Transistoren (Ergebnisse: 10397)

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Transistorsysteme [J/N]
STP55NF06 N-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 18mOhm; 50A; 110 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: STP36NF06; HT55NF06ASZ;
Micros Symbol: TSTP55NF06 Infos
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STP55NF06 RoHS || STP55NF06 || STP55NF06 TO220
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STP55NF06 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
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Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
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18mOhm 50A 110W TO220 STMicroelectronics 60V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V THT
 
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STP55NF06 Präzisionsgehäuse:
TO220  
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20 Euro überschreiten. 		18mOhm 50A 110W TO220 STMicroelectronics 60V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V THT
 
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ST Hersteller-Teilenummer:
STP55NF06 Präzisionsgehäuse:
TO220  
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HSTP75NF75 HXY MOSFET N-Channel-MOSFET-Transistor; 80V; 20V; 7,2mOhm; 96A; 146W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: STP75NF75;
Micros Symbol: TSTP75NF75 HXY Infos
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HSTP75NF75 RoHS || HSTP75NF75 HXY MOSFET TO220
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HXY MOSFET Hersteller-Teilenummer:
HSTP75NF75 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
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Anzahl der Stücke 1+ 5+ 50+ 100+ 500+
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7,2mOhm 96A 146W TO220 HXY MOSFET 80V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V THT
STP9NK90Z N-MOSFET-Transistor; 900V; 30V; 1,3 Ohm; 8A; 160 W; -55 °C ~ 150 °C; WMK09N90C2-CYG
Micros Symbol: TSTP9NK90Z Infos
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STP9NK90Z RoHS || STP9NK90Z || STP9NK90Z TO220
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ST Hersteller-Teilenummer:
STP9NK90Z RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
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95 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 2,0053 1,5980 1,3684 1,2287 1,1790
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1,3Ohm 8A 160W TO220 STMicroelectronics 900V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 30V THT
 
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ST Hersteller-Teilenummer:
STP9NK90Z Präzisionsgehäuse:
TO220  
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6150 Stk.
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20 Euro überschreiten. 		1,3Ohm 8A 160W TO220 STMicroelectronics 900V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 30V THT
 
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ST Hersteller-Teilenummer:
STP9NK90Z Präzisionsgehäuse:
TO220  
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Anzahl der Stücke 500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
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20 Euro überschreiten. 		1,3Ohm 8A 160W TO220 STMicroelectronics 900V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 30V THT
 
Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer:
STP9NK90Z Präzisionsgehäuse:
TO220  
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5000 Stk.
Anzahl der Stücke 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 1,1790
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20 Euro überschreiten. 		1,3Ohm 8A 160W TO220 STMicroelectronics 900V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 30V THT
10N65 N-Channel-MOSFET-Transistor; Unipolar; 650V; 10A; 0,63 Ohm; 27,5 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 10N65-LGE; YJ10N65CI-YAN;
Micros Symbol: T10N65F LGE Infos
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10N65 RoHS || 10N65 TO220iso
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LGE Hersteller-Teilenummer:
10N65 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO-220F
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28 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 300+ 900+
Preis netto (EUR) 0,7505 0,4759 0,3741 0,3362 0,3267
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630mOhm 40A TO220iso LGE 650V 4V MOSFET -55°C ~ 150°C 30V THT
 
