Transistoren (Ergebnisse: 9656)

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Transistorsysteme [J/N]
IRG4BC20S IGBT-Transistor ; 600V; 20V; 19A; 38A; 60W; 3,0V~6,0V; 40nC; -55°C~150°C; IRG4BC20SPBF;
Micros Symbol: TIRG4bc20s Infos
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IRG4BC20S RoHS || IRG4BC20S TO220
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International Rectifier Hersteller-Teilenummer:
IRG4BC20S RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
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Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
Preis netto (EUR) 1,7457 1,2964 1,1326 1,0530 1,0273
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20
Menge (mehrere 1)
TO220 International Rectifier 40nC 60W 19A 38A 3,0V ~ 6,0V -55°C ~ 150°C THT 600V 20V
C2M0160120D Cree/Wolfspeed N-Channel-MOSFET-Transistor; 1200V; 25V; 400 mOhm; 17,7A; 125 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TC2M0160120D Infos
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C2M0160120D RoHS || C2M0160120D Cree/Wolfspeed TO247
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CREE Hersteller-Teilenummer:
C2M0160120D RoHS Präzisionsgehäuse:
TO247
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Anzahl der Stücke 1+ 2+ 4+ 10+ 20+
Preis netto (EUR) 12,4912 11,1504 10,1863 9,3111 8,8595
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2
Menge (mehrere 1)
400mOhm 17,7A 125W TO247 Cree 1200V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 25V THT
C2M0280120D Wolfspeed N-Channel-MOSFET-Transistor; 1200V; 20V; 530 mOhm; 10A; 62,5 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TC2M0280120D Infos
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C2M0280120D RoHS || C2M0280120D Wolfspeed TO247
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CREE Hersteller-Teilenummer:
C2M0280120D RoHS Präzisionsgehäuse:
TO247
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Anzahl der Stücke 1+ 2+ 4+ 10+ 40+
Preis netto (EUR) 8,4336 7,4905 6,8259 6,2386 5,7378
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2
Menge (mehrere 1)
530mOhm 10A 62,5W TO247 Cree 1200V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V THT
C2M1000170J Cree/Wolfspeed N-Channel-MOSFET-Transistor; 1700 V; 20V; 2Ohm; 5,3A; 78W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: C2M1000170J-TR;
Micros Symbol: TC2M1000170J Infos
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C2M1000170J RoHS || C2M1000170J Cree/Wolfspeed D2PAK/7
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CREE Hersteller-Teilenummer:
C2M1000170J RoHS Präzisionsgehäuse:
TO247
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Anzahl der Stücke 1+ 2+ 4+ 10+ 30+
Preis netto (EUR) 8,5131 7,6052 6,9570 6,3790 5,9531
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2
Menge (mehrere 1)
2Ohm 5,3A 78W D2PAK/7 Cree 1700V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V THT
C3M0065090J Cree/Wolfspeed N-Channel-MOSFET-Transistor; 900V; 15V; 90mOhm; 35A; 113W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TC3M0065090J Infos
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C3M0065090J RoHS || C3M0065090J Cree/Wolfspeed D2PAK/7
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CREE Hersteller-Teilenummer:
C3M0065090J RoHS Präzisionsgehäuse:
D2PAK/7
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Anzahl der Stücke 1+ 2+ 4+ 10+ 20+
Preis netto (EUR) 17,7938 16,0434 14,7704 13,5981 12,9873
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Standard-Verpackung:
2
Menge (mehrere 1)
90mOhm 35A 113W D2PAK/7 Cree 900V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 15V THT
C3M0120090D Cree/Wolfspeed N-Channel-MOSFET-Transistor; 900V; 15V; 170 mOhm; 23A; 97W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TC3M0120090D Infos
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C3M0120090D RoHS || C3M0120090D Cree/Wolfspeed TO247
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CREE Hersteller-Teilenummer:
C3M0120090D RoHS Präzisionsgehäuse:
TO247
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2 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 2+ 4+ 10+ 30+
Preis netto (EUR) 9,7721 8,7284 7,9843 7,3220 6,8330
