Transistoren (Ergebnisse: 10480)

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Max. Kollektor-Strom
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Max. Gate-Source Spannung
Kollektor-Emitter-Spannung
Montage
Gate - Emitter Spannung
Transistorsysteme [J/N]
BC108A Transistor NPN; Bipolar; 220; 45V; 150MHz; 200mA; 300mW; -55°C~150°C; Ersatz: BC108A-CDI; BC108A;
Micros Symbol: TBC108a Infos
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BC108A RoHS || BC108A TO 18
Hersteller:
CDIL Hersteller-Teilenummer:
BC108A RoHS Präzisionsgehäuse:
TO 18
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790 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,5343 0,3225 0,2495 0,2243 0,2135
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1000
Menge (mehrere 1)
TO 18 CDIL 300mW 220 150MHz 200mA 45V NPN -65°C ~ 200°C
MMBT5551 Transistor NPN; Bipolar; 300; 160V; 6V; 300MHz 600mA; 300mW; -55°C~150°C; Ersatz: MMBT5551-LGE; MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; TCMBT5551; CMBT5551;
Micros Symbol: TMMBT5551 MDD Infos
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MMBT5551 RoHS || MMBT5551 SOT23
Hersteller:
MDD(Microdiode Electronics) Hersteller-Teilenummer:
MMBT5551 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
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9000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Preis netto (EUR) 0,0756 0,0290 0,0142 0,0113 0,0108
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3000/15000
Menge (mehrere 10)
SOT23 MDD 300mW 300 300MHz 600mA 160V NPN -55°C ~ 150°C
BGN40Q120SD BYD IGBT-Transistor ; 1200V; 20V; 80A; 160A; 428W; 5,0 V ~ 7,0 V; 142 nC; -40°C~175°C;
Micros Symbol: TBGN40q120 Infos
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BGN40Q120 RoHS || BGN40Q120SD BYD TO247
Hersteller:
BYD Hersteller-Teilenummer:
BGN40Q120 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO247
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10 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
Preis netto (EUR) 3,3636 2,9870 2,7634 2,6504 2,5869
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30
Menge (mehrere 1)
TO247 BYD 142nC 428W 80A 160A 5,0V ~ 7,0V -40°C ~ 175°C 1200V THT 20V
BDW93CFP Transistor NPN; 20000; 33W, 100V; 12A, -65°C ~ 150°C;
Micros Symbol: TBDW93cfp Infos
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BDW93CFP RoHS || BDW93CFP TO220FP
Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer:
BDW93CFP RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220FP
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Auf Lager:
90 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 50+ 100+ 500+
Preis netto (EUR) 1,0239 0,6803 0,5249 0,5084 0,4872
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50/500
Menge (mehrere 1)
TO220FP ST 33W 20000 12A 100V NPN -65°C ~ 150°C
S8050 MDD(MICRODIODE) Transistor NPN; Bipolar; 400; 25V; 5V; 150MHz; 500mA; 300mW; -55°C~150°C; MOSLEADER S8050-ML; KST8050S;
Micros Symbol: TS8050 MDD Infos
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S8050 RoHS || S8050 MDD(MICRODIODE) SOT23
Hersteller:
MDD(Microdiode Electronics) Hersteller-Teilenummer:
S8050 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
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8980 Stk.