Hersteller:
LGE Hersteller-Teilenummer:
10N65 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220iso
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200 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 300+ 900+
Preis netto (EUR) 0,7505 0,4759 0,3741 0,3362 0,3267
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50/300
Menge (mehrere 1)
630mOhm 40A TO220iso LGE 650V 4V MOSFET -55°C ~ 150°C 30V THT
DMN2230U-7 Diodes N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 230 mOhm; 2A; 600 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TDMN2230u Infos
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DMN2230U-7 RoHS || DMN2230U-7 Diodes SOT23-3
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DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer:
DMN2230U-7 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23-3 t/r
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185 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,3101 0,1709 0,1132 0,0942 0,0885
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500
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230mOhm 2A 600mW SOT23-3 DIODES 20V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
12N65 HXY MOSFET N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 30V; 800mOhm; 12A; 42W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: 12N65-LGE; PTA12N65; 12N65F; DM12N65E; LNE12N65; SW12N65; LND12N65; LNF12N65; PTF12N65; SLF12N65C; CEF12N65; RS12N65F; AOTF12N65; BRFL12N65; SMF12N65; LNDN12N65; LNC12N65; HFS12N65S; SMIRF12N65T2TL; FHP12N65C; TSF12N65M; KIA12N65H; FIR12N65FG; SE12N65F; JSC12N65FT; SVF12N65F; TMA12N65H; SPC12N65G; FIR12N65FG; IXFP12N65X2M; JSC12N65FT; SMIRF12N65T1TL; CS12N65FA9H; SVF12N65CKL; CS12N65FA9R; SVF12N65F(S); 12N65KL-TF1-T; JSC12N65FC-220MF; JSC12N65FT-220MF;
Micros Symbol: T12N65 HXY Infos
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12N65 RoHS || 12N65 HXY MOSFET TO220iso
Hersteller:
HXY MOSFET Hersteller-Teilenummer:
12N65 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220iso
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100 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,8452 0,5303 0,4143 0,3906 0,3670
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50/100
Menge (mehrere 1)
800mOhm 12A 42W TO220iso HXY MOSFET 650V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 30V THT
12N65-TD TO220iso N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 30V; 800mOhm; 12A; 42W; -55°C~150°C; Äquivalent: 12N65-LGE; PTA12N65; 12N65F; DM12N65E; LNE12N65; SW12N65; LND12N65; LNF12N65; PTF12N65; SLF12N65C; CEF12N65; RS12N65F; AOTF12N65; BRFL12N65; SMF12N65; LNDN12N65; LNC12N65; HFS12N65S; SMIRF12N65T2TL; FHP12N65C; TSF12N65M; KIA12N65H; FIR12N65FG; SE12N65F; JSC12N65FT; SVF12N65F; TMA12N65H; SPC12N65G; FIR12N65FG; IXFP12N65X2M; JSC12N65FT; SMIRF12N65T1TL; CS12N65FA9H; SVF12N65CKL; CS12N65FA9R; SVF12N65F(S); 12N65KL-TF1-T; JSC12N65FC-220MF; JSC12N65FT-220MF;
Micros Symbol: T12N65 TDS Infos
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12N65-TD-TO220F RoHS || 12N65-TD TO220iso TO220iso
Hersteller:
TDSEMIC Hersteller-Teilenummer:
12N65-TD-TO220F RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220iso
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100 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,8120 0,5137 0,4048 0,3693 0,3528
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
800mOhm 12A 42W TO220iso TDSEMIC 650V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 30V THT
12N65 N-Channel-MOSFET-Transistor; Unipolar; 650V; 12A; 0,54 Ohm; 33,2 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 12N65-LGE; PTA12N65; 12N65F; DM12N65E; LNE12N65; SW12N65; LND12N65; LNF12N65; PTF12N65; SLF12N65C; CEF12N65; RS12N65F; AOTF12N65; BRFL12N65; SMF12N65; LNDN12N65; LNC12N65; HFS12N65S; SMIRF12N65T2TL; FHP12N65C; TSF12N65M; KIA12N65H; FIR12N65FG; SE12N65F; JSC12N65FT; SVF12N65F; TMA12N65H; SPC12N65G; FIR12N65FG; IXFP12N65X2M; JSC12N65FT; SMIRF12N65T1TL; CS12N65FA9H; SVF12N65CKL; CS12N65FA9R; SVF12N65F(S); 12N65KL-TF1-T; JSC12N65FC-220MF; JSC12N65FT-220MF;
Micros Symbol: T12N65 LGE Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
12N65 RoHS || 12N65 TO220iso
Hersteller:
LGE Hersteller-Teilenummer:
12N65 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220iso
Datenblatt
Auf Lager:
137 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,8120 0,5137 0,4048 0,3693 0,3528
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
540mOhm 12A 33W TO220iso LGE 650V 10V MOSFET -55°C ~ 150°C 30V THT
ZXMS6004DN8-13 2xN-MOSFET-Transistor; 60V; 600 mOhm; 1,3A; 1,56 W; -40 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TZXMS6004DN8-13 Diodes Infos
Datenblatt
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ZXMS6004DN8-13 RoHS || ZXMS6004DN8-13 || ZXMS6004DN8-13 SOIC08
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer:
ZXMS6004DN8-13 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOIC08t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3500 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,8665 0,5493 0,4332 0,3930 0,3764
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Standard-Verpackung:
2500
Menge (mehrere 1)
600mOhm 1,3A 1,56W SOIC08 DIODES 60V 2xN-MOSFET -40°C ~ 150°C SMD
 