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Standard-Verpackung:
2
Menge (mehrere 1)
170mOhm 23A 97W TO247 Cree 900V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 15V THT
C3M0120090J Cree/Wolfspeed N-Channel-MOSFET-Transistor; 900V; 15V; 170 mOhm; 22A; 83W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: C3M0120090J-TR;
Micros Symbol: TC3M0120090J Infos
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C3M0120090J RoHS || C3M0120090J Cree/Wolfspeed D2PAK/7
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CREE Hersteller-Teilenummer:
C3M0120090J RoHS Präzisionsgehäuse:
D2PAK/7
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2 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 2+ 4+ 10+ 30+
Preis netto (EUR) 10,0599 8,9858 8,2206 7,5373 7,0342
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Standard-Verpackung:
2
Menge (mehrere 1)
170mOhm 22A 83W D2PAK/7 Cree 900V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 15V THT
C3M0280090J Cree/Wolfspeed N-Channel-MOSFET-Transistor; 900V; 15V; 385 mOhm; 22A; 50W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TC3M0280090J Infos
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C3M0280090J RoHS || C3M0280090J Cree/Wolfspeed D2PAK/7
Hersteller:
CREE Hersteller-Teilenummer:
C3M0280090J RoHS Präzisionsgehäuse:
D2PAK/7
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Anzahl der Stücke 1+ 4+ 20+ 100+ 200+
Preis netto (EUR) 5,7870 4,7410 4,1793 3,9407 3,8845
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4
Menge (mehrere 1)
385mOhm 22A 50W D2PAK/7 Cree 900V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 15V THT
2SD1898T100R SOT89 Transistor NPN; 390; 2W; 80V; 1A; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Transistor NPN; 390; 2W; 80V; 1A; 100MHz; -55°C ~ 150°C;
Micros Symbol: T2SD1898t100r Infos
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2SD1898T100R RoHS DF. || 2SD1898T100R SOT89 SOT89
Hersteller:
ROHM - Japan Hersteller-Teilenummer:
2SD1898T100R RoHS DF. Präzisionsgehäuse:
SOT89 t/r
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Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,3089 0,1968 0,1381 0,1198 0,1121
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200
Menge (mehrere 1)
SOT89 ROHM 2W 390 100MHz 1A 80V NPN -55°C ~ 150°C
2SD2390 JSMICRO NPN Darlington-Transistor; 5000; 100W; 150V; 10A; -55°C ~ 150°C;
Micros Symbol: T2SD2390 JSM Infos
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2SD2390 RoHS || 2SD2390 JSMICRO TO 3P
Hersteller:
JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer:
2SD2390 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO 3P
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60 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
Preis netto (EUR) 1,7855 1,3245 1,1302 1,0647 1,0507
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Standard-Verpackung:
30
Menge (mehrere 1)
TO 3P JSMICRO 100W 5000 10A 150V Darlington NPN -55°C ~ 150°C
2SD2560 Transistor Darlington NPN 150V 15A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Transistor Darlington NPN 150V 15A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P
Micros Symbol: T2SD2560 Infos
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Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
2SD2560 RoHS || 2SD2560 TO 3P
Hersteller:
import Hersteller-Teilenummer:
2SD2560 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO 3P  
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0 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 30+ 90+ 270+
Preis netto (EUR) 1,9633 1,5561 1,3806 1,3338 1,3081
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30/90
Menge (mehrere 1)
TO-3P Sanken 130W 5000 70MHz 15A 150V NPN -55°C ~ 150°C
 
Hersteller:
Sanken Hersteller-Teilenummer:
2SD2560 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO 3P  
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0 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 30+ 90+ 270+
Preis netto (EUR) 1,9633 1,5561 1,3806 1,3338 1,3081
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Standard-Verpackung:
30/100
Menge (mehrere 1)
TO-3P Sanken 130W 5000 70MHz 15A 150V NPN -55°C ~ 150°C
2SD2560 JSMICRO NPN Darlington-Transistor; 5000; 130W; 150V; 15A; 70MHz; -55°C ~ 150°C;
