Transistoren (Ergebnisse: 10636)
| Produkt | Warenkorb |
Widerstand im offenen Kanal
|
Max. Drainstrom
|
Maximaler Leistungsverlust
|
Gehäuse
|
Hersteller
|
Verlustleistung
|
Stromverstärkungsfaktor
|
Gate-Ladung
|
Grenzfrequenz
|
Maximale Verlustleistung
|
Max. Drain-Source Spannung
|
Max. Kollektor-Strom [A]
|
Max. Kollektor-Emitter-Spannung
|
Max. Kollektor-Strom im Impuls
|
Max. Kollektor-Strom
|
Vorwärtsspannung [Vgeth]
|
Msx. Drain-Gate Spannung
|
Transistor-Typ
|
Betriebstemperatur (Bereich)
|
Max. Gate-Source Spannung
|
Kollektor-Emitter-Spannung
|
Montage
|
Gate - Emitter Spannung
|
Transistorsysteme [J/N]
|
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2SC2562 TOSHIBA
Transistor Transistor
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Hersteller:
INCHANGE SEMICONDUCTORS Co.Ltd Hersteller-Teilenummer: 2SC2562 RoHS Präzisionsgehäuse: TO220 |
Auf Lager:
10 Stk. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 50 Menge (mehrere 1) |
TO220 | Inchange Semiconductors | 25W | 240 | 120MHz | 5A | 50V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
2SC2625
NPN 10A 400V 80W NPN 10A 400V 80W
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Hersteller:
UTC Hersteller-Teilenummer: 2SC2625L-T3P-T RoHS Präzisionsgehäuse: TO247 |
Auf Lager:
30 Stk. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 30 Menge (mehrere 1) |
TO247 | FUJI ELECTRIC | 80W | 10 | 10A | 400V | NPN | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
|
2SC2625 TO-3PN OSEN
Transistor NPN; Bipolar; 35; 400V; 4MHz; 8mA; 125W; -55°C~150°C; 2SC2625; 2SC2625T4TL; 2SC2625L-T3P-T;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
30 Stk. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 30/90 Menge (mehrere 1) |
TO 3PN | OSEN | 125W | 35 | 4MHz | 8A | 400V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
AUIRFS8405 International Rectifier
N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 2,3 mOhm; 193A; 163W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: AUIRFS8405TRL;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
15 Stk. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 50 Menge (mehrere 1) |
2,3mOhm | 193A | 163W | TO263 (D2PAK) | International Rectifier | 40V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
2SC2712-G SLKOR
NPN-Transistor; 400; 150mW; 50V; 150mA; 80MHz; -55°C ~ 125°C; Äquivalent: 2SC2712-GR,LF; 2SC2712-GR(TE85L,F; 2SC2712-GR(T5L,F,T); 2SC2712GT1G; 2SC2712-GR-TP;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
3000 Stk. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
SOT23 | SLKOR | 150mW | 400 | 80MHz | 150mA | 50V | NPN | -55°C ~ 125°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
2SC2712 JSMICRO
NPN-Transistor; 240; 150mW; 50V; 150mA; 80MHz; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: 2SC2712-Y,LF; 2SC2712-Y-TP
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Hersteller:
JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer: 2SC2712 RoHS Präzisionsgehäuse: SOT23t/r |
Auf Lager:
3000 Stk. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
SOT23 | JSMICRO | 150mW | 240 | 80MHz | 150mA | 50V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
2SC2712-Y SHIKUES
NPN-Transistor; 240; 150mW; 50V; 150mA; 80MHz; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: 2SC2712-Y,LF; 2SC2712-Y-TP
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
3000 Stk. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
SOT23 | SHIKUES | 150mW | 240 | 80MHz | 150mA | 50V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
2SC2712-GR UMW
NPN-Transistor; 400; 150mW; 50V; 150mA; 80MHz; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: 2SC2712-GR,LF; 2SC2712-GR(TE85L,F; 2SC2712-GR(T5L,F,T); 2SC2712GT1G; 2SC2712-GR-TP;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
3000 Stk. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
SOT23 | UMW | 150mW | 400 | 80MHz | 150mA | 50V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
2SC2837 TO-3P
NPN 150V 10A 100W 70MHz NPN 150V 10A 100W 70MHz
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Hersteller:
SPTECH Hersteller-Teilenummer: 2SC2837 RoHS Präzisionsgehäuse: TO 3P |
Auf Lager:
90 Stk. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 30/100 Menge (mehrere 1) |
TO 3P | PMC-Sierra | 100W | 50 | 70MHz | 10A | 150V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
AUIRLR014N International Rectifier
N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 16V; 210mOhm; 10A; 28W; -55 °C ~ 175 °C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
187 Stk. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 75/225 Menge (mehrere 1) |
210mOhm | 10A | 28W | TO252 (DPACK) | International Rectifier | 55V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 16V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
AUIRLR3705Z International Rectifier
N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 16V; 12mOhm; 89A; 130 W; -55 °C ~ 175 °C; VERALTET; Äquivalent: AUIRLR3705ZTR; AUIRLR3705ZTRL;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
65 Stk. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 75 Menge (mehrere 1) |
12mOhm | 89A | 130W | TO252 (DPACK) | International Rectifier | 55V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 16V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