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer:
ZXMS6004DN8-13 Präzisionsgehäuse:
SOIC08  
Externes Lager:
32500 Stk.
Anzahl der Stücke 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,4842
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Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		600mOhm 1,3A 1,56W SOIC08 DIODES 60V 2xN-MOSFET -40°C ~ 150°C SMD
 
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer:
ZXMS6004DN8-13 Präzisionsgehäuse:
SOIC08  
Externes Lager:
57500 Stk.
Anzahl der Stücke 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,3764
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Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		600mOhm 1,3A 1,56W SOIC08 DIODES 60V 2xN-MOSFET -40°C ~ 150°C SMD
 
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer:
ZXMS6004DN8-13 Präzisionsgehäuse:
SOIC08  
Externes Lager:
95000 Stk.
Anzahl der Stücke 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,3764
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Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		600mOhm 1,3A 1,56W SOIC08 DIODES 60V 2xN-MOSFET -40°C ~ 150°C SMD
EPC2059 GANFET-Transistor; 170V; 6V; 9mOhm; 24A; -40 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TEPC2059 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
EPC2059 RoHS || EPC2059 DIE(2.8x1.4)
Hersteller:
EPC Hersteller-Teilenummer:
EPC2059 RoHS Präzisionsgehäuse:
DIE(2.8x1.4)  
Auf Lager:
5 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 10+ 30+ 100+
Preis netto (EUR) 6,3377 5,6867 5,5328 5,3765 5,2818
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Standard-Verpackung:
5
Menge (mehrere 1)
9mOhm 24A EPC 170V GANFET -40°C ~ 150°C 6V SMD
FDC658AP P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 25V; 75 mOhm; 4A; 1,6 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TFDC658AP Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
FDC658AP RoHS || FDC658AP || FDC658AP TSOT23-6
Hersteller:
Fairchild Hersteller-Teilenummer:
FDC658AP RoHS Präzisionsgehäuse:
TSOT23-6 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
4 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 200+ 1100+
Preis netto (EUR) 0,3314 0,2176 0,1560 0,1364 0,1276
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Standard-Verpackung:
1100
Menge (mehrere 1)
75mOhm 4A 1,6W TSOT23-6 ON SEMICONDUCTOR 30V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 25V SMD
 
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer:
FDC658AP Präzisionsgehäuse:
TSOT23-6  
Externes Lager:
153000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2152
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		75mOhm 4A 1,6W TSOT23-6 ON SEMICONDUCTOR 30V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 25V SMD
FDN306P P-Channel-MOSFET-Transistor; 12V; 8V; 80mOhm; 2,6A; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: TCJ2305;
Micros Symbol: TFDN306p Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
FDN306P RoHS || FDN306P RoHS 306. || FDN306P || FDN306P SSOT3
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer:
FDN306P RoHS Präzisionsgehäuse:
SSOT3
Datenblatt
Auf Lager:
5 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,3125 0,1731 0,1366 0,1241 0,1200
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Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
80mOhm 2,6A 500mW SSOT3 Fairchild 12V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 8V SMD
 