Micros Symbol: T2SD2560 JSM Infos
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Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
2SD2560 RoHS || 2SD2560 JSMICRO TO 3P
Hersteller:
JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer:
2SD2560 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO 3P
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Auf Lager:
30 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
Preis netto (EUR) 1,7855 1,3245 1,1302 1,0647 1,0507
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Standard-Verpackung:
30
Menge (mehrere 1)
TO 3P JSMICRO 130W 5000 70MHz 15A 150V Darlington NPN -55°C ~ 150°C
IRG4BC30FD-S IGBT-Transistor ; 600V; 20V; 31A; 120A; 100W; 3,0V~6,0V; 77nC; -55°C~150°C;
Micros Symbol: TIRG4bc30fd-s Infos
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IRG4BC30FD-S RoHS || IRG4BC30FD-S TO263 (D2PAK)
Hersteller:
International Rectifier Hersteller-Teilenummer:
IRG4BC30FD-S RoHS Präzisionsgehäuse:
TO263 (D2PAK)
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Auf Lager:
27 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 2,4758 2,0756 1,8463 1,7036 1,6497
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
TO263 (D2PAK) International Rectifier 77nC 100W 31A 120A 3,0V ~ 6,0V -55°C ~ 150°C SMD 600V 20V
IRG4BC30K IGBT-Transistor ; 600V; 20V; 28A; 58A; 100W; 3,0V~6,0V; 100nC; -55°C~150°C;
Micros Symbol: TIRG4bc30k Infos
Datenblatt
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IRG4BC30K RoHS || IRG4BC30K TO220
Hersteller:
International Rectifier Hersteller-Teilenummer:
IRG4BC30K RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
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Auf Lager:
10 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 1,4625 1,0249 0,8705 0,7956 0,7699
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Standard-Verpackung:
20
Menge (mehrere 1)
TO220 International Rectifier 100nC 100W 28A 58A 3,0V ~ 6,0V -55°C ~ 150°C THT 600V 20V
IRG4BC30KD IGBT-Transistor ; 600V; 20V; 28A; 58A; 100W; 3,0V~6,0V; 100nC; -55°C~150°C; IRG4BC30KDPBF;
Micros Symbol: TIRG4bc30kd Infos
Datenblatt
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IRG4BC30KD RoHS || IRG4BC30KD TO220
Hersteller:
International Rectifier Hersteller-Teilenummer:
IRG4BC30KD RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
Datenblatt
Auf Lager:
27 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 3,2480 2,8993 2,6887 2,5530 2,4992
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
TO220 International Rectifier 100nC 100W 28A 58A 3,0V ~ 6,0V -55°C ~ 150°C THT 600V 20V
2SD773 NPN 2A 20V 1W 110MHz NPN 2A 20V 1W 110MHz
Micros Symbol: T2SD773 Infos
Datenblatt
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2SD773 || 2SD773 T16
Hersteller:
NEC Hersteller-Teilenummer:
2SD773 Präzisionsgehäuse:
T16
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Auf Lager:
58 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 5+ 10+ 30+ 68+
Preis netto (EUR) 0,5546 0,4002 0,3299 0,2668 0,2410
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Produkt verfügbar, bis es vergriffen ist
Standard-Verpackung:
68
Menge (mehrere 1)
T16 NEC 1W 600 110MHz 2A 16V NPN -55°C ~ 150°C
IRG4BC30S-S IGBT-Transistor ; 600V; 20V; 34A; 68A; 100W; 3,0V~6,0V; 75nC; -55°C~150°C; Äquivalent: IRG4BC30S-STRLP;
Micros Symbol: TIRG4bc30s-s Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
IRG4BC30S-S RoHS || IRG4BC30S-S TO263 (D2PAK)
Hersteller:
International Rectifier Hersteller-Teilenummer:
IRG4BC30S-S RoHS Präzisionsgehäuse:
TO263 (D2PAK)
Datenblatt
Auf Lager:
9 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 2,3167 1,9422 1,7270 1,5936 1,5444
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
TO263 (D2PAK) International Rectifier 75nC 100W 34A 68A 3,0V ~ 6,0V -55°C ~ 150°C SMD 600V 20V
IRG4BC30U IGBT-Transistor ; 600V; 20V; 23A; 92A; 100W; 3,0V~6,0V; 75nC; -55°C~150°C; IRG4BC30UPBF;
Micros Symbol: TIRG4bc30u Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
IRG4BC30UPBF RoHS || IRG4BC30U TO220
Hersteller:
International Rectifier Hersteller-Teilenummer:
IRG4BC30UPBF RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
Datenblatt
Auf Lager:
60 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 2,6185 2,2628 2,0522 1,9212 1,8697
