Transistoren (Ergebnisse: 10252)

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Transistorsysteme [J/N]
BSP135 N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 20V; 60Ohm; 120mA; 1,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSP135H6327; BSP135H6327XTSA1; BSP135H6906XTSA1; BSP135H6433XTMA1; BSP135H6327/SN;
BSP135H6327XTSA1 RoHS || BSP135H6327XTSA1 || BSP135 SOT223
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSP135H6327XTSA1 RoHS
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SOT223t/r
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Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
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60Ohm 120mA 1,8W SOT223 Infineon Technologies 600V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
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Infineon
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BSP135H6327XTSA1
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SOT223
 
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60Ohm 120mA 1,8W SOT223 Infineon Technologies 600V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon
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BSP135H6327XTSA1
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SOT223
 
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60Ohm 120mA 1,8W SOT223 Infineon Technologies 600V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon
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BSP135H6327XTSA1
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SOT223
 
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60Ohm 120mA 1,8W SOT223 Infineon Technologies 600V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSP171P P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 450 mOhm; 1,9A; 1,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSP171PH6327XTSA1; BSP171P H6327
BSP171P H6327 RoHS || BSP171PH6327XTSA1 || BSP171P SOT223
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSP171P H6327 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r
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Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
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450mOhm 1,9A 1,8W SOT223 Infineon Technologies 60V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon
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BSP171PH6327XTSA1
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SOT223
 
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450mOhm 1,9A 1,8W SOT223 Infineon Technologies 60V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSP171PH6327XTSA1
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SOT223
 
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85000 Stk.
Anzahl der Stücke 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
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450mOhm 1,9A 1,8W SOT223 Infineon Technologies 60V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSP171PH6327XTSA1
Präzisionsgehäuse:
SOT223
 
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131000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
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450mOhm 1,9A 1,8W SOT223 Infineon Technologies 60V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSP250 JGSEMI P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 90mOhm; 5A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BSP250,115; BSP250,135;
BSP250 RoHS || BSP250 JGSEMI SOT223
Hersteller:
JGSEMI
Hersteller-Teilenummer:
BSP250 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r
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Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,3381 0,1863 0,1463 0,1357 0,1300
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90mOhm 5A 1,6W SOT223 JGSEMI 30V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSP250 P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 400 mOhm; 3A; 5W; -65 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSP250.115; BSP250.135;
BSP250,115 RoHS || BSP250,115 || BSP250 SOT223
Hersteller:
NXP
Hersteller-Teilenummer:
BSP250,115 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r
 
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1025 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 1,4822 1,0378 0,8818 0,8061 0,7801
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400mOhm 3A 5W SOT223 NXP 30V P-MOSFET -65°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Nexperia
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BSP250,115
Präzisionsgehäuse:
SOT223
 
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Anzahl der Stücke 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
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1
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400mOhm 3A 5W SOT223 NXP 30V P-MOSFET -65°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Nexperia
Hersteller-Teilenummer:
BSP250,115
Präzisionsgehäuse:
SOT223
 
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12000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,7801
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1000
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400mOhm 3A 5W SOT223 NXP 30V P-MOSFET -65°C ~ 150°C 20V SMD
BSP295 N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 500 mOhm; 1,8A; 1,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSP295H6327XTSA1; BSP295L6327;
BSP295H6327XTSA1 RoHS || BSP295H6327XTSA1 || BSP295 SOT223
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSP295H6327XTSA1 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r
Datenblatt
Auf Lager:
1000 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,5721 0,3617 0,2860 0,2600 0,2482
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1000
Menge (mehrere 1)
500mOhm 1,8A 1,8W SOT223 Infineon (IRF) 60V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSP295H6327XTSA1
Präzisionsgehäuse:
SOT223
 
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14800 Stk.
Anzahl der Stücke 25+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
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25
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20 Euro überschreiten.
500mOhm 1,8A 1,8W SOT223 Infineon (IRF) 60V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSP295H6327XTSA1
Präzisionsgehäuse:
SOT223
 
Externes Lager:
64000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2482
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1000
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20 Euro überschreiten.
500mOhm 1,8A 1,8W SOT223 Infineon (IRF) 60V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSP295H6327XTSA1
Präzisionsgehäuse:
SOT223
 