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer:
FDN306P RoHS 306. Präzisionsgehäuse:
SSOT3
Datenblatt
Auf Lager:
200 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 300+ 1500+
Preis netto (EUR) 0,3125 0,2050 0,1473 0,1262 0,1200
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Standard-Verpackung:
300
Menge (mehrere 1)
80mOhm 2,6A 500mW SSOT3 Fairchild 12V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 8V SMD
 
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer:
FDN306P Präzisionsgehäuse:
SSOT3  
Externes Lager:
126000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,1677
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		80mOhm 2,6A 500mW SSOT3 Fairchild 12V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 8V SMD
 
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer:
FDN306P Präzisionsgehäuse:
SSOT3  
Externes Lager:
66000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,1200
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		80mOhm 2,6A 500mW SSOT3 Fairchild 12V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 8V SMD
FDN338P SOT23 MSKSEMI N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 150 mOhm; 2A; 1,56 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TFDN338p MSK Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
FDN338P RoHS || FDN338P SOT23 MSKSEMI SOT23
Hersteller:
MSKSEMI Hersteller-Teilenummer:
FDN338P RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
95 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,2176 0,1030 0,0575 0,0436 0,0395
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
150mOhm 2A 1,56W SOT23 MSK 20V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
                                                     
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2027-12-31
Anzahl der Stücke: 1
                                               
FDN339AN ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD) N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 61mOhm; 3A; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TFDN339an Infos
Datenblatt
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FDN339AN RoHS || FDN339AN || FDN339AN ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD) SuperSOT3
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer:
FDN339AN RoHS Präzisionsgehäuse:
SuperSOT3
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3000 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4048 0,2228 0,1752 0,1622 0,1555
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
61mOhm 3A 500mW SuperSOT3 ON SEMICONDUCTOR 20V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 8V SMD
 
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer:
FDN339AN Präzisionsgehäuse:
SuperSOT3  
Externes Lager:
9000 Stk.
Anzahl der Stücke 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,1555
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Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		61mOhm 3A 500mW SuperSOT3 ON SEMICONDUCTOR 20V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 8V SMD
 
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer:
FDN339AN Präzisionsgehäuse:
SuperSOT3  
Externes Lager:
6000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,1555
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		61mOhm 3A 500mW SuperSOT3 ON SEMICONDUCTOR 20V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 8V SMD
 
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer:
FDN339AN Präzisionsgehäuse:
SuperSOT3  
Externes Lager:
141000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,1555
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		61mOhm 3A 500mW SuperSOT3 ON SEMICONDUCTOR 20V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 8V SMD
FDS8958A SOP08 ON Semiconductor N/P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 42mOhm/80mOhm; 7A/5A; 2W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: FDS8958A-F085;
Micros Symbol: TFDS8958a Infos
Datenblatt
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FDS8958A RoHS || FDS8958A SOP08 ON Semiconductor SOP08
Hersteller:
Fairchild Hersteller-Teilenummer:
FDS8958A RoHS Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
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Auf Lager:
10 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 200+
Preis netto (EUR) 2,5948 2,1378 1,9650 1,8750 1,8537
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
80mOhm 7A 2W SOP08 Fairchild 30V N/P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
FDV301N UMW N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 50mOhm; 6A; 2,1 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: FDV301N Onsemi;
Micros Symbol: TFDV301n UMW Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
FDV301N RoHS || FDV301N UMW SOT23
Hersteller:
UMW Hersteller-Teilenummer:
FDV301N RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
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Auf Lager:
600 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
Preis netto (EUR) 0,1499 0,0599 0,0348 0,0291 0,0272
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Standard-Verpackung:
1000
Menge (mehrere 1)
50mOhm 6A 2,1W SOT23 UMW 20V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
FQP47P06 P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 25V; 26mOhm; 47A; 160 W; -55 °C ~ 175 °C;
Micros Symbol: TFQP47p06 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
FQP47P06 RoHS || FQP47P06 || FQP47P06 TO220
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer:
FQP47P06 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
Datenblatt
Auf Lager:
45 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 3,0469 2,6326 2,3888 2,2349 2,1757
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
26mOhm 47A 160W TO220 ON SEMICONDUCTOR 60V P-MOSFET -55°C ~ 175°C 25V THT
 
