Transistoren (Ergebnisse: 10088)

1    8  9  10  11  12  13  14  15  16    337
Produkt Warenkorb
Widerstand im offenen Kanal
Max. Drainstrom
Maximaler Leistungsverlust
Gehäuse
Hersteller
Verlustleistung
Stromverstärkungsfaktor
Grenzfrequenz
Gate-Ladung
Maximale Verlustleistung
Max. Drain-Source Spannung
Max. Kollektor-Strom [A]
Max. Kollektor-Emitter-Spannung
Max. Kollektor-Strom
Max. Kollektor-Strom im Impuls
Vorwärtsspannung [Vgeth]
Transistor-Typ
Msx. Drain-Gate Spannung
Betriebstemperatur (Bereich)
Max. Gate-Source Spannung
Montage
Kollektor-Emitter-Spannung
Gate - Emitter Spannung
Transistorsysteme [J/N]
IRLR8726TR UMW N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 8mOhm; 86A; 75W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRLR8726PBF; IRLR8726TRLPBF; IRLR8726TRPBF; SP001573950; SP001552846; SP001573108;
Micros Symbol: TIRLR8726 UMW Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
IRLR8726TR RoHS || IRLR8726TR UMW TO252 (DPACK)
Hersteller:
UMW Hersteller-Teilenummer:
IRLR8726TR RoHS Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK)
Datenblatt
Auf Lager:
250 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 300+ 1500+
Preis netto (EUR) 0,3151 0,2015 0,1418 0,1204 0,1145
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
300
Menge (mehrere 1)
8mOhm 86A 75W TO252 (DPACK) UMW 30V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
IRLR8726TRPBF N-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 8mOhm; 86A; 75W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRLR8726TRLPBF; IRLR8726PBF; IRLR8726TRPBF; IRLR8726PBF-GURT; IRLR8726;
Micros Symbol: TIRLR8726 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
IRLR8726TRPBF RoHS || IRLR8726TRPBF TO252 (DPACK)
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IRLR8726TRPBF RoHS Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK) t/r  
Auf Lager:
15175 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4444 0,2704 0,2074 0,1872 0,1780
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
2000
Menge (mehrere 1)
8mOhm 86A 75W TO252 (DPACK) Infineon (IRF) 30V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
IM393M6FXKLA1 IPM IGBT; 600V; 5V; 10A; 15A; 20W; 13,5~16,5V; -40°C~125°C; IM393M6FXKLA1
Micros Symbol: TIM393M6F Infos
Datenblatt
Zu favoriten hinzufügen
IM393M6FXKLA1 RoHS || IM393M6FXKLA1 SIP22
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IM393M6FXKLA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
SIP22
Datenblatt
Auf Lager:
1 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 2+ 4+ 10+ 30+
Preis netto (EUR) 10,4075 9,2953 8,5052 7,7974 7,2777
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
2
Menge (mehrere 1)
SIP22 Infineon Technologies 20W 10A 15A 13,5V ~ 16,5V -40°C ~ 125°C THT 600V 5V
MMBF5484 N-JFET-Transistor; 25V; 25V; 5mA; 225 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TMMBF5484 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
MMBF5484 RoHS || MMBF5484 SOT23
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer:
MMBF5484 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r  
Auf Lager:
5 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2657 0,1406 0,1091 0,1006 0,0964
Zum Vergleichstool hinzufügen
Produkt verfügbar, bis es vergriffen ist
Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
5mA 225mW SOT23 ON SEMICONDUCTOR 25V N-JFET -55°C ~ 150°C 25V SMD
MMBFJ112 Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R
Micros Symbol: TMMBFJ112 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
MMBFJ112 RoHS || MMBFJ112 SOT23
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer:
MMBFJ112 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
1880 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,2892 0,1599 0,1063 0,0887 0,0825
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
50Ohm SOT23 ONSEMI N-JEFT -55°C ~ 155°C -35V SMD
NTD5865NLT4G N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 19mOhm; 46A; 71W; -55 °C ~ 175 °C;
Micros Symbol: TNTD5865nl Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
NTD5865NLT4G RoHS || NTD5865NLT4G TO252 (DPACK)
Hersteller:
TECH PUBLIC Hersteller-Teilenummer:
NTD5865NLT4G RoHS Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK) t/r  
Auf Lager:
70 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,7689 0,4820 0,3997 0,3574 0,3339
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
19mOhm 46A 71W TO252 (DPACK) ON SEMICONDUCTOR 60V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
NTD5867N Transistor N-MOSFET; 60V; 20V; 33mOhm; 20A; 50W; -55°C~150°C; Substitute: NTD5867NLT4G; NTD5867NL-VB; NTD5867NLT4G-VB; NTD5867NLT4G;
Micros Symbol: TNTD5867n c Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
NTD5867NLT4G RoHS || NTD5867N TO252
Hersteller:
TECH PUBLIC Hersteller-Teilenummer:
NTD5867NLT4G RoHS Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK) t/r
Datenblatt
Auf Lager:
150 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 40+ 150+ 300+
Preis netto (EUR) 0,6772 0,4233 0,3386 0,3033 0,2939
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
150
Menge (mehrere 1)
33mOhm 20A 50W TO252 TECH PUBLIC 60V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V THT
NTS4173PT1G P-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 280 mOhm; 1,2A; 290 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TNTS4173pt1g Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
NTS4173PT1G RoHS || NTS4173PT1G SOT323
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer:
NTS4173PT1G RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT323 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
2795 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,3151 0,1674 0,1298 0,1197 0,1148
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
280mOhm 1,2A 290mW SOT323 ON SEMICONDUCTOR 30V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
SI2301CDS-T1-GE3 P-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 142 mOhm; 3.1A; 1,6 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI2301CDS-T1-GE3; SI2301CDS-T1-E3; SI2301CDS SOT23 VISHAY;
Micros Symbol: TSI2301cds Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
SI2301CDS-T1-GE3 RoHS || SI2301CDS-T1-GE3 SOT23
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer:
SI2301CDS-T1-GE3 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
4600 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,2657 0,1467 0,0974 0,0814 0,0757
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
142mOhm 3,1A 1,6W SOT23 VISHAY 20V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 8V SMD
SI2304DDS N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 3,3A; 60mOhm; -/+20V; 1,1 W; -55°C~150°C; Äquivalent: SI2304DDS-T1-GE3;
Micros Symbol: TSI2304dds Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
SI2304DDS-T1-GE3 RoHS || SI2304DDS SOT23
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer:
SI2304DDS-T1-GE3 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
500 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,2916 0,1561 0,1216 0,1098 0,1063
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
60mOhm 3,3A 1,1W SOT23 VISHAY 30V N-MOSFET 10V -55°C ~ 150°C 20V SMD
SI2308BDS Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 105mOhm; 3A; 350mW; -55°C~150°C; Substitute: SI2308BDS-VB; SI2308BDS-T1-E3; SI2308BDS-T1-BE3; SI2308BDS-T1-GE3; SI2308BDS-T1-GE3-VB;
Micros Symbol: TSI2308bds c Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
SI2308BDS RoHS E8. || SI2308BDS SOT23
Hersteller:
TECH PUBLIC Hersteller-Teilenummer:
SI2308BDS RoHS E8. Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
140 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 40+ 150+ 750+
Preis netto (EUR) 0,2587 0,1644 0,1190 0,1018 0,0938
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
150
Menge (mehrere 1)
105mOhm 3A 350mW SOT23 TECH PUBLIC 60V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
AS3400 N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 51mOhm; 5,6A; 1,2 W; -55°C~150°C;
Micros Symbol: TSI3400 ANB Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
AS3400 RoHS || AS3400 SOT23
Hersteller:
AnBon Hersteller-Teilenummer:
AS3400 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1630 0,0774 0,0435 0,0332 0,0296
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
51mOhm 5,6A 1,2W SOT23 AnBon 30V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
SI4435DDY P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 35mOhm; 11,4A; 5W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI4435DDY-T1-GE3; SI4435DDY-T1-E3; SI4435DDY-GE3;
