Transistoren (Ergebnisse: 10559)

1    8  9  10  11  12  13  14  15  16    352
Produkt Warenkorb
Widerstand im offenen Kanal
Max. Drainstrom
Maximaler Leistungsverlust
Gehäuse
Hersteller
Verlustleistung
Stromverstärkungsfaktor
Gate-Ladung
Grenzfrequenz
Maximale Verlustleistung
Max. Drain-Source Spannung
Max. Kollektor-Strom [A]
Max. Kollektor-Emitter-Spannung
Max. Kollektor-Strom
Max. Kollektor-Strom im Impuls
Vorwärtsspannung [Vgeth]
Transistor-Typ
Msx. Drain-Gate Spannung
Betriebstemperatur (Bereich)
Max. Gate-Source Spannung
Kollektor-Emitter-Spannung
Montage
Gate - Emitter Spannung
Transistorsysteme [J/N]
2SA1943 2-21F1A OSEN Transistor PNP; 160; 150W; 230V; 15A; 30MHz; -55°C ~ 150°C;
2SA1943 2-21F1A RoHS || 2SA1943 2-21F1A OSEN 2-21F1A
Hersteller:
OSEN
Hersteller-Teilenummer:
2SA1943 2-21F1A RoHS
Präzisionsgehäuse:
2-21F1A
 
Auf Lager:
25 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 25+ 100+ 300+
Preis netto (EUR) 1,6292 1,2089 1,0413 0,9823 0,9587
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
25
Menge (mehrere 1)
BC857C SOT23 HT SEMI Transistor PNP; 800; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; BC857C;
BC857C RoHS 3G || BC857C SOT23 HT SEMI SOT23
Hersteller:
HT SEMI
Hersteller-Teilenummer:
BC857C RoHS 3G
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
27000 Stk.
Anzahl der Stücke 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
Preis netto (EUR) 0,0408 0,0149 0,0079 0,0059 0,0055
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000/30000
Menge (mehrere 10)
SOT23 HT 200mW 800 100MHz 100mA 45V PNP -65°C ~ 150°C
2SA720 ZEHUA PNP-Transistor; 340; 625mW; 50V; 500mA; 200MHz; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: 2SA720-LGE;
2SA720 RoHS || 2SA720 ZEHUA TO92
Hersteller:
ZEHUA
Hersteller-Teilenummer:
2SA720 RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO92bul
Datenblatt
Auf Lager:
2000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
Preis netto (EUR) 0,1063 0,0406 0,0229 0,0189 0,0177
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
1000
Menge (mehrere 1)
TO92 ZEHUA 625mW 340 200MHz 500mA 50V PNP -55°C ~ 150°C
2SA720 TO92 LGE Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0,5A; 0,625W; TO92 2SA720-LGE;
2SA720 RoHS || 2SA720 TO92 LGE TO92
Hersteller:
LGE
Hersteller-Teilenummer:
2SA720 RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO92
Datenblatt
Auf Lager:
1000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
Preis netto (EUR) 0,1174 0,0449 0,0253 0,0209 0,0196
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
1000
Menge (mehrere 1)
TO92 LGE 625mW 340 200MHz 500mA 50V PNP -55°C ~ 150°C
BC108A Transistor NPN; Bipolar; 220; 45V; 150MHz; 200mA; 300mW; -55°C~150°C; Ersatz: BC108A-CDI; BC108A;
BC108A RoHS || BC108A TO 18
Hersteller:
CDIL
Hersteller-Teilenummer:
BC108A RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO 18
Datenblatt
Auf Lager:
790 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,5360 0,3235 0,2503 0,2250 0,2142
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
1000
Menge (mehrere 1)
TO 18 CDIL 300mW 220 150MHz 200mA 45V NPN -65°C ~ 200°C
MMBT5551 Transistor NPN; Bipolar; 300; 160V; 6V; 300MHz 600mA; 300mW; -55°C~150°C; Ersatz: MMBT5551-LGE; MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; TCMBT5551; CMBT5551;
MMBT5551 RoHS || MMBT5551 SOT23
Hersteller:
MDD(Microdiode Electronics)
Hersteller-Teilenummer:
MMBT5551 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
9000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Preis netto (EUR) 0,0758 0,0290 0,0142 0,0113 0,0108
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000/15000
Menge (mehrere 10)
SOT23 MDD 300mW 300 300MHz 600mA 160V NPN -55°C ~ 150°C
BGN40Q120SD BYD IGBT-Transistor ; 1200V; 20V; 80A; 160A; 428W; 5,0 V ~ 7,0 V; 142 nC; -40°C~175°C;
BGN40Q120 RoHS || BGN40Q120SD BYD TO247
Hersteller:
BYD
Hersteller-Teilenummer:
BGN40Q120 RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO247
Datenblatt
Auf Lager:
10 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
Preis netto (EUR) 3,3742 2,9964 2,7721 2,6587 2,5950
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
30
Menge (mehrere 1)
TO247 BYD 142nC 428W 80A 160A 5,0V ~ 7,0V -40°C ~ 175°C 1200V THT 20V
BDW93CFP Trans Darlington NPN 100V 12A 33000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
BDW93CFP RoHS || BDW93CFP || BDW93CFP TO220FP
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
BDW93CFP RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO220FP
Datenblatt
Auf Lager:
100 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 50+ 100+ 500+
Preis netto (EUR) 1,0271 0,6824 0,5266 0,5100 0,4888
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50/500
Menge (mehrere 1)
 
