Transistoren (Ergebnisse: 9716)

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Transistorsysteme [J/N]
BUK7M27-80EX N-Channel-MOSFET-Transistor; 80V; 80V; 20V; 68mOhm; 30A; 62W; -55 °C ~ 175 °C;
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BUK7M27-80EX RoHS || BUK7M27-80EX || BUK7M27-80EX LFPAK33 (SOT1210)
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BUK7M33-60EX N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 74 mOhm; 24A; 44W; -55 °C ~ 175 °C;
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BUK7M3R3-40H N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 7,2 mOhm; 80A; 101W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: BUK7M3R3-40HX;
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BUK7M67-60EX N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 150 mOhm; 14A; 31W; -55 °C ~ 175 °C;
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BUK7M6R3-40EX N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 40V; 20V; 12,5 mOhm; 70A; 79W; -55 °C ~ 175 °C;
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12,5mOhm 70A 79W LFPAK33 (SOT1210) NXP 40V N-MOSFET 40V -55°C ~ 175°C 20V SMD
 
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20 Euro überschreiten. 		12,5mOhm 70A 79W LFPAK33 (SOT1210) NXP 40V N-MOSFET 40V -55°C ~ 175°C 20V SMD
BUK7V4R2-40HX Dualer N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 4,2 mOhm; 98A; 85W; -55°C~150°C;
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BUK7V4R2-40HX RoHS || BUK7V4R2-40HX || BUK7V4R2-40HX LFPAK56D
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BUK7V4R2-40HX RoHS Präzisionsgehäuse:
LFPAK56D
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Anzahl der Stücke 1+ 5+ 10+ 30+ 100+
Preis netto (EUR) 3,9163 3,1100 2,9243 2,7386 2,6281
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5/10
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4,2mOhm 98A 85W LFPAK56D NXP 40V 2xN-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
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BUK7V4R2-40HX Präzisionsgehäuse:
LFPAK56D  
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Anzahl der Stücke 1500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 2,6281
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20 Euro überschreiten. 		4,2mOhm 98A 85W LFPAK56D NXP 40V 2xN-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BUK96180-100A N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 100V; 15V; 450 mOhm; 11A; 54W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: BUK96180-100A,118;
Micros Symbol: TBUK96180-100a Infos
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BUK96180-100A,118 RoHS || BUK96180-100A D2PAK
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BUK96180-100A,118 RoHS Präzisionsgehäuse:
D2PAK t/r
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Anzahl der Stücke 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,7898 0,4960 0,4114 0,3667 0,3432
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100
Menge (mehrere 1)
450mOhm 11A 54W D2PAK NXP 100V N-MOSFET 100V -55°C ~ 175°C 15V SMD
BUK9M15-60EX N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 10V; 34 mOhm; 47A; 75W; -55 °C ~ 175 °C;
Micros Symbol: TBUK9m15-60ex Infos
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BUK9M15-60EX RoHS || BUK9M15-60EX || BUK9M15-60EX LFPAK33 (SOT1210)
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NXP Hersteller-Teilenummer:
BUK9M15-60EX RoHS Präzisionsgehäuse:
LFPAK33 (SOT1210)
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Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,9934 1,4739 1,2858 1,2224 1,1730
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Standard-Verpackung:
5
Menge (mehrere 1)
34mOhm 47A 75W LFPAK33 (SOT1210) NXP 60V N-MOSFET 60V -55°C ~ 175°C 10V SMD
 