Externes Lager:
209000 Stk.
Anzahl der Stücke 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2482
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Standard-Verpackung:
1000
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Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
500mOhm 1,8A 1,8W SOT223 Infineon (IRF) 60V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSP296NH6327XTSA1 N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 800 mOhm; 1,2A; 1,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSP296NH6433XTMA1;
BSP296NH6327XTSA1 RoHS || BSP296NH6433XTMA1 || BSP296NH6327XTSA1 || BSP296NH6327XTSA1 SOT223-4
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSP296NH6327XTSA1 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT223-4 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
1136 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,6950 0,4421 0,3475 0,3168 0,3026
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Standard-Verpackung:
1000
Menge (mehrere 1)
800mOhm 1,2A 1,8W SOT223-4 Infineon Technologies 100V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSP296NH6433XTMA1
Präzisionsgehäuse:
SOT223-4
 
Externes Lager:
4000 Stk.
Anzahl der Stücke 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,3026
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Standard-Verpackung:
4000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
800mOhm 1,2A 1,8W SOT223-4 Infineon Technologies 100V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSP296NH6327XTSA1
Präzisionsgehäuse:
SOT223-4
 
Externes Lager:
284000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,3026
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
800mOhm 1,2A 1,8W SOT223-4 Infineon Technologies 100V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSP296NH6327XTSA1
Präzisionsgehäuse:
SOT223-4
 
Externes Lager:
112000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,3026
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
800mOhm 1,2A 1,8W SOT223-4 Infineon Technologies 100V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSP297 N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 3Ohm; 660mA; 1,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSP297H6327XTSA1; BSP297H6327XTSA1/SN;
BSP297 RoHS || BSP297H6327XTSA1 || BSP297 SOT223
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSP297 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r
Datenblatt
Auf Lager:
30 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,6856 0,4303 0,3570 0,3191 0,2979
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
3Ohm 660mA 1,8W SOT223 Infineon Technologies 200V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSP297H6327XTSA1
Präzisionsgehäuse:
SOT223
 
Externes Lager:
9925 Stk.
Anzahl der Stücke 25+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2979
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Standard-Verpackung:
25
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
3Ohm 660mA 1,8W SOT223 Infineon Technologies 200V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSP297H6327XTSA1
Präzisionsgehäuse:
SOT223
 
Externes Lager:
93000 Stk.
Anzahl der Stücke 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2979
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
3Ohm 660mA 1,8W SOT223 Infineon Technologies 200V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSP299H N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 20V; 4Ohm; 400mA; 1,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSP299H6327XUSA1; BSP299L6327HUSA1; BSP299 H6327; BSP299H6327XUSA1/SN;
BSP299 H6327 RoHS || BSP299H SOT223-4
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSP299 H6327 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT223-4 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
30 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 1,3215 0,9243 0,7849 0,7187 0,6950
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
4Ohm 400mA 1,8W SOT223-4 Infineon Technologies 500V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSP315P P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 1,4 Ohm; 1,17A; 1,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSP315P; BSP315PH6327XTSA1; BSP315P H6327; BSP315PH6327;
BSP315PH6327XTSA1 RoHS || BSP315PH6327XTSA1 || BSP315P SOT223t/r
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSP315PH6327XTSA1 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r
Datenblatt
Auf Lager:
1150 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,8581 0,5437 0,4303 0,3901 0,3735
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Standard-Verpackung:
1000
Menge (mehrere 1)
1,4Ohm 1,17A 1,8W SOT223t/r Infineon (IRF) 60V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSP315PH6327XTSA1
Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r
 
Externes Lager:
85000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,3735
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
1,4Ohm 1,17A 1,8W SOT223t/r Infineon (IRF) 60V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSP315PH6327XTSA1
Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r
 
Externes Lager:
179000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,3735
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
1,4Ohm 1,17A 1,8W SOT223t/r Infineon (IRF) 60V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSP315PH6327XTSA1
Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r
 