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
BDW93CFP
Präzisionsgehäuse:
TO220FP
 
Externes Lager:
16552 Stk.
Anzahl der Stücke 350+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Preis netto (EUR) 0,4888
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
 
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
BDW93CFP
Präzisionsgehäuse:
TO220FP
 
Externes Lager:
8773 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Preis netto (EUR) 0,4888
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
S8050 MDD(MICRODIODE) Transistor NPN; Bipolar; 400; 25V; 5V; 150MHz; 500mA; 300mW; -55°C~150°C; MOSLEADER S8050-ML; KST8050S;
S8050 RoHS || S8050 MDD(MICRODIODE) SOT23
Hersteller:
MDD(Microdiode Electronics)
Hersteller-Teilenummer:
S8050 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
8980 Stk.
Anzahl der Stücke 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
Preis netto (EUR) 0,0425 0,0155 0,0082 0,0061 0,0057
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
SOT23 MDD 300mW 400 150MHz 500mA 25V NPN -55°C ~ 150°C
S8550 China Transistor PNP; Bipolar; 400; -25V; -5V; 150MHz; -500mA; 300mW; -55°C~150°C; MOSLEADER S8550-ML; KST8550S;
S8550 RoHS || S8550 China SOT23
Hersteller:
MDD(Microdiode Electronics)
Hersteller-Teilenummer:
S8550 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
Preis netto (EUR) 0,0437 0,0163 0,0087 0,0065 0,0060
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
SOT23 MDD 300mW 400 150MHz -500mA -25V PNP -55°C ~ 150°C
CXG40N65HSEU CREATEK IGBT-Transistor ; 650V; 30V; 80A; 160A; 312W; 4,0V~5,5V; 142nC; -55°C~150°C;
CXG40N65HSEU RoHS || CXG40N65HSEU CREATEK TO247
Hersteller:
Createk Microelectronics
Hersteller-Teilenummer:
CXG40N65HSEU RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO247
Datenblatt
Auf Lager:
30 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
Preis netto (EUR) 2,0519 1,6292 1,4451 1,3813 1,3671
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
30
Menge (mehrere 1)
TO247 CREATEK 142nC 312W 80A 160A 4V ~ 5,5V -55°C ~ 150°C 650V THT 30V
CXG40S120H CREATEK IGBT-Transistor ; 1200V; 30V; 80A; 160A; 378W; 4,5V~5,5V; 230nC; -55°C~150°C;
CXG40S120H RoHS || CXG40S120H CREATEK TO247
Hersteller:
Createk Microelectronics
Hersteller-Teilenummer:
CXG40S120H RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO247
Datenblatt
Auf Lager:
30 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
Preis netto (EUR) 2,9728 2,5548 2,3093 2,1889 2,1227
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
30
Menge (mehrere 1)
TO247 CREATEK 230nC 378W 80A 160A 4,5V ~ 5,5V -55°C ~ 150°C 1200V THT 30V
CXG50N65HSEU CREATEK IGBT-Transistor ; 650V; 30V; 100A; 200A; 378W; 4,0V~5,5V; 200nC; -55°C~150°C;
CXG50N65HSEU RoHS || CXG50N65HSEU CREATEK TO247