Micros Symbol: TSI4435ddy Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
SI4435DDY-T1-GE3 RoHS || SI4435DDY SOP08
Hersteller:
Siliconix Hersteller-Teilenummer:
SI4435DDY-T1-GE3 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r  
Auf Lager:
75 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,5526 0,3080 0,2422 0,2286 0,2213
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
35mOhm 11,4A 5W SOP08 VISHAY 30V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
SI4459ADY P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 7,7 mOhm; 29A; 7,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI4459ADY-T1-E3; SI4459ADY-T1-GE3;
Micros Symbol: TSI4459ady Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
SI4459ADY-T1-GE3 RoHS || SI4459ADY SOP08
Hersteller:
Siliconix Hersteller-Teilenummer:
SI4459ADY-T1-GE3 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r  
Auf Lager:
40 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
Preis netto (EUR) 1,2016 0,8395 0,6913 0,6419 0,6325
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
30
Menge (mehrere 1)
7,7mOhm 29A 7,8W SOP08 VISHAY 30V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
SI9407BDY P-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 150 mOhm; 4,7A; 5W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI9407AEY; SI9407BDY-T1-E3; SI9407BDY-T1-GE3; SI9407BDY-GE3;
Micros Symbol: TSI9407bdy Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
SI9407BDY-T1-GE3 RoHS || SI9407BDY SOP08
Hersteller:
Siliconix Hersteller-Teilenummer:
SI9407BDY-T1-GE3 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r  
Auf Lager:
190 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 700+
Preis netto (EUR) 0,7572 0,4773 0,3762 0,3433 0,3292
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
700
Menge (mehrere 1)
150mOhm 4,7A 5W SOP08 VISHAY 60V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Siliconix Hersteller-Teilenummer:
SI9407BDY-T1-GE3 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r  
Auf Lager:
3 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 700+
Preis netto (EUR) 0,7572 0,4773 0,3762 0,3433 0,3292
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
150mOhm 4,7A 5W SOP08 VISHAY 60V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer:
SI9407BDY-T1-GE3 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
Datenblatt
Auf Lager:
14 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 700+
Preis netto (EUR) 0,7572 0,4773 0,3762 0,3433 0,3292
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
150mOhm 4,7A 5W SOP08 VISHAY 60V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
SI9433BDY P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 60mOhm; 4,5A; 1,3 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI9433BDY-E3; SI9433BDY-T1-E3; SI9433BDY-T1-GE3;
Micros Symbol: TSI9433bdy Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
SI9433BDY-T1-E3 RoHS || SI9433BDY SOP08
Hersteller:
Siliconix Hersteller-Teilenummer:
SI9433BDY-T1-E3 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r  
Auf Lager:
20 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,2745 0,9711 0,8042 0,7054 0,6702
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
60mOhm 4,5A 1,3W SOP08 VISHAY 20V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
SI9926BDY 2xN-Channel MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 30mOhm; 6,2A; 1,14 W; -55 °C ~ 150 °C; SI9926BDY-T1-E3, SI9926BDY-T1-GE3
Micros Symbol: TSI9926bdy Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
SI9926BDY-T1-E3 RoHS || SI9926BDY SOP08
Hersteller:
Siliconix Hersteller-Teilenummer:
SI9926BDY-T1-E3 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r  
Auf Lager:
200 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,6490 0,4115 0,3245 0,2963 0,2822
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
30mOhm 6,2A 1,14W SOP08 VISHAY 20V 2xN-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
SK3415 SHIKUES P-Channel-MOSFET-Transistor; 25V; 12V; 180 mOhm; 4,2A; 25 °C ~ 150 °C; Äquivalent: AO3415;
Micros Symbol: TSK3415 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
SK3415 RoHS || SK3415 SHIKUES SC59
Hersteller:
SHIKUES Hersteller-Teilenummer:
SK3415 RoHS Präzisionsgehäuse:
SC59
Datenblatt