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Nexperia Hersteller-Teilenummer:
BUK9M15-60EX Präzisionsgehäuse:
LFPAK33 (SOT1210)  
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3000 Stk.
Anzahl der Stücke 1500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 1,1730
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1500
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20 Euro überschreiten. 		34mOhm 47A 75W LFPAK33 (SOT1210) NXP 60V N-MOSFET 60V -55°C ~ 175°C 10V SMD
BUK9M19-60EX N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 10V; 43mOhm; 38A; 62W; -55 °C ~ 175 °C;
Micros Symbol: TBUK9m19-60ex Infos
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BUK9M19-60EX RoHS || BUK9M19-60EX || BUK9M19-60EX LFPAK33 (SOT1210)
Hersteller:
NXP Hersteller-Teilenummer:
BUK9M19-60EX RoHS Präzisionsgehäuse:
LFPAK33 (SOT1210)
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5 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,7936 1,3258 1,1566 1,1001 1,0555
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Standard-Verpackung:
5
Menge (mehrere 1)
43mOhm 38A 62W LFPAK33 (SOT1210) NXP 60V N-MOSFET 60V -55°C ~ 175°C 10V SMD
 
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BUK9M19-60EX Präzisionsgehäuse:
LFPAK33 (SOT1210)  
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4500 Stk.
Anzahl der Stücke 1500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 1,0555
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1500
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Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		43mOhm 38A 62W LFPAK33 (SOT1210) NXP 60V N-MOSFET 60V -55°C ~ 175°C 10V SMD
BUK9M23-80EX N-Channel-MOSFET-Transistor; 80V; 80V; 10V; 58mOhm; 37A; 79W; -55 °C ~ 175 °C;
Micros Symbol: TBUK9m23-80ex Infos
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BUK9M23-80EX RoHS || BUK9M23-80EX || BUK9M23-80EX LFPAK33 (SOT1210)
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NXP Hersteller-Teilenummer:
BUK9M23-80EX RoHS Präzisionsgehäuse:
LFPAK33 (SOT1210)
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5 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 2,1063 1,6126 1,4292 1,3681 1,3164
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Standard-Verpackung:
5
Menge (mehrere 1)
58mOhm 37A 79W LFPAK33 (SOT1210) NXP 80V N-MOSFET 80V -55°C ~ 175°C 10V SMD
 
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Nexperia Hersteller-Teilenummer:
BUK9M23-80EX Präzisionsgehäuse:
LFPAK33 (SOT1210)  
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3000 Stk.
Anzahl der Stücke 1500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 1,3164
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Standard-Verpackung:
1500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		58mOhm 37A 79W LFPAK33 (SOT1210) NXP 80V N-MOSFET 80V -55°C ~ 175°C 10V SMD
BUK9M3R3-40H N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 16V; 9,2 mOhm; 80A; 101W; -55 °C ~ 175 °C;
Micros Symbol: TBUK9m3r3-40h Infos
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BUK9M3R3-40HX RoHS || BUK9M3R3-40H LFPAK33 (SOT1210)
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NXP Hersteller-Teilenummer:
BUK9M3R3-40HX RoHS Präzisionsgehäuse:
LFPAK33 (SOT1210)
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10 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,2953 0,9897 0,8181 0,7170 0,6817
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Standard-Verpackung:
10
Menge (mehrere 1)
9,2mOhm 80A 101W LFPAK33 (SOT1210) NXP 40V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 16V SMD
BUK9M52-40EX N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 40V; 10V; 101mOhm; 17,6A; 31W; -55 °C ~ 175 °C;
Micros Symbol: TBUK9m52-40ex Infos
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BUK9M52-40EX RoHS || BUK9M52-40EX || BUK9M52-40EX LFPAK33 (SOT1210)
Hersteller:
NXP Hersteller-Teilenummer:
BUK9M52-40EX RoHS Präzisionsgehäuse:
LFPAK33 (SOT1210)
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Anzahl der Stücke 1+ 4+ 20+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 1,6032 1,1660 0,9544 0,8721 0,8439
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Standard-Verpackung:
4
Menge (mehrere 1)
101mOhm 17,6A 31W LFPAK33 (SOT1210) NXP 40V N-MOSFET 40V -55°C ~ 175°C 10V SMD
 
