Transistoren (Ergebnisse: 9634)

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Transistorsysteme [J/N]
BSC0909NSATMA1 Infineon N-Channel-MOSFET-Transistor; 34V; 20V; 11,8 mOhm; 44A; 27W; -55 °C ~ 150 °C;
BSC0909NS RoHS || BSC0909NSATMA1 Infineon TDSON08
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSC0909NS RoHS
Präzisionsgehäuse:
TDSON08
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Anzahl der Stücke 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,5101 0,2831 0,2230 0,2104 0,2036
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
11,8mOhm 44A 27W TDSON08 Infineon Technologies 34V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
2SC4466-Y Transistor NPN 80V 8A Transistor NPN 80V 8A
2SC4466Y RoHS || 2SC4466-Y TO3PFM
Hersteller:
INCHANGE SEMICONDUCTORS Co.Ltd
Hersteller-Teilenummer:
2SC4466Y RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO3PFM
 
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Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,1373 0,8682 0,7184 0,6295 0,5991
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Standard-Verpackung:
10
Menge (mehrere 1)
TO3PFM Inchange Semiconductors 60W 180 20MHz 6A 80V NPN -55°C ~ 150°C
2SC4467 Transistor GP BJT NPN 120V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Transistor GP BJT NPN 120V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
2SC4467L RoHS || 2SC4467 TO3PFM
Hersteller:
UTC
Hersteller-Teilenummer:
2SC4467L RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO3PFM
 
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21 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
Preis netto (EUR) 1,8650 1,3830 1,1794 1,1115 1,0975
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Standard-Verpackung:
30
Menge (mehrere 1)
TO3PFM Inchange Semiconductors 80W 140 20MHz 8A 120V NPN -55°C ~ 150°C
2SC4468 NPN 10A 200V 80W 20MHz NPN 10A 200V 80W 20MHz
2SC4468 RoHS || 2SC4468 TO 3P
Hersteller:
Sanken
Hersteller-Teilenummer:
2SC4468 RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO 3P
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40 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
Preis netto (EUR) 1,9656 1,5608 1,3853 1,3245 1,3104
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Standard-Verpackung:
30/90
Menge (mehrere 1)
TO 3P 100W 180 20MHz 10A 140V NPN -55°C ~ 150°C
BSC190N15NS3G Infineon N-Channel-MOSFET-Transistor; 150V; 20V; 20mOhm; 50A; 125 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSC190N15NS3GATMA1;
BSC190N15NS3GATMA1 RoHS || BSC190N15NS3G Infineon TDSON08
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSC190N15NS3GATMA1 RoHS
Präzisionsgehäuse:
TDSON08
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10 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
Preis netto (EUR) 1,8744 1,4883 1,3455 1,2730 1,2496
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Standard-Verpackung:
20
Menge (mehrere 1)
20mOhm 50A 125W TDSON08 Infineon Technologies 150V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSC440N10NS3GATMA1 N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; +/-20V; 44mOhm; 5,3A; 29W; -55°C~150°C; BSC440N10NS3 G;
BSC440N10NS3G RoHS || BSC440N10NS3GATMA1 TDSON-8
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSC440N10NS3G RoHS
Präzisionsgehäuse:
TDSON-8
Datenblatt
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100 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 30+ 200+ 400+
Preis netto (EUR) 1,5515 1,0858 0,8962 0,8284 0,8167
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
