 2N-CH 8TDSON Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
BCP69 China
PNP -1000mA -20V 625mW 140MHz
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
IPI029N06NAKSA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 30V; 2,9mOhm; 24A; 3W; -55°C~175°C;
|
||||||||||||||||||||||||||
2,9mOhm | 24A | 3W | TO262 | INFINEON | 60V | N-MOSFET | 10V | -55°C ~ 175°C | 30V | THT | ||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
BCR116WH6327XTSA1
NPN 50V 100mA 150MHz 250mW BCR116WH6327XTSA1; BCR116WH6327;
|
||||||||||||||||||||||||||
SOT323 | INFINEON | 250mW | 70 | 150MHz | 100mA | 50V | NPN | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
IPI90R340C3
N-MOSFET 15A 900V 208W 0.34Ω MOSFET N-CH 900V TO-262
|
||||||||||||||||||||||||||
N-MOSFET | ||||||||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
IPL60R065P7AUMA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 600V 41A 4-Pin VSON EP T/R
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
IPN70R600P7SATMA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
IPN70R750P7SATMA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 700V; +/-16V; 750mOhm; 6,5A; 6,7W; -40°C~150°C;
|
||||||||||||||||||||||||||
750mOhm | 6,5A | 6,7W | SOT223 | INFINEON | 700V | N-MOSFET | -40°C ~ 150°C | 16V | SMD | |||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
BCR533 SOT23
Tranzystor NPN; 70; 330mW; 50V; 500mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCR533E6327; BCR533E6327HTSA1; BCR 533 E6327;
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2026-03-15
Ilość szt.: 3000
|