Anzahl der Stücke 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
Preis netto (EUR) 0,0424 0,0154 0,0082 0,0061 0,0056
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
SOT23 MDD 300mW 400 150MHz 500mA 25V NPN -55°C ~ 150°C
S8550 China Transistor PNP; Bipolar; 400; -25V; -5V; 150MHz; -500mA; 300mW; -55°C~150°C; MOSLEADER S8550-ML; KST8550S;
Micros Symbol: TS8550 MDD Infos
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S8550 RoHS || S8550 China SOT23
Hersteller:
MDD(Microdiode Electronics) Hersteller-Teilenummer:
S8550 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
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Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
Preis netto (EUR) 0,0435 0,0163 0,0087 0,0065 0,0060
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
SOT23 MDD 300mW 400 150MHz -500mA -25V PNP -55°C ~ 150°C
CXG40N65HSEU CREATEK IGBT-Transistor ; 650V; 30V; 80A; 160A; 312W; 4,0V~5,5V; 142nC; -55°C~150°C;
Micros Symbol: TCXG40n65hseu Infos
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CXG40N65HSEU RoHS || CXG40N65HSEU CREATEK TO247
Hersteller:
Createk Microelectronics Hersteller-Teilenummer:
CXG40N65HSEU RoHS Präzisionsgehäuse:
TO247
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30 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
Preis netto (EUR) 2,0455 1,6241 1,4405 1,3770 1,3629
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Standard-Verpackung:
30
Menge (mehrere 1)
TO247 CREATEK 142nC 312W 80A 160A 4V ~ 5,5V -55°C ~ 150°C 650V THT 30V
CXG40S120H CREATEK IGBT-Transistor ; 1200V; 30V; 80A; 160A; 378W; 4,5V~5,5V; 230nC; -55°C~150°C;
Micros Symbol: TCXG40s120h Infos
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CXG40S120H RoHS || CXG40S120H CREATEK TO247
Hersteller:
Createk Microelectronics Hersteller-Teilenummer:
CXG40S120H RoHS Präzisionsgehäuse:
TO247
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Auf Lager:
30 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
Preis netto (EUR) 2,9635 2,5468 2,3020 2,1820 2,1161
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Standard-Verpackung:
30
Menge (mehrere 1)
TO247 CREATEK 230nC 378W 80A 160A 4,5V ~ 5,5V -55°C ~ 150°C 1200V THT 30V
CXG50N65HSEU CREATEK IGBT-Transistor ; 650V; 30V; 100A; 200A; 378W; 4,0V~5,5V; 200nC; -55°C~150°C;
Micros Symbol: TCXG50n65hseu Infos
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CXG50N65HSEU RoHS || CXG50N65HSEU CREATEK TO247
Hersteller:
Createk Microelectronics Hersteller-Teilenummer:
CXG50N65HSEU RoHS Präzisionsgehäuse:
TO247
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Auf Lager:
30 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
Preis netto (EUR) 2,3632 1,8760 1,6642 1,5912 1,5747
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Standard-Verpackung:
30
Menge (mehrere 1)
TO247 CREATEK 200nC 378W 100A 200A 4V ~ 5,5V -55°C ~ 150°C 650V THT 30V
S9013 (J3) Transistor NPN; Bipolar; 400; 25V; 5V; 150MHz; 500mA; 300mW; -55°C~150°C; S9013-L-YAN; S9013-H-YAN; MOSLEADER S9013-ML;
Micros Symbol: TS9013 MDD Infos
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S9013 RoHS || S9013 (J3) SOT23
Hersteller:
MDD(Microdiode Electronics) Hersteller-Teilenummer:
S9013 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
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Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
Preis netto (EUR) 0,0506 0,0189 0,0101 0,0076 0,0070
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
SOT23 MDD 300mW 400 150MHz 500mA 25V NPN -55°C ~ 150°C
CXG60N65HSE CREATEK IGBT-Transistor ; 650V; 30V; 120A; 240A; 378W; 4,0V~5,5V; 210nC; -55°C~150°C;
Micros Symbol: TCXG60n65hse Infos
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CXG60N65HSE RoHS || CXG60N65HSE CREATEK TO247
Hersteller:
Createk Microelectronics Hersteller-Teilenummer:
CXG60N65HSE RoHS Präzisionsgehäuse:
TO247
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Auf Lager:
30 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
Preis netto (EUR) 2,4692 1,9584 1,7395 1,6618 1,6453
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Standard-Verpackung:
30
Menge (mehrere 1)
TO247 CREATEK 210nC 378W 120A 240A 4V ~ 5,5V -55°C ~ 150°C 650V THT 30V
CXG75N65HS CREATEK IGBT-Transistor ; 650V; 30V; 150A; 300A; 625W; 4,0V~5,5V; 340nC; -55°C~150°C;
Micros Symbol: TCXG75n65hs Infos
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CXG75N65HS RoHS || CXG75N65HS CREATEK TO247
Hersteller:
Createk Microelectronics Hersteller-Teilenummer:
CXG75N65HS RoHS Präzisionsgehäuse:
TO247
Datenblatt
Auf Lager:
30 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
Preis netto (EUR) 2,9635 2,5468 2,3020 2,1820 2,1161
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Standard-Verpackung:
30
Menge (mehrere 1)
TO247 CREATEK 340nC 625W 150A 300A 4V ~ 5,5V -55°C ~ 150°C 650V THT 30V
SS8050 SOT23 Transistor NPN; Bipolar; 400; 25V; 5V; 100MHz; 1,5A; 300mW; -55°C~150°C; KST8550; MOSLEADER SS8050-ML;
Micros Symbol: TSS8050 MDD Infos
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SS8050 RoHS || SS8050 SOT23 SOT23
Hersteller:
MDD(Microdiode Electronics) Hersteller-Teilenummer:
SS8050 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
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Auf Lager:
6000 Stk.
Anzahl der Stücke 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
Preis netto (EUR) 0,0527 0,0197 0,0106 0,0079 0,0073
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
SOT23 MDD 300mW 400 100MHz 1,5A 25V NPN -55°C ~ 150°C
SS8550 SOT-23 MDD(MICRODIODE) MDD Transistor PNP; Bipolar; 400; -25V; -5V; 100MHz; 1,5A; 300mW; -55°C~150°C; MOSLEADER SS8550-ML; SS8550-D;
Micros Symbol: TSS8550 MDD Infos
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SS8550 RoHS || SS8550 SOT-23 MDD(MICRODIODE) MDD SOT23
Hersteller:
MDD(Microdiode Electronics) Hersteller-Teilenummer:
SS8550 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
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Auf Lager:
6000 Stk.
Anzahl der Stücke 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
Preis netto (EUR) 0,0598 0,0224 0,0120 0,0090 0,0083
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
SOT23 MDD 300mW 400 100MHz 1,5A -25V PNP -55°C ~ 150°C
DGC40F120M2 DONGHAI IGBT-Transistor ; 1200V; 30V; 80A; 160A; 388W; 4,5V~6,5V; 198nC; -45°C~175°C;
Micros Symbol: TDGC40f120m2 Infos
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DGC40F120M2 RoHS || DGC40F120M2 DONGHAI TO247
Hersteller:
WXDH Hersteller-Teilenummer:
DGC40F120M2 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO247
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Auf Lager:
50 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 30+ 60+ 240+
Preis netto (EUR) 3,1612 2,6057 2,3585 2,3115 2,2573
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Standard-Verpackung:
30/60
Menge (mehrere 1)
TO247 Donghai 198nC 388W 80A 160A 4,5V ~ 6,5V -45°C ~ 175°C 1200V THT 30V
DGC40H65M2 DONGHAI IGBT-Transistor ; 650V; 30V; 80A; 160A; 280W; 5,0V~7,0V; 84nC; -45°C~175°C;
Micros Symbol: TDGC40f65m Infos
Datenblatt
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DGC40H65M2 RoHS || DGC40H65M2 DONGHAI TO247
Hersteller:
WXDH Hersteller-Teilenummer:
DGC40H65M2 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO247
Datenblatt
Auf Lager:
120 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 30+ 120+ 240+
Preis netto (EUR) 1,9160 1,4194 1,2099 1,1440 1,1275
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Standard-Verpackung:
30/120
Menge (mehrere 1)
TO247 Donghai 84nC 280W 80A 160A 5,0V ~ 7,0V -45°C ~ 175°C 650V THT 30V
DGC60F65M DONGHAI IGBT-Transistor ; 650V; 30V; 120A; 180A; 428W; 5,0V~7,0V; 106nC; -45°C~175°C;
Micros Symbol: TDGC60f65m Infos
Datenblatt
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DGC60F65M RoHS || DGC60F65M DONGHAI TO247
Hersteller:
WXDH Hersteller-Teilenummer:
DGC60F65M RoHS Präzisionsgehäuse:
TO247
Datenblatt
Auf Lager:
50 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 30+ 60+ 300+
Preis netto (EUR) 2,4339 1,9325 1,7136 1,6736 1,6218
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Standard-Verpackung:
30/60
Menge (mehrere 1)
TO247 Donghai 106nC 428W 120A 180A 5,0V ~ 7,0V -45°C ~ 175°C 650V THT 30V
DGC75F65M DONGHAI IGBT-Transistor ; 650V; 30V; 150A; 300A; 440W; 4,5V~7,0V; 187nC; -45°C~175°C;
Micros Symbol: TDGC75f65m Infos
Datenblatt
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DGC75F65M RoHS || DGC75F65M DONGHAI TO247
Hersteller:
WXDH Hersteller-Teilenummer:
DGC75F65M RoHS Präzisionsgehäuse:
TO247
Datenblatt
Auf Lager:
60 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 30+ 60+ 240+
Preis netto (EUR) 2,6010 2,1443 1,9419 1,9019 1,8572
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Standard-Verpackung:
30/60
Menge (mehrere 1)
TO247 Donghai 187nC 440W 150A 300A 4,5V ~ 7,0V -45°C ~ 175°C 650V THT 30V
BC857BS-QX TRANS PREBIAS NPN/PNP Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Micros Symbol: TBC857BS-QX Infos
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BC857BS-QX RoHS || BC857BS-QX SOT363