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
TO220 International Rectifier 75nC 100W 23A 92A 3,0V ~ 6,0V -55°C ~ 150°C THT 600V 20V
2SD882 NPN 3A 40V 10W 90MHz NPN 3A 40V 10W 90MHz
Micros Symbol: T2SD882 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
2SD882 RoHS || 2SD882 TO126
Hersteller:
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECH Hersteller-Teilenummer:
2SD882 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO126  
Auf Lager:
106 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,3674 0,2410 0,1727 0,1509 0,1416
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Standard-Verpackung:
200/1000
Menge (mehrere 1)
TO126 UTC 1W 400 80MHz 3A 30V NPN -55°C ~ 150°C
                                                     
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-08-08
Anzahl der Stücke: 200
                                               
2SD882 JSMICRO NPN-Transistor; 400; 1W; 30V; 3A; 80MHz; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: 2SD882L-P-T60-K; 2SD882L-Q-T60-K;
Micros Symbol: T2SD882 JSM Infos Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
2SD882 RoHS || 2SD882 JSMICRO TO126
Hersteller:
JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer:
2SD882 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO126  
Auf Lager:
500 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,2878 0,1542 0,1200 0,1086 0,1051
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Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
TO126 JSMICRO 1W 400 80MHz 3A 30V NPN -55°C ~ 150°C
2SD882 SOT89 NPN 3A 40V 10W 90MHz NPN 3A 40V 10W 90MHz
Micros Symbol: T2SD882 sot89 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
2SD882 RoHS || 2SD882 SOT89 SOT89
Hersteller:
LGE Hersteller-Teilenummer:
2SD882 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT89 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
587 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2691 0,1423 0,1105 0,1018 0,0976
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Standard-Verpackung:
1000
Menge (mehrere 1)
SOT89 LGE 1,25W 400 50MHz 3A 30V NPN -55°C ~ 150°C
2SD882PU SOT89 CBI Transistor NPN; 320; 500mW; 30V; 3A; 80MHz; -55°C ~ 150°C; Transistor NPN; 320; 500mW; 30V; 3A; 80MHz; -55°C ~ 150°C;
Micros Symbol: T2SD882 sot89 CBI Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
2SD882PU D882 RoHS || 2SD882PU SOT89 CBI SOT89
Hersteller:
UTC Hersteller-Teilenummer:
2SD882PU D882 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT89 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
200 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2335 0,1278 0,0838 0,0723 0,0667
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Standard-Verpackung:
300
Menge (mehrere 1)
SOT89 UTC 500mW 320 80MHz 3A 30V NPN -55°C ~ 150°C
IRG4BC30W IGBT-Transistor ; 600V; 20V; 23A; 92A; 100W; 3,0V~6,0V; 76nC; -55°C~150°C; IRG4BC30WPBF;
Micros Symbol: TIRG4bc30w Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
IRG4BC30W RoHS || IRG4BC30W TO220
Hersteller:
International Rectifier Hersteller-Teilenummer:
IRG4BC30W RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
Datenblatt
Auf Lager:
25 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,9633 1,6451 1,4625 1,3502 1,3081
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
TO220 International Rectifier 76nC 100W 23A 92A 3,0V ~ 6,0V -55°C ~ 150°C THT 600V 20V
2SD882 SOT89 FUXINSEMI NPN; 500mW; 30V; 3A; 80MHz; -55°C ~ 150°C; NPN; 500mW; 30V; 3A; 80MHz; -55°C ~ 150°C;
Micros Symbol: T2SD882 sot89 FUX Infos
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2SD882 RoHS || 2SD882 SOT89 FUXINSEMI SOT89
Hersteller:
UTC Hersteller-Teilenummer:
2SD882 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT89 t/r
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Auf Lager:
95 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2691 0,1474 0,0966 0,0835 0,0770
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Standard-Verpackung:
300
Menge (mehrere 1)
SOT89 UTC 500mW 80MHz 3A 30V NPN -55°C ~ 150°C
2SD882SQ-P SOT89 PJ 30V 3A NPN SOT-89 Bipolar Transistors - BJT ROHS 30V 3A NPN SOT-89 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Micros Symbol: T2SD882 sot89 PJ Infos