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer:
FQP47P06 Präzisionsgehäuse:
TO220  
Externes Lager:
1950 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 2,1757
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		26mOhm 47A 160W TO220 ON SEMICONDUCTOR 60V P-MOSFET -55°C ~ 175°C 25V THT
 
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer:
FQP47P06 Präzisionsgehäuse:
TO220  
Externes Lager:
1469 Stk.
Anzahl der Stücke 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 2,1757
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		26mOhm 47A 160W TO220 ON SEMICONDUCTOR 60V P-MOSFET -55°C ~ 175°C 25V THT
 
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer:
FQP47P06 Präzisionsgehäuse:
TO220  
Externes Lager:
5672 Stk.
Anzahl der Stücke 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 2,1757
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		26mOhm 47A 160W TO220 ON SEMICONDUCTOR 60V P-MOSFET -55°C ~ 175°C 25V THT
FQP50N06 N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 25V; 22mOhm; 50A; 120 W; -55 °C ~ 175 °C;
Micros Symbol: TFQP50n06 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
FQP50N06 RoHS || FQP50N06 TO220
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer:
FQP50N06 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220  
Auf Lager:
0 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 50+ 100+ 500+
Preis netto (EUR) 1,1932 0,7931 0,6132 0,5919 0,5682
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Standard-Verpackung:
50/100
Menge (mehrere 1)
22mOhm 50A 120W TO220 ON SEMICONDUCTOR 60V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 25V THT
FQPF2N60C N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 4,7 Ohm; 2A; 23W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TFQPF2n60c Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
FQPF2N60C RoHS || FQPF2N60C TO220iso
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer:
FQPF2N60C RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220iso  
Auf Lager:
6 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,4891 1,1364 0,9399 0,8239 0,7836
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
4,7Ohm 2A 23W TO220iso ON SEMICONDUCTOR 600V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 30V THT
 
Hersteller:
Fairchild Hersteller-Teilenummer:
FQPF2N60C RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220iso
Datenblatt
Auf Lager:
30 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,4891 1,1364 0,9399 0,8239 0,7836
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
4,7Ohm 2A 23W TO220iso ON SEMICONDUCTOR 600V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 30V THT
HX2301A P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 2,5A; 130 mOhm; 0,9 W; -55°C~150°C;
Micros Symbol: THX2301A HX Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
HX2301A RoHS || HX2301A SOT23
Hersteller:
HX(hengjiaxing) Hersteller-Teilenummer:
HX2301A RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
2600 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 400+ 3000+ 6000+
Preis netto (EUR) 0,0878 0,0350 0,0174 0,0139 0,0135
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Standard-Verpackung:
3000/6000
Menge (mehrere 10)
130mOhm 2,5A 900mW SOT23 HX 20V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
                                                     
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2027-12-31
Anzahl der Stücke: 3000
                                               