Hersteller:
Nexperia Hersteller-Teilenummer:
BUK9M52-40EX Präzisionsgehäuse:
LFPAK33 (SOT1210)  
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Anzahl der Stücke 1500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,8439
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1500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		101mOhm 17,6A 31W LFPAK33 (SOT1210) NXP 40V N-MOSFET 40V -55°C ~ 175°C 10V SMD
BUK9M5R2-30EX N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 30V; 10V; 9,8 mOhm; 70A; 79W; -55 °C ~ 175 °C;
Micros Symbol: TBUK9m5r2-30ex Infos
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BUK9M5R2-30EX RoHS || BUK9M5R2-30EX || BUK9M5R2-30EX LFPAK33 (SOT1210)
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NXP Hersteller-Teilenummer:
BUK9M5R2-30EX RoHS Präzisionsgehäuse:
LFPAK33 (SOT1210)
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5 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 2,0310 1,5538 1,3775 1,3188 1,2694
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5
Menge (mehrere 1)
9,8mOhm 70A 79W LFPAK33 (SOT1210) NXP 30V N-MOSFET 30V -55°C ~ 175°C 10V SMD
 
Hersteller:
Nexperia Hersteller-Teilenummer:
BUK9M5R2-30EX Präzisionsgehäuse:
LFPAK33 (SOT1210)  
Externes Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 1500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 1,2694
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Standard-Verpackung:
1500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		9,8mOhm 70A 79W LFPAK33 (SOT1210) NXP 30V N-MOSFET 30V -55°C ~ 175°C 10V SMD
 
Hersteller:
Nexperia Hersteller-Teilenummer:
BUK9M5R2-30EX Präzisionsgehäuse:
LFPAK33 (SOT1210)  
Externes Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 1500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 1,2694
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Standard-Verpackung:
1500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		9,8mOhm 70A 79W LFPAK33 (SOT1210) NXP 30V N-MOSFET 30V -55°C ~ 175°C 10V SMD
BUK9V13-40HX 2xN-Channel MOSFET-Transistor; 40V; 10V; 13mOhm; 42A; 46W; -55°C~175°C; Äquivalent: BUK9V13-40H; BUK9V13-40HX;
Micros Symbol: TBUK9V13-40HX Infos
Datenblatt
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BUK9V13-40HX RoHS || BUK9V13-40HX LFPAK56D
Hersteller:
NXP Hersteller-Teilenummer:
BUK9V13-40HX RoHS Präzisionsgehäuse:
LFPAK56D
Datenblatt
Auf Lager:
10 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 10+ 30+ 100+
Preis netto (EUR) 1,9370 1,4716 1,3681 1,2694 1,2106
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Standard-Verpackung:
5/10
Menge (mehrere 1)
13mOhm 42A 46W LFPAK56D NXP 40V 2xN-MOSFET -55°C ~ 175°C 10V Surface Mount
BUK9Y21-40E NEXPERIA N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 40V; 10V; 42,2 mOhm; 33A; 45W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: BUK9Y21-40E,115;
Micros Symbol: TBUK9y21-40e Infos
Datenblatt
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BUK9Y21-40E,115 RoHS || BUK9Y21-40E NEXPERIA LFPAK
Hersteller:
NXP Hersteller-Teilenummer:
BUK9Y21-40E,115 RoHS Präzisionsgehäuse:
LFPAK
Datenblatt
Auf Lager:
5 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Preis netto (EUR) 1,1354 0,7546 0,6253 0,5642 0,5407
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Standard-Verpackung:
20
Menge (mehrere 1)
42,2mOhm 33A 45W LFPAK NXP 40V N-MOSFET 40V -55°C ~ 175°C 10V SMD
IRG4BC20FD IGBT-Transistor ; 600V; 20V; 16A; 64A; 60W; 3,0V~6,0V; 40nC; -55°C~150°C; IRG4BC20FDPBF;
Micros Symbol: TIRG4bc20fd Infos
Datenblatt
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IRG4BC20FDPBF RoHS || IRG4BC20FD TO220
Hersteller:
International Rectifier Hersteller-Teilenummer:
IRG4BC20FDPBF RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
Datenblatt
Auf Lager:
5 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Preis netto (EUR) 3,2440 2,7927 2,5247 2,3954 2,3178
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Standard-Verpackung:
10
Menge (mehrere 1)
TO220 International Rectifier 40nC 60W 16A 64A 3,0V ~ 6,0V -55°C ~ 150°C THT 600V 20V
BUZ11-NR4941 N-Channel-MOSFET-Transistor; 50V; 50V; 20V; 40mOhm; 30A; 75W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BUZ11-NR4941; BUZ11_NR4941; BUZ11;
Micros Symbol: TBUZ11 Infos
Datenblatt
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BUZ11-NR4941 RoHS || BUZ11-NR4941 || BUZ11-NR4941 TO220
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer:
BUZ11-NR4941 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
Datenblatt
Auf Lager:
6058 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 50+ 100+ 500+
Preis netto (EUR) 1,1448 0,7616 0,5877 0,5689 0,5454
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
40mOhm 30A 75W TO220 ON SEMICONDUCTOR 50V N-MOSFET 50V -55°C ~ 150°C 20V THT
 