Externes Lager:
9775 Stk.
Anzahl der Stücke 25+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,3735
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Standard-Verpackung:
25
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
1,4Ohm 1,17A 1,8W SOT223t/r Infineon (IRF) 60V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSP315P JGSEMI P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 230 mOhm; 2A; 2W; -55 °C ~ 125 °C; Äquivalent: BSP315P-E6327; BSP315PH6327XTSA1;
BSP315P RoHS || BSP315P JGSEMI SOT223
Hersteller:
JGSEMI
Hersteller-Teilenummer:
BSP315P RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r
Datenblatt
Auf Lager:
300 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 300+ 1500+
Preis netto (EUR) 0,3310 0,2168 0,1558 0,1333 0,1269
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Standard-Verpackung:
300
Menge (mehrere 1)
230mOhm 2A 2W SOT223 JGSEMI 60V P-MOSFET -55°C ~ 125°C 20V SMD
BSP315P SOT223 TEC P-Channel-MOSFET-Transistor; -60V; +/-20V; 130 mOhm; -3A; 2W; -55°C~150°C; Ähnlich zu: BSP315P; BSP315P-VB; BSP315PH6327; BSP315PH6327XTSA1;
BSP315P RoHS || BSP315P SOT223 TEC SOT223
Hersteller:
TECH PUBLIC
Hersteller-Teilenummer:
BSP315P RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r
Datenblatt
Auf Lager:
493 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,5461 0,3310 0,2529 0,2291 0,2180
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Standard-Verpackung:
493
Menge (mehrere 1)
130mOhm -3A 2W SOT223 TECH PUBLIC -60V MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
TECH PUBLIC
Hersteller-Teilenummer:
BSP315P RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r
Datenblatt
Auf Lager:
1467 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,5461 0,3310 0,2529 0,2291 0,2180
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Standard-Verpackung:
1000
Menge (mehrere 1)
130mOhm -3A 2W SOT223 TECH PUBLIC -60V MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSP315P UMW P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 95mOhm; 1,17A; 1,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSP315P-E6327; BSP315PH6327XTSA1;
BSP315P RoHS || BSP315P UMW SOT223
Hersteller:
UMW
Hersteller-Teilenummer:
BSP315P RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r
Datenblatt
Auf Lager:
180 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,5154 0,3120 0,2411 0,2170 0,2064
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
95mOhm 1,17A 1,8W SOT223 UMW 60V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSP322P Infineon P-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 1Ohm; 1A; 1,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSP322PH6327XTSA1; BSP322PL6327HTSA1;
BSP322PH6327XTSA1 RoHS || BSP322PH6327XTSA1 || BSP322P Infineon SOT223
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSP322PH6327XTSA1 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r
Datenblatt
Auf Lager:
40 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4728 0,2624 0,2066 0,1948 0,1886
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
1Ohm 1A 1,8W SOT223 Infineon Technologies 100V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSP322PH6327XTSA1
Präzisionsgehäuse:
SOT223
 
Externes Lager:
85000 Stk.
Anzahl der Stücke 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,1948
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
1Ohm 1A 1,8W SOT223 Infineon Technologies 100V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSP322PH6327XTSA1
Präzisionsgehäuse:
SOT223
 
Externes Lager:
25000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2029
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
1Ohm 1A 1,8W SOT223 Infineon Technologies 100V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSP372 N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 270 mOhm; 1,8A; 1,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSP372NH6327XTSA1;
BSP372N H6327 RoHS || BSP372NH6327XTSA1 || BSP372 SOT223
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSP372N H6327 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r
Datenblatt
Auf Lager:
75 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,5485 0,3451 0,2860 0,2553 0,2388
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
270mOhm 1,8A 1,8W SOT223 Infineon Technologies 100V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSP372NH6327XTSA1
Präzisionsgehäuse:
SOT223
 
Externes Lager:
900 Stk.
Anzahl der Stücke 25+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2636
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Standard-Verpackung:
25
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
270mOhm 1,8A 1,8W SOT223 Infineon Technologies 100V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSP372NH6327XTSA1
Präzisionsgehäuse:
SOT223
 
Externes Lager:
440800 Stk.
Anzahl der Stücke 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2388
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
270mOhm 1,8A 1,8W SOT223 Infineon Technologies 100V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSP372NH6327XTSA1
Präzisionsgehäuse:
SOT223
 