IRF1010E N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF1010EPBF;
Micros Symbol: TIRF1010 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
IRF1010EPBF RoHS || IRF1010EPBF || IRF1010E TO220
Hersteller:
International Rectifier Hersteller-Teilenummer:
IRF1010EPBF RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
Datenblatt
Auf Lager:
285 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 50+ 200+ 350+
Preis netto (EUR) 1,0488 0,6960 0,5351 0,5066 0,4995
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Standard-Verpackung:
50/350
Menge (mehrere 1)
12mOhm 84A 200W TO220 International Rectifier 60V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V THT
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IRF1010EPBF Präzisionsgehäuse:
TO220  
Externes Lager:
190 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,5957
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Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		12mOhm 84A 200W TO220 International Rectifier 60V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V THT
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IRF1010EPBF Präzisionsgehäuse:
TO220  
Externes Lager:
3276 Stk.
Anzahl der Stücke 300+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,4995
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Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		12mOhm 84A 200W TO220 International Rectifier 60V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V THT
IRF1010ES smd N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200 W; -55 °C ~ 175 °C; IRF1010ESPBF, IRF1010ESTRLPBF
Micros Symbol: TIRF1010es Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
IRF1010ESTRPBF RoHS || IRF1010ES smd TO263 (D2PAK)
Hersteller:
International Rectifier Hersteller-Teilenummer:
IRF1010ESTRPBF RoHS Präzisionsgehäuse:
TO263t/r (D2PAK)
Datenblatt
Auf Lager:
50 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,5247 1,2169 1,0417 0,9352 0,8973
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
12mOhm 84A 200W TO263 (D2PAK) International Rectifier 60V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
IRF1404ZS Infineon N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 3,7 mOhm; 180A; 200 W; -55 °C ~ 175 °C; IRF1404ZSPBF; IRF1404ZSTRLPBF; IRF1404ZSTRRPBF;
Micros Symbol: TIRF1404zs Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
IRF1404ZS RoHS || IRF1404ZSTRLPBF || IRF1404ZS Infineon D2PAK
Hersteller:
International Rectifier Hersteller-Teilenummer:
IRF1404ZS RoHS Präzisionsgehäuse:
D2PAK t/r
Datenblatt
Auf Lager:
88 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
Preis netto (EUR) 2,4835 1,9697 1,7803 1,6856 1,6549
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
3,7mOhm 180A 200W D2PAK Infineon (IRF) 40V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IRF1404ZSTRLPBF Präzisionsgehäuse:
D2PAK  
Externes Lager:
960 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 1,6549
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Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		3,7mOhm 180A 200W D2PAK Infineon (IRF) 40V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IRF1404ZSTRLPBF Präzisionsgehäuse:
D2PAK  
Externes Lager:
1600 Stk.
Anzahl der Stücke 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 1,6549
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
800
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		3,7mOhm 180A 200W D2PAK Infineon (IRF) 40V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IRF1404ZSTRLPBF Präzisionsgehäuse:
D2PAK  
Externes Lager:
9600 Stk.
Anzahl der Stücke 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 1,6549
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
800
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		3,7mOhm 180A 200W D2PAK Infineon (IRF) 40V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
IRF4905PBF JSMICRO P-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 20mOhm; 80A; 200W; -55°C ~ 175°C; Äquivalent: IRF4905PBF; SP001571330;
Micros Symbol: TIRF4905 JSM Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
IRF4905PBF RoHS || IRF4905PBF JSMICRO TO220
Hersteller:
JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer:
IRF4905PBF RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
Datenblatt
Auf Lager:
80 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 0,8902 0,6534 0,5232 0,4498 0,4238
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Standard-Verpackung:
50/200
Menge (mehrere 1)
20mOhm 80A 200W TO220 JSMICRO 55V P-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V THT
IRF4905 UMW P-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 20mOhm; 70A; 170 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF4905PBF; SP001571330;
Micros Symbol: TIRF4905 UMW Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
IRF4905 RoHS || IRF4905 UMW TO220
Hersteller:
UMW Hersteller-Teilenummer:
IRF4905 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
Datenblatt
Auf Lager:
77 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 0,8902 0,6534 0,5232 0,4498 0,4238
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50/100
Menge (mehrere 1)
20mOhm 70A 170W TO220 UMW 55V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V THT
