Transistoren (Ergebnisse: 10636)

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Transistorsysteme [J/N]
2SA812 MERRY PNP-Transistor; 600; 200mW, 60V; 100mA; 180MHz, -55°C ~ 150°C; Äquivalent: 2SA812-M7-TP; 2SA812-LGE; 2SA812-M7-YAN;
Micros Symbol: T2SA812 MER Infos
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2SA812 RoHS || 2SA812 MERRY SOT23
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MERRY Hersteller-Teilenummer:
2SA812 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
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3000 Stk.
Anzahl der Stücke 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
Preis netto (EUR) 0,0479 0,0180 0,0096 0,0072 0,0066
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3000
Menge (mehrere 10)
SOT23 MERRY 200mW 600 180MHz 100mA 60V PNP -55°C ~ 150°C
AP72T03GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 15mOhm; 62A; 60W; -55 °C ~ 175 °C;
Micros Symbol: TAP72T03gh-hf-3 Infos
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AP72T03GH-HF-3 RoHS || AP72T03GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TO252
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Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP72T03GH-HF-3 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK) t/r
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90 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4961 0,2753 0,2172 0,2046 0,1982
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100
Menge (mehrere 1)
15mOhm 62A 60W TO252 Advanced Power Electronics Corp. 30V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
2SA812 SHIKUES PNP-Transistor; 600; 200mW, 50V; 100mA; 180MHz, -55°C ~ 150°C; Äquivalent: 2SA812-M7-TP; 2SA812-LGE; 2SA812-M7-YAN;
Micros Symbol: T2SA812 SHK Infos
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2SA812 RoHS || 2SA812 SHIKUES SOT23
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SHIKUES Hersteller-Teilenummer:
2SA812 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
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3000 Stk.
Anzahl der Stücke 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
Preis netto (EUR) 0,0479 0,0180 0,0096 0,0072 0,0066
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3000
Menge (mehrere 10)
SOT23 SHIKUES 200mW 600 180MHz 100mA 50V PNP -55°C ~ 150°C
AP80N03GP APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 12mOhm; 80A; 83,3 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TAP80n03gp Infos
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AP80N03GP RoHS || AP80N03GP APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TO220
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP80N03GP RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
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75 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,5744 0,3608 0,2825 0,2658 0,2492
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50/100
Menge (mehrere 1)
12mOhm 80A 83,3W TO220 Advanced Power Electronics Corp. 30V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V THT
AP85T03GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 10mOhm; 75A; 107W; -55 °C ~ 175 °C;
Micros Symbol: TAP85T03gh-hf-3 Infos
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AP85T03GH-HF-3 RoHS || AP85T03GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TO252
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP85T03GH-HF-3 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK) t/r
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72 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,5958 0,3726 0,3109 0,2753 0,2587
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
10mOhm 75A 107W TO252 Advanced Power Electronics Corp. 30V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
2SA812 ZEHUA PNP-Transistor; 400; 200mW; 50V; 100mA; 180MHz; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: 2SA812-M6-TP; 2SA812-LGE; 2SA812-M6-YAN;
Micros Symbol: T2SA812 ZEH Infos
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2SA812 RoHS || 2SA812 ZEHUA SOT23
Hersteller:
ZEHUA Hersteller-Teilenummer:
2SA812 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
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3000 Stk.
Anzahl der Stücke 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
Preis netto (EUR) 0,0498 0,0186 0,0100 0,0074 0,0069
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
SOT23 ZEHUA 200mW 400 180MHz 100mA 50V PNP -55°C ~ 150°C
AP9435GG P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 90mOhm; 4,2A; 1,25 W; -55 °C ~ 150 °C; AP9435GG-VB;
Micros Symbol: TAP9435gg Infos
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AP9435GG-HF RoHS || AP9435GG SOT-89
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP9435GG-HF RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT-89
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150 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 40+ 150+ 600+
Preis netto (EUR) 0,4083 0,2658 0,1956 0,1683 0,1567
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Standard-Verpackung:
150
Menge (mehrere 1)
90mOhm 4,2A 1,25W SOT89 Advanced Power Electronics Corp. 30V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
AP9435GJ APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 90mOhm; 20A; 12,5 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TAP9435gj Infos
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AP9435GJ ROHS || AP9435GJ APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TO251 (IPACK)
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP9435GJ ROHS Präzisionsgehäuse:
TO251 (IPACK)
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Auf Lager:
180 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4272 0,2801 0,2001 0,1749 0,1640
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
90mOhm 20A 12,5W TO251 (IPACK) Advanced Power Electronics Corp. 30V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V THT
AP9435GK APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 100 mOhm; 6A; 2,7 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TAP9435gk Infos
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AP9435GK RoHS || AP9435GK APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOT223
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP9435GK RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r
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Auf Lager:
70 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,5839 0,3655 0,3038 0,2706 0,2540
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
100mOhm 6A 2,7W SOT223 Advanced Power Electronics Corp. 30V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
AP9435GM-HF APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 90mOhm; 5,3A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: AP9435GM-HF-3TR;
Micros Symbol: TAP9435gm-hf-3 Infos