Auf Lager:
500 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,2149 0,1086 0,0654 0,0517 0,0477
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
180mOhm 4,2A SC59 SHIKUES 25V P-MOSFET 25°C ~ 150°C 12V SMD
SKML2402 SHIKUES N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 10V; 80mOhm; 2A; 700 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLML2402TRPBF; IRLML2402GTRPBF; SP001552710; SP001572972;
Micros Symbol: TSKML2402 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
SKML2402 RoHS || SKML2402 SHIKUES SOT23
Hersteller:
SHIKUES Hersteller-Teilenummer:
SKML2402 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
500 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,2173 0,1028 0,0576 0,0435 0,0395
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
80mOhm 2A 700mW SOT23 SHIKUES 20V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 10V SMD
SKQ50N03BD SHIKUES N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 8mOhm; 50A; 30W; -55 °C ~ 175 °C;
Micros Symbol: TSKQ50N03bd Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
SKQ50N03BD RoHS || SKQ50N03BD SHIKUES DFN08(3.3x3.3)
Hersteller:
SHIKUES Hersteller-Teilenummer:
SKQ50N03BD RoHS Präzisionsgehäuse:
DFN08(3.3x3.3)
Datenblatt
Auf Lager:
200 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,3057 0,1945 0,1364 0,1183 0,1108
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
8mOhm 50A 30W DFN08(3.3x3.3) SHIKUES 30V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
STF14NM50N N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 25V; 320 mOhm; 12A; 25W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TSTF14NM50n Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
STF14NM50N RoHS || STF14NM50N TO220iso
Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer:
STF14NM50N RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220iso
Datenblatt
Auf Lager:
50 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,5943 1,2721 1,0887 0,9782 0,9382
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
320mOhm 12A 25W TO220iso STMicroelectronics 500V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 25V THT
STN1HNK60 N-MOSFET-Transistor; 600V; 600V; 30V; 8,5 Ohm; 400mA; 3,3 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TSTN1HNK60 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
STN1HNK60 RoHS || STN1HNK60 SOT223
Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer:
STN1HNK60 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r
Datenblatt
Auf Lager:
250 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 300+ 1200+
Preis netto (EUR) 0,4515 0,2751 0,2112 0,1874 0,1808
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
300
Menge (mehrere 1)
8,5Ohm 400mA 3,3W SOT223 STMicroelectronics 600V N-MOSFET 600V -55°C ~ 150°C 30V SMD
STN3NF06L N-MOSFET-Transistor; 60V; 16V; 120 mOhm; 4A; 3,3 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TSTN3nf06l Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
STN3NF06L RoHS || STN3NF06L SOT223
Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer:
STN3NF06L RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r
Datenblatt
Auf Lager:
80 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,6866 0,4350 0,3433 0,3127 0,2986
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
120mOhm 4A 3,3W SOT223 STMicroelectronics 60V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 16V SMD
STW70N60M2 N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 25V; 40mOhm; 68A; 450 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TSTW70N60M2 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
STW70N60M2 RoHS || STW70N60M2 TO247
Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer:
STW70N60M2 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO247
Datenblatt
Auf Lager:
28 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
Preis netto (EUR) 7,0026 6,5770 6,3089 6,1702 6,0902
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
30
Menge (mehrere 1)
40mOhm 68A 450W TO247 STMicroelectronics 650V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 25V THT
STW88N65M5 N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 25V; 29mOhm; 84A; 450 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TSTW88N65M5 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