IRF4905 P-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 20mOhm; 74A; 200 W; -55 °C ~ 175 °C; IRF4905PBF; IRF 4905 PBF;
Micros Symbol: TIRF4905 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
IRF4905 RoHS || IRF4905PBF || IRF4905 TO220
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IRF4905 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220  
Auf Lager:
2632 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,3850 1,0583 0,8760 0,7671 0,7292
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50/1000/4000
Menge (mehrere 1)
20mOhm 74A 200W TO220 Infineon (IRF) 55V P-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V THT
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IRF4905PBF Präzisionsgehäuse:
TO220  
Externes Lager:
6825 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,7359
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		20mOhm 74A 200W TO220 Infineon (IRF) 55V P-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V THT
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IRF4905PBF Präzisionsgehäuse:
TO220  
Externes Lager:
91801 Stk.
Anzahl der Stücke 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,7292
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		20mOhm 74A 200W TO220 Infineon (IRF) 55V P-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V THT
IRF540N JSMICRO N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 26mOhm; 40A; 96W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRF540PBF; IRF540PBF-BE3; IRF540NPBF; SP001561906;
Micros Symbol: TIRF540n JSM Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
IRF540N RoHS || IRF540N JSMICRO TO220
Hersteller:
JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer:
IRF540N RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
Datenblatt
Auf Lager:
0 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,7576 0,4759 0,3717 0,3504 0,3291
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50/100
Menge (mehrere 1)
26mOhm 40A 96W TO220 JSMICRO 100V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V THT
IRF540NPBF-ML MOSLEADER N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 50mOhm; 30A; 125W; -55°C ~ 175°C; Äquivalent: IRF540PBF; IRF540PBF-BE3; IRF540NPBF; SP001561906;
Micros Symbol: TIRF540n MOS Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
IRF540NPBF-ML RoHS || IRF540NPBF-ML MOSLEADER TO220
Hersteller:
MOSLEADER Hersteller-Teilenummer:
IRF540NPBF-ML RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
Datenblatt
Auf Lager:
40 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,6653 0,4214 0,3314 0,3030 0,2888
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
50mOhm 30A 125W TO220 MOSLEADER 100V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V THT
IRF540N N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF540NPBF; IRF 540N PBF;
Micros Symbol: TIRF540n Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
IRF540N RoHS || IRF540NPBF || IRF540N TO220
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IRF540N RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220  
Auf Lager:
4444 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,8168 0,5185 0,4072 0,3717 0,3551
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50/1000
Menge (mehrere 1)
44mOhm 33A 130W TO220 Infineon (IRF) 100V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V THT
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IRF540NPBF Präzisionsgehäuse:
TO220  
Externes Lager:
8290 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,3551
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Standard-Verpackung:
10
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Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		44mOhm 33A 130W TO220 Infineon (IRF) 100V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V THT
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IRF540NPBF Präzisionsgehäuse:
TO220  
Externes Lager:
61557 Stk.
Anzahl der Stücke 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,3551
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1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		44mOhm 33A 130W TO220 Infineon (IRF) 100V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V THT
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IRF540NPBF Präzisionsgehäuse:
TO220  
Externes Lager:
91697 Stk.
Anzahl der Stücke 500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,3551
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Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		44mOhm 33A 130W TO220 Infineon (IRF) 100V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V THT
IRF7301TRPBF JSMICRO 2xN-Channel MOSFET-Transistor; 20V; 10V; 28mOhm; 7A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRF7301PBF; IRF7301TRPBF; SP001571442; SP001561974;
Micros Symbol: TIRF7301 JSM Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
IRF7301TRPBF RoHS || IRF7301TRPBF JSMICRO SOP08
Hersteller:
JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer:
IRF7301TRPBF RoHS Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
Datenblatt
Auf Lager:
200 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,5043 0,3054 0,2353 0,2121 0,2019
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
28mOhm 7A 1,5W SOP08 JSMICRO 20V 2xN-MOSFET -55°C ~ 150°C 10V SMD
1    7  8  9  10  11  12  13  14  15    347