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AP9435GM-HF RoHS || AP9435GM-HF APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOP08
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP9435GM-HF RoHS Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
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Auf Lager:
1000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2943 0,1614 0,1059 0,0914 0,0843
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Standard-Verpackung:
1000
Menge (mehrere 1)
90mOhm 5,3A 2,5W SOP08 Advanced Power Electronics Corp. 30V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
AP9474GM-HF-3TR APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 13mOhm; 12,8A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TAP9474gm Infos
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AP9474GM-HF RoHS || AP9474GM-HF-3TR APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SO-8
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP9474GM-HF RoHS Präzisionsgehäuse:
SO-8
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Auf Lager:
180 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,5198 0,3157 0,2421 0,2188 0,2082
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
13mOhm 12,8A 2,5W SO-8 Advanced Power Electronics Corp. 60V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
AP9563GH APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP P-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 25V; 60mOhm; 26A; 39W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TAP9563gh Infos
Datenblatt
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AP9563GH RoHS || AP9563GH APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TO252
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP9563GH RoHS Präzisionsgehäuse:
TO252t/r
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Auf Lager:
90 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,3703 0,2421 0,1737 0,1519 0,1424
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
60mOhm 26A 39W TO252 Advanced Power Electronics Corp. 40V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 25V SMD
AP9563GJ APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP P-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 25V; 60mOhm; 26A; 39W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TAP9563gj Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
AP9563GJ RoHS || AP9563GJ APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TO251 (IPACK)
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP9563GJ RoHS Präzisionsgehäuse:
TO251 (IPACK)
Datenblatt
Auf Lager:
120 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 15+ 80+ 160+ 640+
Preis netto (EUR) 0,4249 0,2492 0,1868 0,1754 0,1638
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Standard-Verpackung:
80/160
Menge (mehrere 1)
60mOhm 26A 39W TO251 (IPACK) Advanced Power Electronics Corp. 40V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 25V THT
AP9563GK APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP P-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 60mOhm; 6,8A; 2,8 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TAP9563gk Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
AP9563GK RoHS || AP9563GK APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOT223
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP9563GK RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r
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Auf Lager:
20 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4367 0,2421 0,1896 0,1754 0,1683
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
60mOhm 6,8A 2,8W SOT223 Advanced Power Electronics Corp. 40V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
AP9563GM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP P-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 25V; 60mOhm; 6A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TAP9563gm Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
AP9563GM RoHS || AP9563GM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOP08
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP9563GM RoHS Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
Datenblatt
Auf Lager:
200 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4510 0,2943 0,2115 0,1849 0,1733
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
60mOhm 6A 2,5W SOP08 Advanced Power Electronics Corp. 40V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 25V SMD
AP9567GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP P-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 70mOhm; 22A; 34,7 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TAP9567gh-hf-3 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
AP9567GH RoHS || AP9567GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TO252
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP9567GH RoHS Präzisionsgehäuse:
TO252t/r
Datenblatt
Auf Lager:
380 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,4106 0,2283 0,1802 0,1635 0,1583
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Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
70mOhm 22A 34,7W TO252 Advanced Power Electronics Corp. 40V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
AP9926GEO APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP 2xN-Channel MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 40mOhm; 4,6A; 1W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TAP9926geo Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
AP9926GEO RoHS || AP9926GEO APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TSSOP08
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP9926GEO RoHS Präzisionsgehäuse:
TSSOP08 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
180 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,3228 0,2067 0,1448 0,1258 0,1177
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
40mOhm 4,6A 1W TSSOP08 Advanced Power Electronics Corp. 20V 2xN-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
AP9962GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 30mOhm; 32A; 27,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: AP9962GH-HF-3TR;
Micros Symbol: TAP9962gh-hf-3 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
AP9962GH RoHS || AP9962GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TO252
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP9962GH RoHS Präzisionsgehäuse:
TO252t/r
Datenblatt
Auf Lager:
150 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
Preis netto (EUR) 0,8474 0,5317 0,4177 0,3798 0,3679
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
30mOhm 32A 27,8W TO252 Advanced Power Electronics Corp. 40V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
AP9971GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 50mOhm; 25A; 39W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TAP9971gh-hf-3 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
