Tranzystory polowe (wyszukane: 6780)
| Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PSMN9R0-25MLC,115 NEXPERIA
Trans MOSFET N-CH 25V 55A 8-Pin LFPAK EP
|
||||||||||||||||
|
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: PSMN9R0-25MLC,115 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnętrzny:
4500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
|
PSMN9R1-30YL,115 NEXPERIA
Trans MOSFET N-CH 35V 57A 5-Pin(4+Tab) LFPAK
|
||||||||||||||||
|
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: PSMN9R1-30YL,115 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnętrzny:
4500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
|
PSMN9R5-100BS,118 NEXPERIA
Trans MOSFET N-CH 100V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
|
||||||||||||||||
|
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: PSMN9R5-100BS,118 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnętrzny:
4800 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
|
PSMN9R5-30YLC,115 NEXPERIA
Trans MOSFET N-CH 30V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK
|
||||||||||||||||
|
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: PSMN9R5-30YLC,115 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnętrzny:
4500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
|
PSMNR55-40SSHJ Nexperia USA Inc.
PSMNR55-40SSH/SOT1235/LFPAK88 transistors - fets, mosfets - single
|
||||||||||||||||
|
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: PSMNR55-40SSHJ Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnętrzny:
4000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 40V | 40V | 20V | 0,55mOhm | 500A | 375W | SMD | -55°C ~ 175°C | LFPAK88 | NXP | ||||
|
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: PSMNR55-40SSHJ Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnętrzny:
2000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 40V | 40V | 20V | 0,55mOhm | 500A | 375W | SMD | -55°C ~ 175°C | LFPAK88 | NXP | ||||
|
PSMP075N15NS1_T0_00601 Panjit International Inc.
150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Transistors - FETs, MOSFETs - Single
|
||||||||||||||||
|
Producent:
PANJIT Symbol Producenta: PSMP075N15NS1_T0_00601 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnętrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
|
PXN4R7-30QLJ Nexperia USA Inc.
PXN4R7-30QL/SOT8002/MLPAK33 transistors - fets, mosfets - single
|
||||||||||||||||
|
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: PXN4R7-30QLJ Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnętrzny:
12000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
|
IPD26N06S2L35ATMA2
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 35mOhm; 30A; 68W; -55°C~175°C;
|
||||||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD26N06S2L35ATMA2 Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnętrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 55V | 20V | 35mOhm | 30A | 68W | SMD | -55°C ~ 175°C | DPAK | INFINEON | |||||
|
IPD80R2K0P7ATMA1
Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
|
||||||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD80R2K0P7ATMA1 Obudowa dokładna: TO252/3 (DPAK) |
Magazyn zewnętrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD80R2K0P7ATMA1 Obudowa dokładna: TO252/3 (DPAK) |
Magazyn zewnętrzny:
17500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
|
R6076KNZ4C13
NCH 600V 76A POWER MOSFET. R607 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
|
||||||||||||||||
|
Producent:
ROHM - Japan Symbol Producenta: R6076KNZ4C13 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnętrzny:
270 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
|
IPD90N04S405ATMA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 3,6mOhm; 90A; 136W; -55°C~175°C;
|
||||||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD90N04S405ATMA1 Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnętrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 40V | 10V | 20V | 3,6mOhm | 90A | 136W | -55°C ~ 175°C | DPAK | INFINEON | |||||
|
RFD16N05SM9A ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD)
Tranzystor: N-MOSFET | unipolarny | 50V | 16A | 72W | DPAK Tranzystory z kanałem N SMD
|
||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: RFD16N05SM9A Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnętrzny:
12500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
|
RFD12N06RLESM9A
Trans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK
|
||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: RFD12N06RLESM9A Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnętrzny:
42500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: RFD12N06RLESM9A Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnętrzny:
10000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
|
RFD14N05SM9A ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD)
Tranzystor: N-MOSFET | unipolarny | 50V | 14A | 48W | DPAK Tranzystory z kanałem N SMD
|
||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: RFD14N05SM9A Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnętrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
|
RFD16N05LSM9A ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD)
Tranzystor: N-MOSFET | unipolarny | 50V | 16A | 60W | DPAK Tranzystory z kanałem N SMD
|