Hersteller:
Createk Microelectronics
Hersteller-Teilenummer:
CXG50N65HSEU RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO247
Datenblatt
Auf Lager:
30 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
Preis netto (EUR) 2,3707 1,8819 1,6694 1,5962 1,5797
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
30
Menge (mehrere 1)
TO247 CREATEK 200nC 378W 100A 200A 4V ~ 5,5V -55°C ~ 150°C 650V THT 30V
S9013 (J3) Transistor NPN; Bipolar; 400; 25V; 5V; 150MHz; 500mA; 300mW; -55°C~150°C; S9013-L-YAN; S9013-H-YAN; MOSLEADER S9013-ML;
S9013 RoHS || S9013 (J3) SOT23
Hersteller:
MDD(Microdiode Electronics)
Hersteller-Teilenummer:
S9013 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
Preis netto (EUR) 0,0508 0,0190 0,0102 0,0076 0,0070
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
SOT23 MDD 300mW 400 150MHz 500mA 25V NPN -55°C ~ 150°C
CXG60N65HSE CREATEK IGBT-Transistor ; 650V; 30V; 120A; 240A; 378W; 4,0V~5,5V; 210nC; -55°C~150°C;
CXG60N65HSE RoHS || CXG60N65HSE CREATEK TO247
Hersteller:
Createk Microelectronics
Hersteller-Teilenummer:
CXG60N65HSE RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO247
Datenblatt
Auf Lager:
30 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
Preis netto (EUR) 2,4769 1,9645 1,7449 1,6670 1,6505
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
30
Menge (mehrere 1)
TO247 CREATEK 210nC 378W 120A 240A 4V ~ 5,5V -55°C ~ 150°C 650V THT 30V
CXG75N65HS CREATEK IGBT-Transistor ; 650V; 30V; 150A; 300A; 625W; 4,0V~5,5V; 340nC; -55°C~150°C;
CXG75N65HS RoHS || CXG75N65HS CREATEK TO247
Hersteller:
Createk Microelectronics
Hersteller-Teilenummer:
CXG75N65HS RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO247
Datenblatt
Auf Lager:
30 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
Preis netto (EUR) 2,9728 2,5548 2,3093 2,1889 2,1227
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
30
Menge (mehrere 1)
TO247 CREATEK 340nC 625W 150A 300A 4V ~ 5,5V -55°C ~ 150°C 650V THT 30V
SS8050 SOT23 Transistor NPN; Bipolar; 400; 25V; 5V; 100MHz; 1,5A; 300mW; -55°C~150°C; KST8550; MOSLEADER SS8050-ML;
SS8050 RoHS || SS8050 SOT23 SOT23
Hersteller:
MDD(Microdiode Electronics)
Hersteller-Teilenummer:
SS8050 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
6000 Stk.
Anzahl der Stücke 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
Preis netto (EUR) 0,0529 0,0198 0,0106 0,0079 0,0073
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
SOT23 MDD 300mW 400 100MHz 1,5A 25V NPN -55°C ~ 150°C
SS8550 SOT-23 MDD(MICRODIODE) MDD Transistor PNP; Bipolar; 400; -25V; -5V; 100MHz; 1,5A; 300mW; -55°C~150°C; MOSLEADER SS8550-ML; SS8550-D;
SS8550 RoHS || SS8550 SOT-23 MDD(MICRODIODE) MDD SOT23
Hersteller:
MDD(Microdiode Electronics)
Hersteller-Teilenummer:
SS8550 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
6000 Stk.
Anzahl der Stücke 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
Preis netto (EUR) 0,0600 0,0225 0,0120 0,0090 0,0083
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
SOT23 MDD 300mW 400 100MHz 1,5A -25V PNP -55°C ~ 150°C
DGC40F120M2 DONGHAI IGBT-Transistor ; 1200V; 30V; 80A; 160A; 388W; 4,5V~6,5V; 198nC; -45°C~175°C;
DGC40F120M2 RoHS || DGC40F120M2 DONGHAI TO247
Hersteller:
WXDH
Hersteller-Teilenummer:
DGC40F120M2 RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO247
Datenblatt
Auf Lager:
50 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 30+ 60+ 240+
Preis netto (EUR) 3,1711 2,6139 2,3659 2,3187 2,2644
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
30/60
Menge (mehrere 1)
TO247 Donghai 198nC 388W 80A 160A 4,5V ~ 6,5V -45°C ~ 175°C 1200V THT 30V
DGC40H65M2 DONGHAI IGBT-Transistor ; 650V; 30V; 80A; 160A; 280W; 5,0V~7,0V; 84nC; -45°C~175°C;
DGC40H65M2 RoHS || DGC40H65M2 DONGHAI TO247
Hersteller:
WXDH
Hersteller-Teilenummer:
DGC40H65M2 RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO247
Datenblatt
Auf Lager:
120 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 30+ 120+ 240+
Preis netto (EUR) 1,9220 1,4238 1,2137 1,1476 1,1310
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
30/120
Menge (mehrere 1)
TO247 Donghai 84nC 280W 80A 160A 5,0V ~ 7,0V -45°C ~ 175°C 650V THT 30V
DGC60F65M DONGHAI IGBT-Transistor ; 650V; 30V; 120A; 180A; 428W; 5,0V~7,0V; 106nC; -45°C~175°C;
DGC60F65M RoHS || DGC60F65M DONGHAI TO247
Hersteller:
WXDH
Hersteller-Teilenummer:
DGC60F65M RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO247
Datenblatt
Auf Lager:
50 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 30+ 60+ 300+
Preis netto (EUR) 2,4415 1,9386 1,7190 1,6788 1,6269
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
30/60
Menge (mehrere 1)
TO247 Donghai 106nC 428W 120A 180A 5,0V ~ 7,0V -45°C ~ 175°C 650V THT 30V
DGC75F65M DONGHAI IGBT-Transistor ; 650V; 30V; 150A; 300A; 440W; 4,5V~7,0V; 187nC; -45°C~175°C;
DGC75F65M RoHS || DGC75F65M DONGHAI TO247
Hersteller:
WXDH
Hersteller-Teilenummer:
DGC75F65M RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO247
Datenblatt
Auf Lager:
60 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 30+ 60+ 240+
Preis netto (EUR) 2,6091 2,1511 1,9480 1,9079 1,8630
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
30/60
Menge (mehrere 1)
TO247 Donghai 187nC 440W 150A 300A 4,5V ~ 7,0V -45°C ~ 175°C 650V THT 30V
BC857BS-QX TRANS PREBIAS NPN/PNP Transistors - Bipolar (BJT) - Single
BC857BS-QX RoHS || BC857BS-QX || BC857BS-QX SOT363
Hersteller:
NXP
Hersteller-Teilenummer:
BC857BS-QX RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT363 t/r
 