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer:
BUZ11-NR4941 Präzisionsgehäuse:
TO220  
Externes Lager:
8560 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,5454
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Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		40mOhm 30A 75W TO220 ON SEMICONDUCTOR 50V N-MOSFET 50V -55°C ~ 150°C 20V THT
                                                     
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-12-30
Anzahl der Stücke: 1400
                                               
IRG4BC20KD-S Trans IGBT ; 600V; 20V; 16A; 32A; 60W; 3,0V~6,0V; 51nC; -55°C~150°C; Äquivalent: IRG4BC20KD-SPBF; IRG4BC20KDSTRLP; IRG4BC20KDSTRRP;
Micros Symbol: TIRG4bc20kd-s Infos
Datenblatt
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IRG4BC20KD-S RoHS || IRG4BC20KD-S TO263 (D2PAK)
Hersteller:
International Rectifier Hersteller-Teilenummer:
IRG4BC20KD-S RoHS Präzisionsgehäuse:
TO263 (D2PAK)
Datenblatt
Auf Lager:
20 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,5515 1,2365 1,0578 0,9520 0,9121
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
TO263 (D2PAK) International Rectifier 51nC 60W 16A 32A 3,0V ~ 6,0V -55°C ~ 150°C 600V 20V
IRG4BC20S IGBT-Transistor ; 600V; 20V; 19A; 38A; 60W; 3,0V~6,0V; 40nC; -55°C~150°C; IRG4BC20SPBF;
Micros Symbol: TIRG4bc20s Infos
Datenblatt
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IRG4BC20S RoHS || IRG4BC20S TO220
Hersteller:
International Rectifier Hersteller-Teilenummer:
IRG4BC20S RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
Datenblatt
Auf Lager:
20 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
Preis netto (EUR) 1,7536 1,3023 1,1378 1,0578 1,0320
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Standard-Verpackung:
20
Menge (mehrere 1)
TO220 International Rectifier 40nC 60W 19A 38A 3,0V ~ 6,0V -55°C ~ 150°C THT 600V 20V
C2M0160120D Cree/Wolfspeed N-Channel-MOSFET-Transistor; 1200V; 25V; 400 mOhm; 17,7A; 125 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TC2M0160120D Infos
Datenblatt
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C2M0160120D RoHS || C2M0160120D || C2M0160120D Cree/Wolfspeed TO247
Hersteller:
CREE Hersteller-Teilenummer:
C2M0160120D RoHS Präzisionsgehäuse:
TO247
Datenblatt
Auf Lager:
2 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 2+ 4+ 10+ 20+
Preis netto (EUR) 12,5482 11,2012 10,2327 9,3536 8,8999
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Standard-Verpackung:
2
Menge (mehrere 1)
400mOhm 17,7A 125W TO247 Cree 1200V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 25V THT
 