44mOhm 5,3A 29W TDSON-8 INFINEON 100V MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSD214SN Infineon N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 250 mOhm; 1,5A; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSD214SNH6327XTSA1; BSD214SNH6327;
BSD214SNH6327XTSA1 RoHS || BSD214SN Infineon SOT363
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSD214SNH6327XTSA1 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT363 t/r
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17 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 40+ 147+ 588+
Preis netto (EUR) 0,3463 0,2253 0,1659 0,1430 0,1329
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Standard-Verpackung:
147
Menge (mehrere 1)
250mOhm 1,5A 500mW SOT363 Infineon Technologies 20V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
BSD235CH6327XTSA1 N/P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 600 mOhm/2,1 Ohm; 950mA/530mA; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C;
BSD235CH6327XTSA1 RoHS || BSD235CH6327XTSA1 SOT363
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSD235CH6327XTSA1 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT363 t/r
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3635 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2761 0,1465 0,1135 0,1048 0,1004
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
2,1Ohm 950mA 500mW SOT363 Infineon Technologies 20V N/P-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
BSD235NH6327XTSA1 Transistor-N-Channel-MOSFET; 20V; -/+12V; 226 mOhm; 950mA; 500 mW; -55°C~150°C; Äquivalent: BSD235N H6327; BSD235N H6327; SP000917652;
BSD235NH6327XTSA1 RoHS || BSD235NH6327XTSA1 SOT363
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSD235NH6327XTSA1 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT363 t/r
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1600 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,2621 0,1446 0,0959 0,0803 0,0746
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
225mOhm 950mA 500mW SOT363 INFINEON 20V MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
BSD314SPEH6327XTSA1 Infineon P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 230 mOhm; 1,5A; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C;
BSD314SPEH6327XTSA RoHS || BSD314SPEH6327XTSA1 Infineon SOT363
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSD314SPEH6327XTSA RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT363 t/r
Datenblatt
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80 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2621 0,1430 0,0938 0,0847 0,0746
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
230mOhm 1,5A 500mW SOT363 Infineon Technologies 30V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSD840N 2xN-Channel MOSFET-Transistor; 20V; +/-8V; 400 mOhm; 880mA; 500 mW; -55°C~150°C; Äquivalente: BSD840NH6327XTSA1; BSD840NH6327;
BSD840NH6327XTSA1 RoHS || BSD840N SOT363
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSD840NH6327XTSA1 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT363 t/r
Datenblatt
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3000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,2211 0,1224 0,0812 0,0679 0,0632
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
400mOhm 880mA 500mW SOT363 INFINEON 20V 2xN-MOSFET -55°C ~ 150°C 8V SMD
BSH103,215 N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 8V; 600 mOhm; 850mA; 750 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSH103.215; BSH103,235; BSH103.215;
BSH103 RoHS || BSH103,215 SOT23
Hersteller:
NXP
Hersteller-Teilenummer:
BSH103 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
 
