Transistoren (Ergebnisse: 10636)

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Transistorsysteme [J/N]
BSC018NE2LS Infineon N-Channel-MOSFET-Transistor; 25V; 20V; 2,3 mOhm; 100A; 69W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSC018NE2LSI; BSC018NE2LSATMA1;
Micros Symbol: TBSC018ne2ls Infos
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BSC018NE2LS RoHS || BSC018NE2LSATMA1 || BSC018NE2LS Infineon TDSON08
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BSC018NE2LS RoHS Präzisionsgehäuse:
TDSON08
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2,3mOhm 100A 69W TDSON08 Infineon Technologies 25V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
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BSC018NE2LSATMA1 Präzisionsgehäuse:
TDSON08  
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20 Euro überschreiten. 		2,3mOhm 100A 69W TDSON08 Infineon Technologies 25V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSC019N02KSG Infineon N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 3mOhm; 100A; 104 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSC019N02KSGAUMA1;
Micros Symbol: TBSC019n02ksg Infos
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BSC019N02KSG RoHS || BSC019N02KSG Infineon TDSON08
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BSC019N02KSG RoHS Präzisionsgehäuse:
TDSON-8
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3mOhm 100A 104W TDSON08 Infineon Technologies 20V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
BSC019N04NSGATMA1 N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 1,9 mOhm; 100A; 125 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TBSC019n04ns Infos
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BSC019N04NSGATMA1 RoHS || BSC019N04NSGATMA1 || BSC019N04NSGATMA1 TDSON08
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BSC019N04NSGATMA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TDSON08
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Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
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1,9mOhm 100A 125W TDSON08 Infineon Technologies 40V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
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BSC019N04NSGATMA1 Präzisionsgehäuse:
TDSON08  
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20 Euro überschreiten. 		1,9mOhm 100A 125W TDSON08 Infineon Technologies 40V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
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BSC019N04NSGATMA1 Präzisionsgehäuse:
TDSON08  
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Anzahl der Stücke 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
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20 Euro überschreiten. 		1,9mOhm 100A 125W TDSON08 Infineon Technologies 40V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSC022N04LS6 N-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 3,2 mOhm; 139A; 79W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: BSC022N04LS6ATMA1;
Micros Symbol: TBSC022n04ls6 Infos
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BSC022N04LS6ATMA1 RoHS || BSC022N04LS6ATMA1 || BSC022N04LS6 TDSON08
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BSC022N04LS6ATMA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TDSON08
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Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
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3,2mOhm 139A 79W TDSON08 Infineon Technologies 40V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
 
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BSC022N04LS6ATMA1 Präzisionsgehäuse:
TDSON08  
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BSC024NE2LS INFINEON N-MOSFET-Transistor; 25V; 20V; 3,4 mOhm; 100A; 48W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSC024NE2LSATMA1;
Micros Symbol: TBSC024ne2ls Infos
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BSC024NE2LSATMA1 RoHS || BSC024NE2LSATMA1 || BSC024NE2LS INFINEON TDSON08
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BSC024NE2LSATMA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TDSON08
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Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
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3,4mOhm 100A 48W TDSON08 Infineon Technologies 25V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
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BSC024NE2LSATMA1 Präzisionsgehäuse:
TDSON08  
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20 Euro überschreiten. 		3,4mOhm 100A 48W TDSON08 Infineon Technologies 25V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSC027N04LSG N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 4,1 mOhm; 100A; 83W; -55 °C ~ 150 °C; BSC027N04LS G; BSC027N04LS G; SP000354810
Micros Symbol: TBSC027n04lsg Infos
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BSC027N04LSG RoHS || BSC027N04LSGATMA1 || BSC027N04LSG TDSON-8
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BSC027N04LSG RoHS Präzisionsgehäuse:
TDSON-8
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Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Preis netto (EUR) 0,9826 0,6527 0,5412 0,4866 0,4676
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100
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4,1mOhm 100A 83W TDSON-8 Infineon Technologies 40V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
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Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSC027N04LSGATMA1 Präzisionsgehäuse:
TDSON-8  
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20 Euro überschreiten. 		4,1mOhm 100A 83W TDSON-8 Infineon Technologies 40V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
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BSC027N04LSGATMA1 Präzisionsgehäuse:
TDSON-8  
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25000 Stk.