||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: RFD16N05LSM9A Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnętrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: RFD16N05LSM9A Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnętrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
|
RFD16N06LESM9A ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD)
Tranzystor: N-MOSFET | unipolarny | 60V | 16A | 90W | DPAK Tranzystory z kanałem N SMD
|
||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: RFD16N06LESM9A Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnętrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
|
RFD3055LESM smd
N-MOSFET 11A 60V 38W 107mOhm RFD3055LESM9A
|
||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: RFD3055LESM9A Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnętrzny:
77500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: RFD3055LESM9A Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnętrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: RFD3055LESM9A Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnętrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
|
IPP50R140CPXKSA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 550V; 20V; 140mOhm; 23A; 192W; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPP50R140CPXKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
450 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 550V | 10V | 20V | 140mOhm | 23A | 192W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | INFINEON | ||||
|
RK7002BMT116 Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 0.25A SST3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
|
||||||||||||||||
|
Producent:
ROHM - Japan Symbol Producenta: RK7002BMT116 Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnętrzny:
105000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
|
RSQ045N03HZGTR
AUTOMOTIVE NCH 30V 4.5A SMALL SI Transistors - FETs, MOSFETs - Single
|
||||||||||||||||
|
Producent:
ROHM - Japan Symbol Producenta: RSQ045N03HZGTR Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnętrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
|
RSR015P06HZGTL
PCH -60V -1.5A SMALL SIGNAL MOSF Transistors - FETs, MOSFETs - Single
|
||||||||||||||||
|
Producent:
ROHM - Japan Symbol Producenta: RSR015P06HZGTL Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnętrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
|
RZM001P02T2L Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 0.1A VMT3 SOT-723
|
||||||||||||||||
|
Producent:
ROHM - Japan Symbol Producenta: RZM001P02T2L Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnętrzny:
24000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 8000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
|
IPU95KR3K7P7AKMA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 950V; 20V; 3,7Ohm; 2A; 22W; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPU95R3K7P7AKMA1 Obudowa dokładna: TO251 (IPACK) |
Magazyn zewnętrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 950V | 10V | 20V | 3,7Ohm | 2A | 22W | THT | -55°C ~ 150°C | TO251 (IPACK) | INFINEON | ||||
|
SCT040H65G3AG STMicroelectronics
AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE Transistors - FETs, MOSFETs - Single
|
||||||||||||||||
|
Producent:
ST Symbol Producenta: SCT040H65G3AG Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnętrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 650V | 22V | 55mOhm | 30A | 221W | SMD | -55°C ~ 175°C | H2PAK-7 | ST | |||||
|
Producent:
ST Symbol Producenta: SCT040H65G3AG Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnętrzny:
4000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 650V | 22V | 55mOhm | 30A | 221W | SMD | -55°C ~ 175°C | H2PAK-7 | ST | |||||
|
IPW60R120P7XKSA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 20V; 120mOhm; 26A; 95W; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPW60R120P7XKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnętrzny:
540 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 600V | 10V | 20V | 120mOhm | 26A | 95W | THT | -55°C ~ 150°C | TO247 | INFINEON | ||||
|
SCT4036KEC11 Rohm Semiconductor
1200V, 36M, 3-PIN THD, TRENCH-ST Transistors - FETs, MOSFETs - Single
|
||||||||||||||||
|
Producent:
ROHM - Japan Symbol Producenta: SCT4036KEC11 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnętrzny:
150 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
|
SCT4045DEC11 Rohm Semiconductor
750V, 45M, 3-PIN THD, TRENCH-STR Transistors - FETs, MOSFETs - Single
|
||||||||||||||||
|
Producent:
ROHM - Japan Symbol Producenta: SCT4045DEC11 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnętrzny:
38 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
|
SCTH60N120G2-7 STMicroelectronics
PTD WBG & POWER RF Transistors - FETs, MOSFETs - Single
|
||||||||||||||||
|
Producent:
ST Symbol Producenta: SCTH60N120G2-7 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnętrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
|
SCTL35N65G2V
TRANS SJT N-CH 650V PWRFLAT HV
|
||||||||||||||||
|
Producent:
ST Symbol Producenta: SCTL35N65G2V Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnętrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
|
SCTL90N65G2V
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
|
||||||||||||||||
|
Producent:
ST Symbol Producenta: SCTL90N65G2V Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnętrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||