STW88N65M5 RoHS || STW88N65M5 TO247
Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer:
STW88N65M5 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO247
Datenblatt
Auf Lager:
5 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 10+ 20+ 40+
Preis netto (EUR) 12,9541 12,2017 12,0135 11,8772 11,7760
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
5
Menge (mehrere 1)
29mOhm 84A 450W TO247 STMicroelectronics 650V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 25V THT
SUM90P10-19L-E3 P-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 21mOhm; 90A; 375W; -55°C ~ 175°C;
Micros Symbol: TSUM90P10-19l Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
SUM90P10-19L-E3 RoHS || SUM90P10-19L-E3 TO263 (D2PAK)
Hersteller:
Siliconix Hersteller-Teilenummer:
SUM90P10-19L-E3 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO263t/r (D2PAK)  
Auf Lager:
10 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 96+
Preis netto (EUR) 3,1862 2,8311 2,6172 2,5113 2,4502
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
96
Menge (mehrere 1)
21mOhm 90A 375W TO263 (D2PAK) VISHAY 100V P-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
2N3055 NPN 15A 60V 115W 1MHz NPN 15A 60V 115W 1MHz
Micros Symbol: T2N3055 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
2N3055 RoHS || 2N3055 TO 3
Hersteller:
ARK Hersteller-Teilenummer:
2N3055 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO 3  
Auf Lager:
960 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 50+ 250+
Preis netto (EUR) 0,9782 0,6466 0,5338 0,4962 0,4656
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50/250/1000
Menge (mehrere 1)
TO 3 115W 70 3MHz 15A 60V NPN
                                                     
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-12-30
Anzahl der Stücke: 2000
                                               
WPM2015 SOT23 P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; +/-8V; 2,4A; 110mOhm; 1,1 W; -55°C~150°C; Äquivalent: HXY MOSFET WPM2015; WILLSEMI WPM2015-3/TR; VBSEMI WPM2015-3/TR; WPM2015-HXY;
Micros Symbol: TWPM2015 c Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
WPM2015-HXY RoHS || WPM2015-3/TR RoHS || WPM2015 SOT23 SOT23
Hersteller:
HXY MOSFET Hersteller-Teilenummer:
WPM2015-HXY RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
300 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2074 0,1039 0,0618 0,0513 0,0461
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
300
Menge (mehrere 1)
110mOhm 2,4A 1,1W SOT23 KUU 20V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 8V SMD
 
Hersteller:
kuu semiconductor Hersteller-Teilenummer:
WPM2015-3/TR RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
300 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 300+ 1500+
Preis netto (EUR) 0,1966 0,0926 0,0517 0,0414 0,0357
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
300
Menge (mehrere 1)
110mOhm 2,4A 1,1W SOT23 KUU 20V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 8V SMD
2N3055 TO3 CDIL NPN 60V 15A 115W NPN 60V 15A 115W
Micros Symbol: T2N3055 cdil Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
2N3055 RoHS || 2N3055 TO3 CDIL TO 3
Hersteller:
CDIL Hersteller-Teilenummer:
2N3055 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO 3
Datenblatt
Auf Lager:
350 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 25+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 1,1569 0,8112 0,6772 0,6302 0,6090
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
25/100/500
Menge (mehrere 1)
TO 3 CDIL 115W 80 2,5MHz 15A 100V NPN -65°C ~ 200°C
2N3055 TO247 LGE Transistor NPN; 70; 100V; 70V; 2,5MHz; 15A; 115W; -65°C~200°C; Transistor NPN; 70; 100V; 70V; 2,5MHz; 15A; 115W; -65°C~200°C;
Micros Symbol: T2N3055 to247 LGE Infos Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
2N3055 TO-3P RoHS || 2N3055 TO247 LGE TO247
Hersteller:
LGE Hersteller-Teilenummer:
2N3055 TO-3P RoHS Präzisionsgehäuse:
TO247  
Auf Lager:
5087 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 30+ 90+ 450+
Preis netto (EUR) 0,8841 0,5879 0,4703 0,4397 0,4209
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
30
Menge (mehrere 1)
TO3 LGE 115W 70 2,5MHz 15A 70V NPN -65°C ~ 200°C
1    8  9  10  11  12  13  14  15  16    337