AP9971GH-HF-3 RoHS || AP9971GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TO252
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP9971GH-HF-3 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO252t/r  
Auf Lager:
240 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,4272 0,2369 0,1870 0,1697 0,1643
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
50mOhm 25A 39W TO252 Advanced Power Electronics Corp. 60V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
AP9977GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 25V; 125 mOhm; 11A; 21W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TAP9977gh-hf-3 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
AP9977GH-HF-3 RoHS || AP9977GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TO252
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP9977GH-HF-3 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK) t/r
Datenblatt
Auf Lager:
240 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,4533 0,2516 0,1980 0,1797 0,1740
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
125mOhm 11A 21W TO252 Advanced Power Electronics Corp. 60V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 25V SMD
2SA970 PNP 0,1A 120V 0,3W 100MHz PNP 0,1A 120V 0,3W 100MHz
Micros Symbol: T2SA970 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
2SA970 RoHS || 2SA970-GR RoHS || 2SA970 TO92
Hersteller:
LGE Hersteller-Teilenummer:
2SA970 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO92bul
Datenblatt
Auf Lager:
180 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,1567 0,0741 0,0415 0,0313 0,0285
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
TO92 CDIL 300mW 700 100MHz 100mA 120V PNP -55°C ~ 125°C
 
Hersteller:
YFW Hersteller-Teilenummer:
2SA970-GR RoHS Präzisionsgehäuse:
TO92bul  
Auf Lager:
100 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,1567 0,0741 0,0415 0,0313 0,0285
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
TO92 CDIL 300mW 700 100MHz 100mA 120V PNP -55°C ~ 125°C
 
Hersteller:
LGE Hersteller-Teilenummer:
2SA970 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO92
Datenblatt
Auf Lager:
1000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,1567 0,0741 0,0415 0,0313 0,0285
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
1000
Menge (mehrere 1)
TO92 CDIL 300mW 700 100MHz 100mA 120V PNP -55°C ~ 125°C
2SA970+2SC2240 (set) (not a complementary Pair!) PNP+NPN 100mA 120V 300mW 100MHz PNP+NPN 100mA 120V 300mW 100MHz
Micros Symbol: T2SA970/2sc2240 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
2SA970+2SC2240 RoHS || 2SA970+2SC2240 (set) (not a complementary Pair!) TO92
Hersteller:
ARK Hersteller-Teilenummer:
2SA970+2SC2240 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO92  
Auf Lager:
580 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,5459 0,3465 0,2730 0,2492 0,2374
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
1000
Menge (mehrere 1)
TO92 TOSHIBA 300mW 700 100MHz 100mA 120V PNP+NPN -55°C ~ 125°C
AP9997GK-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 200 mOhm; 3,2A; 2,8 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TAP9997gk-hf-3 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
AP9997GK-HF-3 RoHS || AP9997GK-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOT223
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP9997GK-HF-3 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r
Datenblatt
Auf Lager:
285 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
Preis netto (EUR) 0,5673 0,3584 0,2801 0,2540 0,2468
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Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
200mOhm 3,2A 2,8W SOT223 Advanced Power Electronics Corp. 100V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
2SAR544R Trans GP BJT PNP 80V 2.5A 1000mW T/R 2SAR544R-DIO;
Micros Symbol: T2SAR544R DIOTEC Infos
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2SAR544R RoHS || 2SAR544R SOT23
Hersteller:
DIOTEC Hersteller-Teilenummer:
2SAR544R RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
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3000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,2445 0,1241 0,0752 0,0596 0,0544
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
SOT23 DIOTEC 1W 390 280MHz 2,5A 80V PNP -55°C ~ 150°C
IGD06N60TATMA1 Infineon Technologies Trans IGBT ; 600V; 20V; 12A; 18A; 88W; 4,1V~5,7V; 42nC; -40°C~175°C; Äquivalent: IGD06N60TXT;
Micros Symbol: TIGD06n60t Infos
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IGD06N60TATMA1 RoHS || IGD06N60TATMA1 Infineon Technologies TO252/3 (DPAK)
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IGD06N60TATMA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO252/3 (DPAK)
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Auf Lager:
80 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Preis netto (EUR) 1,1156 0,7429 0,6147 0,5554 0,5317
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Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
TO252/3 (DPAK) Infineon Technologies 42nC 88W 18A 12A 4,1V ~ 5,7V -40°C ~ 175°C 600V SMD 20V
2SB0709ARL PNP 100mA 45V 200mW 80MHz PNP 100mA 45V 200mW 80MHz
Micros Symbol: T2SB0709arl Infos
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2SB0709ARL RoHS || 2SB0709ARL SOT23
Hersteller:
Panasonic Hersteller-Teilenummer:
2SB0709ARL RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
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Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,0878 0,0347 0,0202 0,0148 0,0135
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Produkt verfügbar, bis es vergriffen ist
Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
SOT23 PANASONIC 200mW 460 80MHz 100mA 45V PNP -55°C ~ 150°C
IGP30N60H3 IGBT-Transistor ; 600V; 20V; 60A; 120A; 187W; 4,1V~5,7V; 165nC; -40°C~175°C; Äquivalent: IGP30N60H3XKSA1;
Micros Symbol: TIGP30n60h3 Infos
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IGP30N60H3 RoHS || IGP30N60H3XKSA1 RoHS || IGP30N60H3XKSA1 || IGP30N60H3 TO220
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IGP30N60H3 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
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Auf Lager:
8 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,8490 1,5499 1,3790 1,2722 1,2319
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
TO220 Infineon Technologies 165nC 187W 120A 60A 4,1V ~ 5,7V -40°C ~ 175°C 600V THT 20V
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IGP30N60H3XKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
Datenblatt
Auf Lager:
50 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,8490 1,5499 1,3790 1,2722 1,2319
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
TO220 Infineon Technologies 165nC 187W 120A 60A 4,1V ~ 5,7V -40°C ~ 175°C 600V THT 20V
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IGP30N60H3XKSA1 Präzisionsgehäuse:
TO220  
Externes Lager:
350 Stk.
Anzahl der Stücke 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 1,2319
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		TO220 Infineon Technologies 165nC 187W 120A 60A 4,1V ~ 5,7V -40°C ~ 175°C 600V THT 20V
IGW15N120H3FKSA1 Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 217W; 5,0V~6,5V; 75nC; -40°C~175°C; Äquivalent: IGW15N120H3;
Micros Symbol: TIGW15n120h3 Infos
Datenblatt
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IGW15N120H3FKSA1 RoHS || IGW15N120H3FKSA1 || IGW15N120H3FKSA1 TO247
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IGW15N120H3FKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO247
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Auf Lager:
10 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Preis netto (EUR) 3,1093 2,7652 2,5587 2,4543 2,3925
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Standard-Verpackung:
10
Menge (mehrere 1)
TO247 Infineon Technologies 75nC 217W 60A 30A 5,0V ~ 6,5V -40°C ~ 175°C 1200V SMD 20V
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IGW15N120H3FKSA1 Präzisionsgehäuse:
TO247  
Externes Lager:
81 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 2,3925
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Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		TO247 Infineon Technologies 75nC 217W 60A 30A 5,0V ~ 6,5V -40°C ~ 175°C 1200V SMD 20V
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IGW15N120H3FKSA1 Präzisionsgehäuse:
TO247  
Externes Lager:
1292 Stk.
Anzahl der Stücke 120+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 2,3925
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Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		TO247 Infineon Technologies 75nC 217W 60A 30A 5,0V ~ 6,5V -40°C ~ 175°C 1200V SMD 20V
IGW25N120H3 IGBT-Transistor ; 1200V; 20V; 50A; 100A; 326W; 5,0V~6,5V; 115nC; -40°C~175°C; IGW25N120H3FKSA1
Micros Symbol: TIGW25n120h3 Infos
Datenblatt
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IGW25N120H3FKSA1 RoHS || IGW25N120H3FKSA1 || IGW25N120H3 TO247
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IGW25N120H3FKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO247
Datenblatt
Auf Lager:
27 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
Preis netto (EUR) 5,5138 4,6379 4,1110 3,8475 3,7004
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Standard-Verpackung:
30
Menge (mehrere 1)
TO247 Infineon Technologies 115nC 326W 100A 50A 5,0V ~ 6,5V -40°C ~ 175°C 1200V THT 20V
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IGW25N120H3FKSA1 Präzisionsgehäuse:
TO247  
Externes Lager:
250 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 3,7004
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Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		TO247 Infineon Technologies 115nC 326W 100A 50A 5,0V ~ 6,5V -40°C ~ 175°C 1200V THT 20V
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IGW25N120H3FKSA1 Präzisionsgehäuse:
TO247  
Externes Lager:
1440 Stk.
Anzahl der Stücke 240+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 3,7004
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Standard-Verpackung:
240
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		TO247 Infineon Technologies 115nC 326W 100A 50A 5,0V ~ 6,5V -40°C ~ 175°C 1200V THT 20V
2SB1188 PNP -2A -32V 500mW 100MHz PNP -2A -32V 500mW 100MHz
Micros Symbol: T2SB1188 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
2SB1188T100Q RoHS || 2SB1188 SOT89
Hersteller:
ROHM - Japan Hersteller-Teilenummer:
2SB1188T100Q RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT89
Datenblatt
Auf Lager:
15 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 300+ 1200+
Preis netto (EUR) 0,5174 0,3133 0,2421 0,2146 0,2072
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Standard-Verpackung:
300
Menge (mehrere 1)
SOT89 ROHM 500mW 390 100MHz 2A 32V PNP -55°C ~ 150°C
1    26  27  28  29  30  31  32  33  34    355