Hersteller:
NXP Hersteller-Teilenummer:
BC857BS-QX RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT363 t/r  
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,3437 0,1888 0,1485 0,1375 0,1318
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
SOT363 NXP 250mW 450 100MHz 100mA 45V PNP -65°C ~ 150°C
DGCP120F65M2 DONGHAI IGBT-Transistor ; 650V; 30V; 160A; 360A; 500W; 4,0V~6,5V; 300nC; -55°C~175°C;
Micros Symbol: TDGC100f65m Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
DGCP120F65M2 RoHS || DGCP120F65M2 DONGHAI TO247Plus
Hersteller:
WXDH Hersteller-Teilenummer:
DGCP120F65M2 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO247Plus
Datenblatt
Auf Lager:
30 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
Preis netto (EUR) 4,5876 4,0745 3,7685 3,6155 3,5284
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Standard-Verpackung:
30
Menge (mehrere 1)
TO247Plus-3L Donghai 300nC 500W 160A 360A 4,0V ~ 6,5V -55°C ~ 175°C 650V THT 30V
BC857S LMSEMI 2xPNP-Transistor; 630; 300mW, 45V; 200mA; 200MHz, -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BC857SE6327BTSA1; BC857SE6433HTMA1; BC857SH6327XTSA1; BC857SH6433XTMA1; BC857SH6794XTSA1; BC857SH6827XTSA1; BC857SH RFG; BC857S-TP;
Micros Symbol: TBC857s LMS Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
BC857S RoHS 3C || BC857S LMSEMI SOT363
Hersteller:
LMSEMI Hersteller-Teilenummer:
BC857S RoHS 3C Präzisionsgehäuse:
SOT363 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Preis netto (EUR) 0,0805 0,0311 0,0152 0,0121 0,0115
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
SOT363 LMSEMI 300mW 630 200MHz 200mA 45V 2xPNP -55°C ~ 150°C
BC857S MERRY 2xPNP-Transistor; 630; 300mW, 45V; 200mA; 200MHz, -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BC857SE6327BTSA1; BC857SE6433HTMA1; BC857SH6327XTSA1; BC857SH6433XTMA1; BC857SH6794XTSA1; BC857SH6827XTSA1; BC857SH RFG; BC857S-TP;
Micros Symbol: TBC857s MER Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
BC857S RoHS || BC857S MERRY SOT363
Hersteller:
MERRY Hersteller-Teilenummer:
BC857S RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT363 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,0843 0,0332 0,0194 0,0142 0,0129
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
SOT363 MERRY 300mW 630 200MHz 200mA 45V 2xPNP -55°C ~ 150°C
BC857S SHIKUES 2xPNP-Transistor; 800; 300mW; 50V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BC857SE6327BTSA1; BC857SE6433HTMA1; BC857SH6327XTSA1; BC857SH6433XTMA1; BC857SH6794XTSA1; BC857SH6827XTSA1; BC857SH RFG; BC857S-TP;
Micros Symbol: TBC857s SHK Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
BC857S RoHS || BC857S SHIKUES SOT363
Hersteller:
SHIKUES Hersteller-Teilenummer:
BC857S RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT363 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,0949 0,0374 0,0218 0,0160 0,0146
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
SOT363 SHIKUES 300mW 800 100MHz 100mA 50V 2xPNP -55°C ~ 150°C
DGF30F65M2 DONGHAI IGBT-Transistor ; 650V; 30V; 60A; 180A; 60W; 5,0V~7,0V; 48nC; -45°C~175°C;
Micros Symbol: TDGF25f65m Infos
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DGF30F65M2 RoHS || DGF30F65M2 DONGHAI TO220iso
Hersteller:
WXDH Hersteller-Teilenummer:
DGF30F65M2 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220iso
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Auf Lager:
90 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 50+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 1,2475 0,8733 0,6991 0,6779 0,6567
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Standard-Verpackung:
50/100
Menge (mehrere 1)
TO220iso Donghai 48nC 60W 60A 180A 5,0V ~ 7,0V -45°C ~ 175°C 650V THT 30V