Hersteller:
WOLFSPEED Hersteller-Teilenummer:
C2M0160120D Präzisionsgehäuse:
TO247  
Externes Lager:
90 Stk.
Anzahl der Stücke 30+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 8,8999
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Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		400mOhm 17,7A 125W TO247 Cree 1200V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 25V THT
C2M0280120D Wolfspeed N-Channel-MOSFET-Transistor; 1200V; 20V; 530 mOhm; 10A; 62,5 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TC2M0280120D Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
C2M0280120D RoHS || C2M0280120D || C2M0280120D Wolfspeed TO247
Hersteller:
CREE Hersteller-Teilenummer:
C2M0280120D RoHS Präzisionsgehäuse:
TO247
Datenblatt
Auf Lager:
2 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 2+ 4+ 10+ 40+
Preis netto (EUR) 8,4720 7,5247 6,8571 6,2670 5,7640
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Standard-Verpackung:
2
Menge (mehrere 1)
530mOhm 10A 62,5W TO247 Cree 1200V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V THT
 
Hersteller:
WOLFSPEED Hersteller-Teilenummer:
C2M0280120D Präzisionsgehäuse:
TO247  
Externes Lager:
120 Stk.
Anzahl der Stücke 30+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 5,7640
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Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		530mOhm 10A 62,5W TO247 Cree 1200V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V THT
C2M1000170J Cree/Wolfspeed N-Channel-MOSFET-Transistor; 1700 V; 20V; 2Ohm; 5,3A; 78W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: C2M1000170J-TR;
Micros Symbol: TC2M1000170J Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
C2M1000170J RoHS || C2M1000170J Cree/Wolfspeed D2PAK/7
Hersteller:
CREE Hersteller-Teilenummer:
C2M1000170J RoHS Präzisionsgehäuse:
TO247
Datenblatt
Auf Lager:
2 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 2+ 4+ 10+ 30+
Preis netto (EUR) 8,5520 7,6399 6,9887 6,4081 5,9803
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Standard-Verpackung:
2
Menge (mehrere 1)
2Ohm 5,3A 78W D2PAK/7 Cree 1700V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V THT
C3M0065090J Cree/Wolfspeed N-Channel-MOSFET-Transistor; 900V; 15V; 90mOhm; 35A; 113W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TC3M0065090J Infos
Datenblatt
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C3M0065090J RoHS || C3M0065090J Cree/Wolfspeed D2PAK/7
Hersteller:
CREE Hersteller-Teilenummer:
C3M0065090J RoHS Präzisionsgehäuse:
D2PAK/7
Datenblatt
Auf Lager:
2 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 2+ 4+ 10+ 20+
Preis netto (EUR) 17,8749 16,1166 14,8378 13,6601 13,0465
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Standard-Verpackung:
2
Menge (mehrere 1)
90mOhm 35A 113W D2PAK/7 Cree 900V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 15V THT
2SD1898T100R SOT89 Transistor NPN; 390; 2W; 80V; 1A; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Transistor NPN; 390; 2W; 80V; 1A; 100MHz; -55°C ~ 150°C;
Micros Symbol: T2SD1898t100r Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
2SD1898T100R RoHS DF. || 2SD1898T100R SOT89 SOT89
Hersteller:
ROHM - Japan Hersteller-Teilenummer:
2SD1898T100R RoHS DF. Präzisionsgehäuse:
SOT89 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
200 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,3103 0,1977 0,1387 0,1204 0,1126
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
SOT89 ROHM 2W 390 100MHz 1A 80V NPN -55°C ~ 150°C
C3M0120090D Cree/Wolfspeed N-Channel-MOSFET-Transistor; 900V; 15V; 170 mOhm; 23A; 97W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TC3M0120090D Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
C3M0120090D RoHS || C3M0120090D Cree/Wolfspeed TO247
Hersteller:
CREE Hersteller-Teilenummer:
C3M0120090D RoHS Präzisionsgehäuse:
TO247
Datenblatt
Auf Lager:
2 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 2+ 4+ 10+ 30+
Preis netto (EUR) 9,8166 8,7682 8,0207 7,3554 6,8641
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Standard-Verpackung:
2
Menge (mehrere 1)
170mOhm 23A 97W TO247 Cree 900V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 15V THT
C3M0120090J Cree/Wolfspeed N-Channel-MOSFET-Transistor; 900V; 15V; 170 mOhm; 22A; 83W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: C3M0120090J-TR;
Micros Symbol: TC3M0120090J Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
C3M0120090J RoHS || C3M0120090J Cree/Wolfspeed D2PAK/7
Hersteller:
CREE Hersteller-Teilenummer:
C3M0120090J RoHS Präzisionsgehäuse:
D2PAK/7
Datenblatt
Auf Lager:
2 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 2+ 4+ 10+ 30+
Preis netto (EUR) 10,1058 9,0268 8,2581 7,5717 7,0663
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
2
Menge (mehrere 1)
170mOhm 22A 83W D2PAK/7 Cree 900V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 15V THT
C3M0280090J Cree/Wolfspeed N-Channel-MOSFET-Transistor; 900V; 15V; 385 mOhm; 22A; 50W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TC3M0280090J Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
C3M0280090J RoHS || C3M0280090J || C3M0280090J Cree/Wolfspeed D2PAK/7
Hersteller:
CREE Hersteller-Teilenummer:
C3M0280090J RoHS Präzisionsgehäuse:
D2PAK/7
Datenblatt
Auf Lager:
1 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 4+ 20+ 100+ 200+
Preis netto (EUR) 5,8134 4,7626 4,1984 3,9586 3,9022
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
4
Menge (mehrere 1)
385mOhm 22A 50W D2PAK/7 Cree 900V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 15V THT
 