Externes Lager:
155000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2388
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
270mOhm 1,8A 1,8W SOT223 Infineon Technologies 100V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
2SC4382Y NPN 2A 200V 25W 15MHz NPN 2A 200V 25W 15MHz
2SC4382 RoHS || 2SC4382Y TO220iso
Hersteller:
import
Hersteller-Teilenummer:
2SC4382 RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO220iso
 
Auf Lager:
115 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 50+ 300+
Preis netto (EUR) 1,3120 0,9172 0,7778 0,7328 0,6903
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Standard-Verpackung:
50/300
Menge (mehrere 1)
TO220iso 25W 60 15MHz 2A 200V NPN -55°C ~ 150°C
BSP76E6433HUMA1 N-Channel-MOSFET-Transistor; 42V; 12V; 200 mOhm; 1,4A; 3,8 W; -40°C~150°C; Äquivalent: BSP78E6433; BSP76E6433; BSP76E6433HUMA1; BSP76; BSP76E6327HUSA1;
BSP76E6433HUMA1 RoHS || BSP76E6433HUMA1 || BSP76E6433HUMA1 SOT223
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSP76E6433HUMA1 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r
Datenblatt
Auf Lager:
100 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 1,6123 1,1300 0,9598 0,8770 0,8487
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
200mOhm 1,4A 3,8W SOT223 INFINEON 42V N-MOSFET -40°C ~ 150°C 12V SMD
 
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSP76E6433HUMA1
Präzisionsgehäuse:
SOT223
 
Externes Lager:
16840 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,8487
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Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
200mOhm 1,4A 3,8W SOT223 INFINEON 42V N-MOSFET -40°C ~ 150°C 12V SMD
 
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSP76E6433HUMA1
Präzisionsgehäuse:
SOT223
 
Externes Lager:
52000 Stk.
Anzahl der Stücke 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,8487
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Standard-Verpackung:
4000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
200mOhm 1,4A 3,8W SOT223 INFINEON 42V N-MOSFET -40°C ~ 150°C 12V SMD
 
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSP76E6433HUMA1
Präzisionsgehäuse:
SOT223
 
Externes Lager:
16000 Stk.
Anzahl der Stücke 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,8487
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Standard-Verpackung:
4000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
200mOhm 1,4A 3,8W SOT223 INFINEON 42V N-MOSFET -40°C ~ 150°C 12V SMD
BSP88H6327XTSA1 N-Channel-MOSFET-Transistor; 240V; 20V; 15 Ohm; 350mA; 1,8 W; -55 °C ~ 150 °C;
BSP88H6327XTSA1 RoHS || BSP88H6327XTSA1 || BSP88H6327XTSA1 SOT223
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSP88H6327XTSA1 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r
Datenblatt
Auf Lager:
80 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4728 0,2624 0,2071 0,1953 0,1891
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
15Ohm 350mA 1,8W SOT223 Infineon Technologies 240V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSP88H6327XTSA1
Präzisionsgehäuse:
SOT223
 
Externes Lager:
675 Stk.
Anzahl der Stücke 25+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,1891
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Standard-Verpackung:
25
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
15Ohm 350mA 1,8W SOT223 Infineon Technologies 240V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSP88H6327XTSA1
Präzisionsgehäuse:
SOT223
 
Externes Lager:
58000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,1891
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
15Ohm 350mA 1,8W SOT223 Infineon Technologies 240V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSP88H6327XTSA1
Präzisionsgehäuse:
SOT223
 
Externes Lager:
9000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,1891
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
15Ohm 350mA 1,8W SOT223 Infineon Technologies 240V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSP89 N-Channel-MOSFET-Transistor; 240V; 20V; 7,5 Ohm; 350mA; 1,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSP89.115; BSP89 L6327; BSP89H6327XTSA1; BSP89L6327HTSA1;
BSP89 RoHS || BSP89H6327XTSA1 RoHS || BSP89H6327XTSA1 || BSP89 SOT223
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSP89 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r
Datenblatt
Auf Lager:
7 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 300+ 1500+
Preis netto (EUR) 0,4610 0,3026 0,2173 0,1860 0,1771
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Standard-Verpackung:
300
Menge (mehrere 1)
7,5Ohm 350mA 1,8W SOT223 Infineon Technologies 240V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSP89H6327XTSA1 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r
Datenblatt
Auf Lager:
150 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 300+ 1500+
Preis netto (EUR) 0,4610 0,3026 0,2173 0,1860 0,1771
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Standard-Verpackung:
300
Menge (mehrere 1)
7,5Ohm 350mA 1,8W SOT223 Infineon Technologies 240V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSP89H6327XTSA1
Präzisionsgehäuse:
SOT223
 