Auf Lager:
3890 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2761 0,1465 0,1135 0,1048 0,1004
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
600mOhm 850mA 750mW SOT23 NXP 30V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 8V SMD
BSH105 N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 20V; 8V; 375 mOhm; 1,05A; 417 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSH105.215; BSH105.235;
BSH105,215 RoHS || BSH105 SOT23
Hersteller:
NXP
Hersteller-Teilenummer:
BSH105,215 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
 
Auf Lager:
4144 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,3299 0,1823 0,1434 0,1327 0,1273
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
375mOhm 1,05A 417mW SOT23 NXP 20V N-MOSFET 20V -55°C ~ 150°C 8V SMD
BSH108 N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 30V; 20V; 240 mOhm; 1,9A; 830 mW; -65 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSH108.215;
BSH108 RoHS || BSH108 SOT23
Hersteller:
NXP
Hersteller-Teilenummer:
BSH108 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
 
Auf Lager:
1500 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,2129 0,1179 0,0782 0,0653 0,0608
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
240mOhm 1,9A 830mW SOT23 NXP 30V N-MOSFET 30V -65°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
NXP
Hersteller-Teilenummer:
BSH108 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
 
Auf Lager:
360 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 2180+
Preis netto (EUR) 0,2129 0,1175 0,0779 0,0648 0,0608
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Standard-Verpackung:
2180
Menge (mehrere 1)
240mOhm 1,9A 830mW SOT23 NXP 30V N-MOSFET 30V -65°C ~ 150°C 20V SMD
BSH111 N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 55V; 10V; 8Ohm; 335mA; 830 mW; -65 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSH111BKR; BSH111,235;
BSH111 RoHS || BSH111 SOT23
Hersteller:
NXP
Hersteller-Teilenummer:
BSH111 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
100 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
Preis netto (EUR) 0,5640 0,3393 0,2597 0,2333 0,2253
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Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
8Ohm 335mA 830mW SOT23 NXP 55V N-MOSFET 55V -65°C ~ 150°C 10V SMD
BSH114 N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 100V; 20V; 1,15 Ohm; 850mA; 830 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSH114.235; BSH114,215; BSH114-VB;
BSH114,215 RoHS || BSH114 SOT23-3
Hersteller:
NXP
Hersteller-Teilenummer:
BSH114,215 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23-3 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
63 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 200+
Preis netto (EUR) 1,0811 0,7137 0,5874 0,5265 0,5148
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Standard-Verpackung:
20/200
Menge (mehrere 1)
1,15Ohm 850mA 830mW SOT23-3 NXP 100V N-MOSFET 100V -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSH201 P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 4,25 Ohm; 300mA; 417 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSH201.215; BSH205.215;
BSH201,215 RoHS || BSH201 SOT23-3
Hersteller:
NXP
Hersteller-Teilenummer:
BSH201,215 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23-3 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
2270 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2714 0,1434 0,1112 0,1025 0,0983
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
4,25Ohm 300mA 417mW SOT23-3 NXP 60V P-MOSFET 60V -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSH202 P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 30V; 20V; 1,35 Ohm; 520mA; 417 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSH202.215;
BSH202 RoHS || BSH202 SOT23
Hersteller:
NXP
Hersteller-Teilenummer:
BSH202 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
 
Auf Lager:
130 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 300+ 1500+
Preis netto (EUR) 0,2855 0,1828 0,1287 0,1093 0,1039
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Standard-Verpackung:
300
Menge (mehrere 1)
1,35Ohm 520mA 417mW SOT23 NXP 30V P-MOSFET 30V -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSH203 P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 30V; 8V; 1,65 Ohm; 470mA; 417 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSH203.215;
BSH203,215 RoHS WJ. || BSH203 SOT23-3
Hersteller:
NXP
Hersteller-Teilenummer:
BSH203,215 RoHS WJ.
Präzisionsgehäuse:
SOT23-3 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
190 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2878 0,1573 0,1032 0,0931 0,0821
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
1,65Ohm 470mA 417mW SOT23-3 NXP 30V P-MOSFET 30V -55°C ~ 150°C 8V SMD
BSH205 P-Channel-MOSFET-Transistor; 12V; 12V; 8V; 750 mOhm; 750mA; 417 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSH205G2R; BSH205,215; BSH205G2VL; BSH205215;
BSH205G2 RoHS || BSH205 SOT23
Hersteller:
NXP
Hersteller-Teilenummer:
BSH205G2 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
 
Auf Lager:
5265 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,2597 0,1437 0,0955 0,0796 0,0742
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Standard-Verpackung:
3000/6000
Menge (mehrere 1)
750mOhm 750mA 417mW SOT23 NXP 12V P-MOSFET 12V -55°C ~ 150°C 8V SMD
BSL207SPH6327 P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 65mOhm; 6A; 2W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSL207SPH6327XTSA1;
BSL207SPH6327 Pbf sPA || BSL207SPH6327 TSOP06
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSL207SPH6327 Pbf sPA
Präzisionsgehäuse:
TSOP06 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
465 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,3159 0,1748 0,1381 0,1252 0,1212
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Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
65mOhm 6A 2W TSOP06 NXP 20V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
BSL211SPH6327 Infineon P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 110mOhm; 4,7A; 2W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSL211SPH6327XTSA1;
BSL211SPH6327 RoHS || BSL211SPH6327 Infineon TSOP06
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSL211SPH6327 RoHS
Präzisionsgehäuse:
TSOP06 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
200 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4048 0,2644 0,1895 0,1657 0,1554
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
110mOhm 4,7A 2W TSOP06 Infineon Technologies 20V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
BSL215CH6327 Infineon N/P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 250 mOhm/280 mOhm; 1,5A; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSL215CH6327XTSA1; BSL215C H6327; SP001101000;
BSL215CH6327XTSA1 RoHS || BSL215CH6327 RoHS || BSL215CH6327 Infineon TSOP06
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSL215CH6327XTSA1 RoHS
Präzisionsgehäuse:
TSOP06 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
4260 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4563 0,2761 0,2120 0,1914 0,1821
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
280mOhm 1,5A 500mW TSOP06 Infineon Technologies 20V N/P-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
 