DHG25T120 DONGHAI IGBT-Transistor ; 1200V; 20V; 50A; 75A; 278W; 4,5V~7,0V; 141nC; -55°C~150°C;
Micros Symbol: TDGC25f120m2 Infos
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G25T120D RoHS || DHG25T120 DONGHAI TO247
Hersteller:
WXDH Hersteller-Teilenummer:
G25T120D RoHS Präzisionsgehäuse:
TO247
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Auf Lager:
84 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 25+ 100+ 300+
Preis netto (EUR) 1,9749 1,5676 1,4005 1,3393 1,3158
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Standard-Verpackung:
25/100
Menge (mehrere 1)
TO247 Donghai 141nC 278W 50A 75A 4,5V ~ 7,0V -55°C ~ 150°C 1200V THT 20V
DGN30F65M2 DONGHAI IGBT-Transistor ; 650V; 30V; 60A; 180A; 230W; 5,0V~7,0V; 48nC; -45°C~175°C;
Micros Symbol: TDGC30f65m Infos
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DGN30F65M2 RoHS || DGN30F65M2 DONGHAI TO 3PN
Hersteller:
WXDH Hersteller-Teilenummer:
DGN30F65M2 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO 3PN
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Auf Lager:
60 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 30+ 60+ 300+
Preis netto (EUR) 1,5159 1,0592 0,8709 0,8380 0,7979
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Standard-Verpackung:
30/60
Menge (mehrere 1)
TO 3PN Donghai 48nC 230W 60A 180A 5,0V ~ 7,0V -45°C ~ 175°C 650V THT 30V
SL15T120FL SLKOR IGBT-Transistor ; 1200V; 30V; 30A; 40A; 125W; 4,5V~6,5V; 70nC; -55°C~150°C;
Micros Symbol: TSL15t120fl Infos
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SL15T120FL RoHS || SL15T120FL SLKOR TO247
Hersteller:
SLKOR Hersteller-Teilenummer:
SL15T120FL RoHS Präzisionsgehäuse:
TO247
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Auf Lager:
30 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
Preis netto (EUR) 1,7654 1,3087 1,1157 1,0522 1,0380
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Standard-Verpackung:
30
Menge (mehrere 1)
TO247 SLKOR 70nC 125W 30A 40A 4,5V ~ 6,5V -55°C ~ 150°C 1200V THT 30V
SL15T65FF SLKOR IGBT-Transistor ; 650V; 20V; 30A; 60A; 48W; 4,5V~6,5V; 61nC; -40°C~175°C;
Micros Symbol: TSL15t65ff Infos
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SL15T65FF RoHS || SL15T65FF SLKOR TO220iso
Hersteller:
SLKOR Hersteller-Teilenummer:
SL15T65FF RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220iso
Datenblatt
Auf Lager:
100 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,1322 0,8309 0,6661 0,5720 0,5390
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
TO220iso SLKOR 61nC 48W 30A 60A 4,5V ~ 6,5V -40°C ~ 175°C 650V THT 20V
YJL05N04C Transistor N-Kanal MOSFET; 40V; 20V; 50mOhm; 5A; 1,2W; -55°C~150°C; YJL05N04A IS EOL; REPLACEMENT: YJL05N04C.
Micros Symbol: TYJL05N04C Infos
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YJL05N04C-F2-0000HF RoHS || YJL05N04C SOT23
Hersteller:
YY Hersteller-Teilenummer:
YJL05N04C-F2-0000HF RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
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Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1118 0,0440 0,0257 0,0188 0,0172
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
50mOhm 5A 1,2W SOT23 YY 40V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
YJL03N06C Transistor N-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 95mOhm; 3A; 1,2W; -55°C~150°C; YJL03N06A IS EOL; REPLACEMENT: YJL03N06C.
Micros Symbol: TYJL03N06C Infos
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YJL03N06C-F2-0000HF RoHS || YJL03N06C SOT23
Hersteller:
YY Hersteller-Teilenummer:
YJL03N06C-F2-0000HF RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1085 0,0497 0,0271 0,0202 0,0181
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
95mOhm 3A 1,2W SOT23 YY 60V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
1    8  9  10  11  12  13  14  15  16    350