Externes Lager:
9200 Stk.
Anzahl der Stücke 25+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,1962
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Standard-Verpackung:
25
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
7,5Ohm 350mA 1,8W SOT223 Infineon Technologies 240V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSP89H6327XTSA1
Präzisionsgehäuse:
SOT223
 
Externes Lager:
14000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,1771
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
7,5Ohm 350mA 1,8W SOT223 Infineon Technologies 240V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSR606NH6327XTSA1 N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 90mOhm; 2,3A; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C;
BSR606NH6327XTSA1 RoHS LIs. || BSR606NH6327XTSA1 SC59
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSR606NH6327XTSA1 RoHS LIs.
Präzisionsgehäuse:
SC59
Datenblatt
Auf Lager:
25 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 25+ 100+ 500+
Preis netto (EUR) 0,3995 0,2600 0,2078 0,1702 0,1537
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Standard-Verpackung:
25
Menge (mehrere 1)
90mOhm 2,3A 500mW SC59 Infineon Technologies 60V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSR802NL INFINEON N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 32mOhm; 3,7A; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSR802NL6327HTSA1;
BSR802N L6327 RoHS || BSR802NL INFINEON SC-59
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSR802N L6327 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SC-59 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
100 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4373 0,2411 0,1891 0,1749 0,1678
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
32mOhm 3,7A 500mW SC-59 Infineon (IRF) 20V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 8V SMD
BSS119NH6327 Infineon N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 10 Ohm; 190mA; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS119NH6327XTSA1; BSS119 L6327; BSS119NH6433XTMA1
BSS119NH6327XTSA1 RoHS || BSS119NH6327XTSA1 || BSS119NH6327 Infineon SOT23
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSS119NH6327XTSA1 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
2540 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,2813 0,1553 0,1031 0,0861 0,0801
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
10Ohm 190mA 500mW SOT23 Infineon Technologies 100V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSS119NH6327XTSA1
Präzisionsgehäuse:
SOT23
 
Externes Lager:
5700 Stk.
Anzahl der Stücke 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0801
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Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
10Ohm 190mA 500mW SOT23 Infineon Technologies 100V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSS119NH6327XTSA1
Präzisionsgehäuse:
SOT23
 
Externes Lager:
216000 Stk.
Anzahl der Stücke 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0801
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
10Ohm 190mA 500mW SOT23 Infineon Technologies 100V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSS123 smd N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 6Ohm; 170mA; 225 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS123; BSS123L6327; BSS123LT1G; BSS123-7-F; BSS123TA; BSS123NH6327XTSA1; BSS123-13-F; BSS123L; BSS123-FAI;
BSS123LT1G RoHS || BSS123LT1G || BSS123 || BSS123 smd SOT23
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
BSS123LT1G RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
31300 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1756 0,0835 0,0468 0,0357 0,0319
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
6Ohm 170mA 225mW SOT23 ON SEMICONDUCTOR 100V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
BSS123LT1G
Präzisionsgehäuse:
SOT23
 
Externes Lager:
6282000 Stk.
Anzahl der Stücke 18000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0319
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
6Ohm 170mA 225mW SOT23 ON SEMICONDUCTOR 100V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
BSS123LT1G
Präzisionsgehäuse:
SOT23
 
Externes Lager:
3420000 Stk.
Anzahl der Stücke 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0319
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
6Ohm 170mA 225mW SOT23 ON SEMICONDUCTOR 100V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
BSS123
Präzisionsgehäuse:
SOT23
 
Externes Lager:
555000 Stk.
Anzahl der Stücke 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0319
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
6Ohm 170mA 225mW SOT23 ON SEMICONDUCTOR 100V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSS123 N-Channel MOSFET 0.17A 100V 10000m? BSS123-YAN
BSS123 RoHS || BSS123 SOT23
Hersteller:
YFW
Hersteller-Teilenummer:
BSS123 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
 