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2SD882SQ-P RoHS || 2SD882SQ-P SOT89 PJ SOT89
Hersteller:
PJSEMI Hersteller-Teilenummer:
2SD882SQ-P RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT89 t/r  
Auf Lager:
200 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2714 0,1479 0,0969 0,0838 0,0772
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Standard-Verpackung:
300
Menge (mehrere 1)
SOT89 PJSEMI 1W 320 90MHz 3A 30V NPN -55°C ~ 150°C
CPH-6445-TL-W N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 185 mOhm; 3,5A; 1,6 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: CPH6445-TL-W;
Micros Symbol: TCPH6445 Infos
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CPH6445-TL-E RoHS || CPH-6445-TL-W CPH6
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer:
CPH6445-TL-E RoHS Präzisionsgehäuse:
CPH6
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Auf Lager:
30 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
Preis netto (EUR) 1,4274 0,9969 0,8214 0,7629 0,7512
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Standard-Verpackung:
30
Menge (mehrere 1)
185mOhm 3,5A 1,6W CPH6 ON SEMICONDUCTOR 60V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
2SD882 SOT89-3 UTC 0.5W 30V 3A NPN SOT-89(SOT-89-3) Bipolar Transistors - BJT ROHS 0.5W 30V 3A NPN SOT-89(SOT-89-3) Bipolar Transistors - BJT ROHS
Micros Symbol: T2SD882 sot89 UTC Infos
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2SD882SG-P-AB3-R RoHS || 2SD882 SOT89-3 UTC SOT89-3
Hersteller:
UTC Hersteller-Teilenummer:
2SD882SG-P-AB3-R RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT89-3
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Auf Lager:
50 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 30+ 146+ 730+ 2920+
Preis netto (EUR) 0,2410 0,1172 0,0838 0,0725 0,0690
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Produkt verfügbar, bis es vergriffen ist
Standard-Verpackung:
146
Menge (mehrere 1)
SOT89-3 UTC 500mW 320 80MHz 3A 30V NPN -55°C ~ 150°C
2SD965 China Transistor NPN; Bipolar; 1000; 20V; 7V; 150MHz; 5A; 500mW; -55°C~150°C; Transistor NPN; Bipolar; 1000; 20V; 7V; 150MHz; 5A; 500mW; -55°C~150°C;
Micros Symbol: T2SD965 c Infos
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2SD965T-R RoHS || 2SD965 China SOT89
Hersteller:
Foshan Blue Arrow Electronics Hersteller-Teilenummer:
2SD965T-R RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT89 t/r
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Auf Lager:
100 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2265 0,1135 0,0676 0,0559 0,0503
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
SOT89 FOSHAN 500mW 1000 150MHz 5A 20V NPN -55°C ~ 150°C
CSD16406Q3 Texas Instruments N-Channel-MOSFET-Transistor; 25V; 16V; 7,4 mOhm; 79A; 46W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TCSD16406q3 Infos
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CSD16406Q3 RoHS || CSD16406Q3 Texas Instruments SON08
Hersteller:
Texas Instruments Hersteller-Teilenummer:
CSD16406Q3 RoHS Präzisionsgehäuse:
SON08
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Auf Lager:
20 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 40+ 200+ 400+
Preis netto (EUR) 1,3338 0,9337 0,7558 0,7114 0,7020
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Standard-Verpackung:
40
Menge (mehrere 1)
7,4mOhm 79A 46W SON08 Texas Instruments 25V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 16V SMD
CSD17308Q3 N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 10V; 16,5 mOhm; 44A; 28W; -55 °C ~ 150 °C; CSD17308Q3T
Micros Symbol: TCSD17308q3 Infos
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CSD17308Q3 RoHS || CSD17308Q3 VSON-CLIP08(3.3x3.3)
Hersteller:
Texas Instruments Hersteller-Teilenummer:
CSD17308Q3 RoHS Präzisionsgehäuse:
VSON-CLIP08(3.3x3.3)
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Auf Lager:
50 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,8354 0,5289 0,4165 0,3791 0,3627
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Standard-Verpackung:
1050
Menge (mehrere 1)
16,5mOhm 44A 28W VSON-CLIP08(3.3x3.3) Texas Instruments 30V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 10V SMD
1    29  30  31  32  33  34  35  36  37    322