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSL215CH6327 RoHS
Präzisionsgehäuse:
TSOP06 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
16 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4563 0,2761 0,2120 0,1914 0,1821
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
280mOhm 1,5A 500mW TSOP06 Infineon Technologies 20V N/P-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
BSL307SPH6327 Infineon P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 74 mOhm; 5,5A; 2W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSL307SPH6327XTSA1;
BSL307SPH6327XTSA1 RoHS || BSL307SPH6327 Infineon TSOP06
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSL307SPH6327XTSA1 RoHS
Präzisionsgehäuse:
TSOP06 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
1150 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,6997 0,4423 0,3487 0,3182 0,3042
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
74mOhm 5,5A 2W TSOP06 Infineon Technologies 30V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSN20 NXP N-Channel-MOSFET-Transistor; 50V; 50V; 20V; 28Ohm; 173mA; 830 mW; -65 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSN20.215; BSN20.235;
BSN20 RoHS || BSN20 NXP SOT23
Hersteller:
NXP
Hersteller-Teilenummer:
BSN20 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
 
Auf Lager:
2600 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,2202 0,1116 0,0676 0,0536 0,0489
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
28Ohm 173mA 830mW SOT23 NXP 50V N-MOSFET 50V -65°C ~ 150°C 20V SMD
BSN20-7 N-Channel-MOSFET-Transistor; 50V; 20V; 2Ohm; 500mA; 600 mW; -55 °C ~ 150 °C;
BSN20-7 RoHS || BSN20-7 SOT23
Hersteller:
DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
BSN20-7 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
2215 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1895 0,0962 0,0583 0,0461 0,0421
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
2Ohm 500mA 600mW SOT23 DIODES 50V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSO080P03S Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 8mOhm; 14,9A; 2,5W; -55°C ~ 150°C;
BSO080P03S RoHS || BSO080P03S SOP08
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSO080P03S RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
Datenblatt
Auf Lager:
410 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 1,2707 0,8916 0,7558 0,6927 0,6693
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Produkt verfügbar, bis es vergriffen ist
Standard-Verpackung:
1000
Menge (mehrere 1)
8mOhm 14,9A 2,5W SOP08 Infineon Technologies 30V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 25V SMD
 
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSO080P03S RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
Datenblatt
Auf Lager:
10 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 1,3830 0,9688 0,8237 0,7535 0,7278
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Produkt verfügbar, bis es vergriffen ist
Standard-Verpackung:
1020
Menge (mehrere 1)
8mOhm 14,9A 2,5W SOP08 Infineon Technologies 30V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 25V SMD
BSO220N03MDG INFINEON 2xN-Channel MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 27mOhm; 7,7A; 2W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSO220N03MDGXUMA1;
BSO220N03MDG RoHS || BSO220N03MDG INFINEON SOIC08
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSO220N03MDG RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOIC08t/r
Datenblatt
Auf Lager:
90 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,5827 0,3229 0,2551 0,2410 0,2328
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
27mOhm 7,7A 2W SOIC08 Infineon Technologies 30V 2xN-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSO613SPV G Infineon P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 130 mOhm; 3,44A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSO613SPVGHUMA1; BSO613SPVGXUMA1;
BS0613SPV G RoHS || BSO613SPV G Infineon SOIC08
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BS0613SPV G RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOIC08t/r
Datenblatt
Auf Lager:
20 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,8494 0,5335 0,4423 0,3955 0,3697
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
130mOhm 3,44A 2,5W SOIC08 Infineon Technologies 60V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSP125 N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 20V; 60Ohm; 120mA; 1,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSP125H6327XTSA1; BSP125H6433XTMA1; BSP125H6327; BSP125L6327HTSA1; BSP125H6327XTSA1S;
BSP125-L6327 RoHS || BSP125 SOT223
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSP125-L6327 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r
Datenblatt
Auf Lager:
100 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,5850 0,3253 0,2551 0,2410 0,2335
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
60Ohm 120mA 1,8W SOT223 Infineon Technologies 600V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
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