Auf Lager:
5000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Preis netto (EUR) 0,0742 0,0286 0,0139 0,0111 0,0106
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
6Ohm 170mA 360mW SOT-23 YFW 100V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSS123 Fairchild N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 12 Ohm; 170mA; 360 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS123L; BSS123-G; BSS123-TP;
BSS123 RoHS || BSS123-TP || BSS123 Fairchild SOT23
Hersteller:
Fairchild
Hersteller-Teilenummer:
BSS123 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
 
Auf Lager:
15 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1203 0,0553 0,0300 0,0225 0,0201
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Produkt verfügbar, bis es vergriffen ist
Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
12Ohm 170mA 360mW SOT23 Fairchild 100V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Micro Commercial Components Corp.
Hersteller-Teilenummer:
BSS123-TP
Präzisionsgehäuse:
SOT23
 
Externes Lager:
2943000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0395
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Produkt verfügbar, bis es vergriffen ist
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
12Ohm 170mA 360mW SOT23 Fairchild 100V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSS123 GALAXY N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 10 Ohm; 170mA; 350 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP;
BSS123 RoHS || BSS123 GALAXY SOT23
Hersteller:
GALAXY
Hersteller-Teilenummer:
BSS123 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,0948 0,0374 0,0218 0,0160 0,0146
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
10Ohm 170mA 350mW SOT23 GALAXY 100V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSS123 SA SOT23 HT(Shenzhen Jinyu Semicon) Trans. N-Channel MOSFET; 100V; +/-20V; 170mA; 10Ohm; 360mW; -55°C~150°C;
BSS123 RoHS || BSS123 SA SOT23 HT(Shenzhen Jinyu Semicon) SOT23
Hersteller:
HT SEMI
Hersteller-Teilenummer:
BSS123 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
 
Auf Lager:
11990 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Preis netto (EUR) 0,0638 0,0246 0,0120 0,0095 0,0091
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
10Ohm 170mA 360mW SOT23 HT 100V 10V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
2SC4466-Y Transistor NPN 80V 8A Transistor NPN 80V 8A
2SC4466Y RoHS || 2SC4466-Y TO3PFM
Hersteller:
INCHANGE SEMICONDUCTORS Co.Ltd
Hersteller-Teilenummer:
2SC4466Y RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO3PFM
 
Auf Lager:
10 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,1560 0,8487 0,6808 0,5839 0,5508
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Standard-Verpackung:
10
Menge (mehrere 1)
TO3PFM Inchange Semiconductors 60W 180 20MHz 6A 80V NPN -55°C ~ 150°C
BSS123 JSMICRO N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 10 Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP;
BSS123 RoHS || BSS123 JSMICRO SOT23
Hersteller:
JSMicro Semiconductor
Hersteller-Teilenummer:
BSS123 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
1500 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,0934 0,0369 0,0215 0,0157 0,0144
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
10Ohm 170mA 350mW SOT23 JSMICRO 100V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
2SC4467 Transistor GP BJT NPN 120V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Transistor GP BJT NPN 120V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
2SC4467L RoHS || 2SC4467 TO3PFM
Hersteller:
UTC
Hersteller-Teilenummer:
2SC4467L RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO3PFM
 
Auf Lager:
21 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
Preis netto (EUR) 1,8841 1,3971 1,1915 1,1229 1,1087
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Standard-Verpackung:
30
Menge (mehrere 1)
TO3PFM Inchange Semiconductors 80W 140 20MHz 8A 120V NPN -55°C ~ 150°C
BSS123 JUXING N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 10 Ohm; 170mA; 350 mW; -50 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP;
BSS123 0.323MM RoHS || BSS123 JUXING SOT23
Hersteller:
JUXING
Hersteller-Teilenummer:
BSS123 0.323MM RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Preis netto (EUR) 0,0742 0,0286 0,0140 0,0111 0,0106
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
10Ohm 170mA 350mW SOT23 JUXING 100V N-MOSFET -50°C ~ 150°C 20V SMD
1    27  28  29  30  31  32  33  34  35    342