Hersteller:
WOLFSPEED Hersteller-Teilenummer:
C3M0280090J Präzisionsgehäuse:
D2PAK/7  
Externes Lager:
1000 Stk.
Anzahl der Stücke 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 3,9022
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		385mOhm 22A 50W D2PAK/7 Cree 900V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 15V THT
2SD2390 JSMICRO NPN Darlington-Transistor; 5000; 100W; 150V; 10A; -55°C ~ 150°C;
Micros Symbol: T2SD2390 JSM Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
2SD2390 RoHS || 2SD2390 JSMICRO TO 3P
Hersteller:
JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer:
2SD2390 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO 3P
Datenblatt
Auf Lager:
60 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
Preis netto (EUR) 1,7936 1,3305 1,1354 1,0696 1,0555
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
30
Menge (mehrere 1)
TO 3P JSMICRO 100W 5000 10A 150V Darlington NPN -55°C ~ 150°C
2SD2560 Transistor Darlington NPN 150V 15A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Transistor Darlington NPN 150V 15A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P
Micros Symbol: T2SD2560 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
2SD2560 RoHS || 2SD2560 TO 3P
Hersteller:
import Hersteller-Teilenummer:
2SD2560 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO 3P  
Auf Lager:
0 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 30+ 90+ 270+
Preis netto (EUR) 1,7772 1,4104 1,2506 1,2083 1,1848
Standard-Verpackung:
30/90
Menge (mehrere 1)
TO-3P Sanken 130W 5000 70MHz 15A 150V NPN -55°C ~ 150°C
 
Hersteller:
Sanken Hersteller-Teilenummer:
2SD2560 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO 3P  
Auf Lager:
0 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 30+ 90+ 270+
Preis netto (EUR) 1,9723 1,5632 1,3869 1,3399 1,3141
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
30/100
Menge (mehrere 1)
TO-3P Sanken 130W 5000 70MHz 15A 150V NPN -55°C ~ 150°C
2SD2560 JSMICRO NPN Darlington-Transistor; 5000; 130W; 150V; 15A; 70MHz; -55°C ~ 150°C;
Micros Symbol: T2SD2560 JSM Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
2SD2560 RoHS || 2SD2560 JSMICRO TO 3P
Hersteller:
JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer:
2SD2560 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO 3P
Datenblatt
Auf Lager:
30 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
Preis netto (EUR) 1,6102 1,1942 1,0179 0,9591 0,9473
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
30
Menge (mehrere 1)
TO 3P JSMICRO 130W 5000 70MHz 15A 150V Darlington NPN -55°C ~ 150°C
1    29  30  31  32  33  34  35  36  37    324