Anzahl der Stücke 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,4676
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5000
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Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		4,1mOhm 100A 83W TDSON-8 Infineon Technologies 40V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSC040N08NS5ATMA1 INFINEON N-Channel-MOSFET-Transistor; 80V; 20V; 5,7 mOhm; 100A; 104 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TBSC040n08ns5 Infos
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BSC040N08NS5ATMA1 RoHS || BSC040N08NS5ATMA1 || BSC040N08NS5ATMA1 INFINEON TDSON-8
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Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSC040N08NS5ATMA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TDSON-8
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Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 1,1417 0,7999 0,6788 0,6219 0,6005
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2300
Menge (mehrere 1)
5,7mOhm 100A 104W TDSON-8 Infineon Technologies 80V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
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Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSC040N08NS5ATMA1 Präzisionsgehäuse:
TDSON-8  
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75000 Stk.
Anzahl der Stücke 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,6005
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5000
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Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		5,7mOhm 100A 104W TDSON-8 Infineon Technologies 80V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSC040N08NS5ATMA1 Präzisionsgehäuse:
TDSON-8  
Externes Lager:
50000 Stk.
Anzahl der Stücke 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,6097
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5000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		5,7mOhm 100A 104W TDSON-8 Infineon Technologies 80V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSC042N03LSGATMA1 Infineon N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 6,5 mOhm; 93A; 57W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TBSC042n03ls Infos
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BSC042N03LSG RoHS || BSC042N03LSGATMA1 || BSC042N03LSGATMA1 Infineon TDSON08
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Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSC042N03LSG RoHS Präzisionsgehäuse:
TDSON08
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67 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,6812 0,4272 0,3560 0,3157 0,2967
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
6,5mOhm 93A 57W TDSON08 Infineon Technologies 30V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
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Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSC042N03LSGATMA1 Präzisionsgehäuse:
TDSON08  
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5000 Stk.
Anzahl der Stücke 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2967
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Standard-Verpackung:
5000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		6,5mOhm 93A 57W TDSON08 Infineon Technologies 30V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSC042N03LSGATMA1 Präzisionsgehäuse:
TDSON08  
Externes Lager:
5000 Stk.
Anzahl der Stücke 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2967
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Standard-Verpackung:
5000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		6,5mOhm 93A 57W TDSON08 Infineon Technologies 30V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSC042NE7NS3GATMA1 Infineon N-Channel-MOSFET-Transistor; 75V; 20V; 4,2 mOhm; 100A; 125 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSC042NE7NS3GATMA1; BSC042NE7NS3G;
Micros Symbol: TBSC042ne7ns3g Infos
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BSC042NE7NS3G RoHS || BSC042NE7NS3GATMA1 || BSC042NE7NS3GATMA1 Infineon TDSON08
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSC042NE7NS3G RoHS Präzisionsgehäuse:
TDSON08
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Auf Lager:
5 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Preis netto (EUR) 1,6947 1,3434 1,1441 1,0491 0,9969
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Standard-Verpackung:
10
Menge (mehrere 1)
4,2mOhm 100A 125W TDSON08 Infineon Technologies 75V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSC042NE7NS3GATMA1 Präzisionsgehäuse:
TDSON08  
Externes Lager:
10000 Stk.
Anzahl der Stücke 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,9969
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Standard-Verpackung:
5000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		4,2mOhm 100A 125W TDSON08 Infineon Technologies 75V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSC042NE7NS3GATMA1 Präzisionsgehäuse:
TDSON08  
Externes Lager:
5000 Stk.
Anzahl der Stücke 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,9969
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Standard-Verpackung:
5000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		4,2mOhm 100A 125W TDSON08 Infineon Technologies 75V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSC070N10NS3 G N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 14mOhm; 90A; 114W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSC070N10NS3GATMA1;
Micros Symbol: TBSC070n10ns3 Infos
Datenblatt
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BSC070N10NS3G RoHS || BSC070N10NS3GATMA1 || BSC070N10NS3 G TDSON-8
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSC070N10NS3G RoHS Präzisionsgehäuse:
TDSON-8
Datenblatt
Auf Lager:
20 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 2,0128 1,6069 1,3743 1,2342 1,1844
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
14mOhm 90A 114W TDSON-8 Infineon Technologies 100V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSC070N10NS3GATMA1 Präzisionsgehäuse:
TDSON-8  
Externes Lager:
5000 Stk.
Anzahl der Stücke 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 1,1844
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Standard-Verpackung:
5000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		14mOhm 90A 114W TDSON-8 Infineon Technologies 100V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSC070N10NS3GATMA1 Präzisionsgehäuse:
TDSON-8  
Externes Lager:
10000 Stk.
Anzahl der Stücke 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 1,1844
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Standard-Verpackung:
5000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		14mOhm 90A 114W TDSON-8 Infineon Technologies 100V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSC070N10NS3GATMA1 Präzisionsgehäuse:
TDSON-8  
Externes Lager:
15000 Stk.
Anzahl der Stücke 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 1,1844
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
5000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		14mOhm 90A 114W TDSON-8 Infineon Technologies 100V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
2SC3838KT146P NPN 50mA 11V 0.2W 3.2GHz NPN 50mA 11V 0.2W 3.2GHz
Micros Symbol: T2SC3838k Infos
Datenblatt
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2SC3838KT146P RoHS || 2SC3838KT146P SC-59
Hersteller:
ROHM - Japan Hersteller-Teilenummer:
2SC3838KT146P RoHS Präzisionsgehäuse:
SC-59 t/r
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Auf Lager:
500 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,2445 0,1353 0,0895 0,0745 0,0700
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Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
SC-59 ROHM 200mW 180 3,2GHz 50mA 11V NPN -55°C ~ 150°C
BSC076N06NS3 G N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 7,6mOhm; 75A; 69W; -55°C ~ 150°C; BSC076N06NS3GATMA1
Micros Symbol: TBSC076n06ns3 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
BSC076N06NS3GATMA1 RoHS || BSC076N06NS3GATMA1 || BSC076N06NS3 G TDSON08
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSC076N06NS3GATMA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TDSON08
Datenblatt
Auf Lager:
50 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 800+
Preis netto (EUR) 0,9114 0,5768 0,4533 0,4130 0,3964
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Standard-Verpackung:
800
Menge (mehrere 1)
7,6mOhm 75A 69W TDFN08 INFINEON 60V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSC076N06NS3GATMA1 Präzisionsgehäuse:
TDSON08  
Externes Lager:
25000 Stk.
Anzahl der Stücke 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,3964
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Standard-Verpackung:
5000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		7,6mOhm 75A 69W TDFN08 INFINEON 60V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSC076N06NS3GATMA1 Präzisionsgehäuse:
TDSON08  
Externes Lager:
140000 Stk.
Anzahl der Stücke 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,3964
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Standard-Verpackung:
5000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		7,6mOhm 75A 69W TDFN08 INFINEON 60V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSC076N06NS3GATMA1 Präzisionsgehäuse:
TDSON08  
Externes Lager:
280000 Stk.
Anzahl der Stücke 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,3964
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Standard-Verpackung:
5000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		7,6mOhm 75A 69W TDFN08 INFINEON 60V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
2SC3856 TO-3P NPN 180V 15A 130W 20MHz NPN 180V 15A 130W 20MHz
Micros Symbol: T2SC3856 Infos
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2SC3856 RoHS || 2SC3856 TO-3P TO 3P
Hersteller:
SPTECH Hersteller-Teilenummer:
2SC3856 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO 3P  
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16 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 4+ 16+ 64+ 256+
Preis netto (EUR) 1,9985 1,5262 1,3126 1,2176 1,1749
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Standard-Verpackung:
16
Menge (mehrere 1)
TO 3P Sanken 130W 50 20MHz 15A 180V NPN -55°C ~ 150°C
                                                     
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Geplantes Datum: 2026-12-30
Anzahl der Stücke: 120
                                               
IKP15N60T IGBT-Transistor ; 600V; 20V; 26A; 45A; 130W; 4,1V~5,7V; 87nC; -40°C~175°C; IKP15N60TXKSA1
Micros Symbol: TIKP15n60t Infos
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IKP15N60TXKSA1 RoHS || IKP15N60TXKSA1 || IKP15N60T TO220
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IKP15N60TXKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
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Auf Lager:
85 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 50+ 100+ 300+
Preis netto (EUR) 1,7707 1,3149 1,0942 1,0681 1,0420
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Standard-Verpackung:
50/100
Menge (mehrere 1)
TO220 Infineon Technologies 87nC 130W 45A 26A 4,1V ~ 5,7V -40°C ~ 175°C 600V THT 20V
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IKP15N60TXKSA1 Präzisionsgehäuse:
TO220  
Externes Lager:
50 Stk.
Anzahl der Stücke 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 1,0420
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50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		TO220 Infineon Technologies 87nC 130W 45A 26A 4,1V ~ 5,7V -40°C ~ 175°C 600V THT 20V
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IKP15N60TXKSA1 Präzisionsgehäuse:
TO220  
Externes Lager:
1500 Stk.
Anzahl der Stücke 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 1,0420
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		TO220 Infineon Technologies 87nC 130W 45A 26A 4,1V ~ 5,7V -40°C ~ 175°C 600V THT 20V
BSC0909NSATMA1 Infineon N-Channel-MOSFET-Transistor; 34V; 20V; 11,8 mOhm; 44A; 27W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TBSC0909ns Infos
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BSC0909NS RoHS || BSC0909NSATMA1 || BSC0909NSATMA1 Infineon TDSON08
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSC0909NS RoHS Präzisionsgehäuse:
TDSON08
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Auf Lager:
100 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4700 0,2611 0,2060 0,1942 0,1880
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
11,8mOhm 44A 27W TDSON08 Infineon Technologies 34V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSC0909NSATMA1 Präzisionsgehäuse:
TDSON08  
Externes Lager:
5000 Stk.
Anzahl der Stücke 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,1880
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Standard-Verpackung:
5000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		11,8mOhm 44A 27W TDSON08 Infineon Technologies 34V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSC190N15NS3G Infineon N-Channel-MOSFET-Transistor; 150V; 20V; 20mOhm; 50A; 125 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSC190N15NS3GATMA1;
Micros Symbol: TBSC190n15ns3g Infos
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BSC190N15NS3GATMA1 RoHS || BSC190N15NS3GATMA1 || BSC190N15NS3G Infineon TDSON08
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSC190N15NS3GATMA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TDSON08
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Auf Lager:
10 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 1,6686 1,1678 0,9921 0,9091 0,8782
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Standard-Verpackung:
20
Menge (mehrere 1)
20mOhm 50A 125W TDSON08 Infineon Technologies 150V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSC190N15NS3GATMA1 Präzisionsgehäuse:
TDSON08  
Externes Lager:
55020 Stk.
Anzahl der Stücke 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,8782
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Standard-Verpackung:
5000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		20mOhm 50A 125W TDSON08 Infineon Technologies 150V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSC440N10NS3GATMA1 N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; +/-20V; 44mOhm; 5,3A; 29W; -55°C~150°C; BSC440N10NS3 G;
Micros Symbol: TBSC440n10ns3 Infos
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BSC440N10NS3G RoHS || BSC440N10NS3GATMA1 TDSON-8
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSC440N10NS3G RoHS Präzisionsgehäuse:
TDSON-8
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Auf Lager:
100 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 30+ 200+ 400+
Preis netto (EUR) 1,4289 1,0016 0,8260 0,7619 0,7524
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
44mOhm 5,3A 29W TDSON-8 INFINEON 100V MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
IKP20N60T IGBT-Transistor ; 600V; 20V; 41A; 60A; 166W; 4,1V~5,7V; 120nC; -40°C~175°C; Äquivalent: IKP20N60TXKSA1;
Micros Symbol: TIKP20n60t Infos
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IKP20N60T RoHS || IKP20N60TXKSA1 || IKP20N60T TO220
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IKP20N60T RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
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Auf Lager:
85 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 50+ 100+ 300+
Preis netto (EUR) 2,5468 2,0199 1,7612 1,7279 1,6971
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Standard-Verpackung:
50/100
Menge (mehrere 1)
TO220 Infineon Technologies 120nC 166W 60A 41A 4,1V ~ 5,7V -40°C ~ 175°C 600V THT 20V
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IKP20N60TXKSA1 Präzisionsgehäuse:
TO220  
Externes Lager:
20 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 1,6971
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Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		TO220 Infineon Technologies 120nC 166W 60A 41A 4,1V ~ 5,7V -40°C ~ 175°C 600V THT 20V
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IKP20N60TXKSA1 Präzisionsgehäuse:
TO220  
Externes Lager:
455 Stk.
Anzahl der Stücke 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 1,6971
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		TO220 Infineon Technologies 120nC 166W 60A 41A 4,1V ~ 5,7V -40°C ~ 175°C 600V THT 20V
BSD214SN Infineon N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 250 mOhm; 1,5A; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSD214SNH6327XTSA1; BSD214SNH6327;
Micros Symbol: TBSD214sn Infos
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BSD214SNH6327XTSA1 RoHS || BSD214SN Infineon SOT363
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSD214SNH6327XTSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT363 t/r
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Auf Lager:
17 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 40+ 147+ 588+
Preis netto (EUR) 0,3181 0,2079 0,1531 0,1320 0,1227
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Standard-Verpackung:
147
Menge (mehrere 1)
250mOhm 1,5A 500mW SOT363 Infineon Technologies 20V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
BSD235CH6327XTSA1 N/P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 600 mOhm/2,1 Ohm; 950mA/530mA; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TBSD235c Infos
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BSD235CH6327XTSA1 RoHS || BSD235CH6327XTSA1 || BSD235CH6327XTSA1 SOT363
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSD235CH6327XTSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT363 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3635 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2801 0,1486 0,1151 0,1063 0,1018
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
2,1Ohm 950mA 500mW SOT363 Infineon Technologies 20V N/P-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSD235CH6327XTSA1 Präzisionsgehäuse:
SOT363  
Externes Lager:
45000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,1018
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		2,1Ohm 950mA 500mW SOT363 Infineon Technologies 20V N/P-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSD235CH6327XTSA1 Präzisionsgehäuse:
SOT363  
Externes Lager:
144000 Stk.
Anzahl der Stücke 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,1018
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		2,1Ohm 950mA 500mW SOT363 Infineon Technologies 20V N/P-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSD235CH6327XTSA1 Präzisionsgehäuse:
SOT363  
Externes Lager:
354000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,1018
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		2,1Ohm 950mA 500mW SOT363 Infineon Technologies 20V N/P-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
BSD235NH6327XTSA1 Transistor-N-Channel-MOSFET; 20V; -/+12V; 226 mOhm; 950mA; 500 mW; -55°C~150°C; Äquivalent: BSD235N H6327; BSD235N H6327; SP000917652;
Micros Symbol: TBSD235nh Infos
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BSD235NH6327XTSA1 RoHS || BSD235NH6327XTSA1 || BSD235NH6327XTSA1 SOT363
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSD235NH6327XTSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT363 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
1600 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,2658 0,1467 0,0973 0,0814 0,0757
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
225mOhm 950mA 500mW SOT363 INFINEON 20V MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSD235NH6327XTSA1 Präzisionsgehäuse:
SOT363  
Externes Lager:
9000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0757
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		225mOhm 950mA 500mW SOT363 INFINEON 20V MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSD235NH6327XTSA1 Präzisionsgehäuse:
SOT363  
Externes Lager:
336000 Stk.
Anzahl der Stücke 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0757
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		225mOhm 950mA 500mW SOT363 INFINEON 20V MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSD235NH6327XTSA1 Präzisionsgehäuse:
SOT363  
Externes Lager:
285000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0757
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		225mOhm 950mA 500mW SOT363 INFINEON 20V MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
BSD314SPEH6327XTSA1 Infineon P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 230 mOhm; 1,5A; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TBSD314spe Infos
Datenblatt
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BSD314SPEH6327XTSA RoHS || BSD314SPEH6327XTSA1 Infineon SOT363
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSD314SPEH6327XTSA RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT363 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
80 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2658 0,1450 0,0952 0,0859 0,0757
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
230mOhm 1,5A 500mW SOT363 Infineon Technologies 30V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSD840N 2xN-Channel MOSFET-Transistor; 20V; +/-8V; 400 mOhm; 880mA; 500 mW; -55°C~150°C; Äquivalente: BSD840NH6327XTSA1; BSD840NH6327;
Micros Symbol: TBSD840n Infos
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BSD840NH6327XTSA1 RoHS || BSD840NH6327XTSA1 || BSD840N SOT363
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSD840NH6327XTSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT363 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,2243 0,1241 0,0824 0,0688 0,0641
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
400mOhm 880mA 500mW SOT363 INFINEON 20V 2xN-MOSFET -55°C ~ 150°C 8V SMD
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSD840NH6327XTSA1 Präzisionsgehäuse:
SOT363  
Externes Lager:
24000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0641
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		400mOhm 880mA 500mW SOT363 INFINEON 20V 2xN-MOSFET -55°C ~ 150°C 8V SMD
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSD840NH6327XTSA1 Präzisionsgehäuse:
SOT363  
Externes Lager:
225000 Stk.
Anzahl der Stücke 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0641
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		400mOhm 880mA 500mW SOT363 INFINEON 20V 2xN-MOSFET -55°C ~ 150°C 8V SMD
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSD840NH6327XTSA1 Präzisionsgehäuse:
SOT363  
Externes Lager:
216000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0641
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		400mOhm 880mA 500mW SOT363 INFINEON 20V 2xN-MOSFET -55°C ~ 150°C 8V SMD
BSH105 N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 20V; 8V; 375 mOhm; 1,05A; 417 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSH105.215; BSH105.235;
Micros Symbol: TBSH105 Infos
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BSH105,215 RoHS || BSH105 SOT23
Hersteller:
NXP Hersteller-Teilenummer:
BSH105,215 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r  
Auf Lager:
844 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,8687 0,5507 0,4344 0,3940 0,3774
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
375mOhm 1,05A 417mW SOT23 NXP 20V 20V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 8V SMD
BSH108 N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 30V; 20V; 240 mOhm; 1,9A; 830 mW; -65 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSH108.215;
Micros Symbol: TBSH108 Infos
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Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
BSH108 RoHS || BSH108 SOT23
Hersteller:
NXP Hersteller-Teilenummer:
BSH108 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r  
Auf Lager:
1500 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,2160 0,1196 0,0793 0,0662 0,0617
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
240mOhm 1,9A 830mW SOT23 NXP 30V 30V N-MOSFET -65°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
NXP Hersteller-Teilenummer:
BSH108 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r  
Auf Lager:
360 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 2180+
Preis netto (EUR) 0,2160 0,1192 0,0790 0,0657 0,0617
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Standard-Verpackung:
2180
Menge (mehrere 1)
240mOhm 1,9A 830mW SOT23 NXP 30V 30V N-MOSFET -65°C ~ 150°C 20V SMD
BSH111 N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 55V; 10V; 8Ohm; 335mA; 830 mW; -65 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSH111BKR; BSH111,235;
Micros Symbol: TBSH111 Infos
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BSH111 RoHS || BSH111 SOT23
Hersteller:
NXP Hersteller-Teilenummer:
BSH111 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
100 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
Preis netto (EUR) 0,5198 0,3133 0,2397 0,2155 0,2082
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Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
8Ohm 335mA 830mW SOT23 NXP 55V 55V N-MOSFET -65°C ~ 150°C 10V SMD
BSH114 N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 100V; 20V; 1,15 Ohm; 850mA; 830 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSH114.235; BSH114,215; BSH114-VB;
Micros Symbol: TBSH114 Infos
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BSH114,215 RoHS || BSH114 SOT23-3
Hersteller:
NXP Hersteller-Teilenummer:
BSH114,215 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23-3 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
63 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 200+
Preis netto (EUR) 1,0966 0,7239 0,5958 0,5340 0,5222
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Standard-Verpackung:
20/200
Menge (mehrere 1)
1,15Ohm 850mA 830mW SOT23-3 NXP 100V 100V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSH201 P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 4,25 Ohm; 300mA; 417 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSH201.215; BSH205.215;
Micros Symbol: TBSH201 Infos
Datenblatt
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BSH201,215 RoHS || BSH201 SOT23-3
Hersteller:
NXP Hersteller-Teilenummer:
BSH201,215 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23-3 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
2270 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,7263 0,4605 0,3632 0,3299 0,3157
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
4,25Ohm 300mA 417mW SOT23-3 NXP 60V 60V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSH202 P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 30V; 20V; 1,35 Ohm; 520mA; 417 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSH202.215;
Micros Symbol: TBSH202 Infos
Datenblatt
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BSH202 RoHS || BSH202 SOT23
Hersteller:
NXP Hersteller-Teilenummer:
BSH202 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r  
Auf Lager:
80 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 300+ 1200+
Preis netto (EUR) 0,4700 0,2848 0,2188 0,1942 0,1875
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Standard-Verpackung:
300
Menge (mehrere 1)
1,35Ohm 520mA 417mW SOT23 NXP 30V 30V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSH203 P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 30V; 8V; 1,65 Ohm; 470mA; 417 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSH203.215;
Micros Symbol: TBSH203 Infos
Datenblatt
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BSH203,215 RoHS WJ. || BSH203,215 || BSH203 SOT23-3
Hersteller:
NXP Hersteller-Teilenummer:
BSH203,215 RoHS WJ. Präzisionsgehäuse:
SOT23-3 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
190 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2658 0,1455 0,0954 0,0862 0,0760
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
1,65Ohm 470mA 417mW SOT23-3 NXP 30V 30V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 8V SMD
 
Hersteller:
Nexperia Hersteller-Teilenummer:
BSH203,215 Präzisionsgehäuse:
SOT23-3  
Externes Lager:
12000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0989
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		1,65Ohm 470mA 417mW SOT23-3 NXP 30V 30V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 8V SMD
1    29  30  31  32  33  34  35  36  37    355