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,3447 0,1894 0,1490 0,1379 0,1322
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
SOT363 NXP 250mW 450 100MHz 100mA 45V PNP -65°C ~ 150°C
 
Hersteller:
Nexperia
Hersteller-Teilenummer:
BC857BS-QX
Präzisionsgehäuse:
SOT363
 
Externes Lager:
105000 Stk.
Anzahl der Stücke 18000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Preis netto (EUR) 0,1322
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
SOT363 NXP 250mW 450 100MHz 100mA 45V PNP -65°C ~ 150°C
DGCP120F65M2 DONGHAI IGBT-Transistor ; 650V; 30V; 160A; 360A; 500W; 4,0V~6,5V; 300nC; -55°C~175°C;
DGCP120F65M2 RoHS || DGCP120F65M2 DONGHAI TO247Plus
Hersteller:
WXDH
Hersteller-Teilenummer:
DGCP120F65M2 RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO247Plus
Datenblatt
Auf Lager:
30 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
Preis netto (EUR) 4,6020 4,0873 3,7803 3,6268 3,5395
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
30
Menge (mehrere 1)
TO247Plus-3L Donghai 300nC 500W 160A 360A 4,0V ~ 6,5V -55°C ~ 175°C 650V THT 30V
BC857S LMSEMI 2xPNP-Transistor; 630; 300mW, 45V; 200mA; 200MHz, -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BC857SE6327BTSA1; BC857SE6433HTMA1; BC857SH6327XTSA1; BC857SH6433XTMA1; BC857SH6794XTSA1; BC857SH6827XTSA1; BC857SH RFG; BC857S-TP;
BC857S RoHS 3C || BC857S LMSEMI SOT363
Hersteller:
LMSEMI
Hersteller-Teilenummer:
BC857S RoHS 3C
Präzisionsgehäuse:
SOT363 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Preis netto (EUR) 0,0808 0,0312 0,0152 0,0121 0,0115
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
SOT363 LMSEMI 300mW 630 200MHz 200mA 45V 2xPNP -55°C ~ 150°C
BC857S MERRY 2xPNP-Transistor; 630; 300mW, 45V; 200mA; 200MHz, -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BC857SE6327BTSA1; BC857SE6433HTMA1; BC857SH6327XTSA1; BC857SH6433XTMA1; BC857SH6794XTSA1; BC857SH6827XTSA1; BC857SH RFG; BC857S-TP;
BC857S RoHS || BC857S MERRY SOT363
Hersteller:
MERRY
Hersteller-Teilenummer:
BC857S RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT363 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,0845 0,0333 0,0194 0,0142 0,0130
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
SOT363 MERRY 300mW 630 200MHz 200mA 45V 2xPNP -55°C ~ 150°C
BC857S SHIKUES 2xPNP-Transistor; 800; 300mW; 50V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BC857SE6327BTSA1; BC857SE6433HTMA1; BC857SH6327XTSA1; BC857SH6433XTMA1; BC857SH6794XTSA1; BC857SH6827XTSA1; BC857SH RFG; BC857S-TP;
BC857S RoHS || BC857S SHIKUES SOT363
Hersteller:
SHIKUES
Hersteller-Teilenummer:
BC857S RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT363 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,0952 0,0375 0,0219 0,0160 0,0146
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
SOT363 SHIKUES 300mW 800 100MHz 100mA 50V 2xPNP -55°C ~ 150°C
DGF30F65M2 DONGHAI IGBT-Transistor ; 650V; 30V; 60A; 180A; 60W; 5,0V~7,0V; 48nC; -45°C~175°C;
DGF30F65M2 RoHS || DGF30F65M2 DONGHAI TO220iso
Hersteller:
WXDH
Hersteller-Teilenummer:
DGF30F65M2 RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO220iso
Datenblatt
Auf Lager:
90 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 50+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 1,2514 0,8760 0,7013 0,6800 0,6588
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50/100
Menge (mehrere 1)
TO220iso Donghai 48nC 60W 60A 180A 5,0V ~ 7,0V -45°C ~ 175°C 650V THT 30V
DHG25T120 DONGHAI IGBT-Transistor ; 1200V; 20V; 50A; 75A; 278W; 4,5V~7,0V; 141nC; -55°C~150°C;
G25T120D RoHS || DHG25T120 DONGHAI TO247
Hersteller:
WXDH
Hersteller-Teilenummer:
G25T120D RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO247
Datenblatt
Auf Lager:
84 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 25+ 100+ 300+
Preis netto (EUR) 1,9811 1,5726 1,4049 1,3435 1,3199
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
25/100
Menge (mehrere 1)
TO247 Donghai 141nC 278W 50A 75A 4,5V ~ 7,0V -55°C ~ 150°C 1200V THT 20V
DGN30F65M2 DONGHAI IGBT-Transistor ; 650V; 30V; 60A; 180A; 230W; 5,0V~7,0V; 48nC; -45°C~175°C;
DGN30F65M2 RoHS || DGN30F65M2 DONGHAI TO 3PN
Hersteller:
WXDH
Hersteller-Teilenummer:
DGN30F65M2 RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO 3PN
Datenblatt
Auf Lager:
60 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 30+ 60+ 300+
Preis netto (EUR) 1,5206 1,0625 0,8737 0,8406 0,8005
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
30/60
Menge (mehrere 1)
TO 3PN Donghai 48nC 230W 60A 180A 5,0V ~ 7,0V -45°C ~ 175°C 650V THT 30V
1    8  9  10  11  12  13  14  15  16    352