BF1202WR
2xN-MOSFET-Transistor; 10V; 6V; 30mA; 200 mW; -65 °C ~ 150 °C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Hersteller:
Philips Hersteller-Teilenummer: BR1202WR 115 RoHS Präzisionsgehäuse: SOT343R |
Auf Lager:
69 Stk. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 69 Menge (mehrere 1) |
30mA | 200mW | SOT343R | NXP | 10V | 2xN-MOSFET | -65°C ~ 150°C | 6V | SMD | |||||||||||||||||||||||||||
|
2SC3263
NPN 15A 230V 130W 60MHz NPN 15A 230V 130W 60MHz
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Hersteller:
PMC-Sierra Hersteller-Teilenummer: 2SC3263 RoHS Präzisionsgehäuse: TO 3P |
Auf Lager:
23 Stk. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 10/30 Menge (mehrere 1) |
TO 3P | 130W | 140 | 60MHz | 15A | 230V | NPN | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
|
2SC3284
NPN 14A 150V 125W 60MHz NPN 14A 150V 125W 60MHz
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Hersteller:
PMC-Sierra Hersteller-Teilenummer: 2SC3284 RoHS Präzisionsgehäuse: TO247 |
Auf Lager:
31 Stk. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 70 Menge (mehrere 1) |
TO-3P | PMC-Sierra | 125W | 50 | 60MHz | 14A | 150V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
2SC3298
NPN 1,5A 200V 20W 100MHz NPN 1,5A 200V 20W 100MHz
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Hersteller:
PMC-Sierra Hersteller-Teilenummer: 2SC3298 RoHS Präzisionsgehäuse: TO220iso |
Auf Lager:
70 Stk. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 180 Menge (mehrere 1) |
TO220iso | PMC-Sierra | 20W | 240 | 100MHz | 1,5A | 200V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
|
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2026-04-10
Anzahl der Stücke: 120
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
BF998 smd
N-Channel-MOSFET-Transistor; 12V; 20V; 30mA; 200 mW; -65 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BF998E6327HTSA1; BF998E6327; BF998E6327XT; BF998.215;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: BF998 RoHS Präzisionsgehäuse: SOT143 t/r |
Auf Lager:
2890 Stk. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
30mA | 200mW | SOT143 | Infineon Technologies | 12V | N-MOSFET | -65°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||||
|
IKD04N60R
IGBT-Transistor ; 600V; 20V; 8A; 12A; 75W; 4,3V~5,7V; 27nC; -40°C~175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
30 Stk. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 50 Menge (mehrere 1) |
TO252 (DPAK) | Infineon Technologies | 27nC | 75W | 12A | 8A | 4,3V ~ 5,7V | -40°C ~ 175°C | 600V | SMD | 20V | |||||||||||||||||||||||||
|
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: IKD04N60RATMA1 Präzisionsgehäuse: TO252 (DPACK) |
Externes Lager:
580 Stk. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 5 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
TO252 (DPAK) | Infineon Technologies | 27nC | 75W | 12A | 8A | 4,3V ~ 5,7V | -40°C ~ 175°C | 600V | SMD | 20V | |||||||||||||||||||||||||
|
2SC3356-T1B-A Renesas
NPN Transistor; 160; 200mW; 12V; 100mA; 7GHz; -65°C ~ 150°C; NPN Transistor; 160; 200mW; 12V; 100mA; 7GHz; -65°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Hersteller:
YFW Hersteller-Teilenummer: 2SC3356-S RoHS Präzisionsgehäuse: SOT23t/r |
Auf Lager:
2000 Stk. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 1000 Menge (mehrere 1) |
SOT23 | HOTTECH | 200mW | 160 | 7GHz | 100mA | 12V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
400 Stk. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
SOT23 | HOTTECH | 200mW | 160 | 7GHz | 100mA | 12V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
2SC3356 R25 SLKOR
NPN-Transistor; 260; 200mW; 12V; 0.1A; 7GHz; -65°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
4200 Stk. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
SOT23 | SLKOR | 200mW | 260 | 7GHz | 100mA | 12V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
IKD06N60RF
IGBT-Transistor ; 600V; 20V; 12A; 18A; 100W; 4,3V~5,7V; 48nC; -40°C~175°C; Äquivalent: IKD06N60RFAATMA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
26 Stk. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 50 Menge (mehrere 1) |
TO252 (DPAK) | Infineon Technologies | 48nC | 100W | 18A | 12A | 4,3V ~ 5,7V | -40°C ~ 175°C | 600V | SMD | 20V | |||||||||||||||||||||||||
|
2SC3519
NPN 15A 160V 130W NPN 15A 160V 130W
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Hersteller:
SPTECH Hersteller-Teilenummer: 2SC3519 RoHS Präzisionsgehäuse: TO 3P |
Auf Lager:
16 Stk. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 18 Menge (mehrere 1) |
TO 3P | PMC-Sierra | 130W | 50 | 50MHz | 15A | 160V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
Hersteller:
Sanken Hersteller-Teilenummer: 2SC3519 RoHS Präzisionsgehäuse: TO 3P |
Auf Lager:
0 Stk. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 30/100 Menge (mehrere 1) |
TO 3P | PMC-Sierra | 130W | 50 | 50MHz | 15A | 160V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
BM3415E SOT23 BORN
P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 65mOhm; 4,8A; 1,5 W; -50 °C ~ 150 °C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
280 Stk. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 300 Menge (mehrere 1) |
65mOhm | 4,8A | 1,5W | SOT23 | BORN | 20V | P-MOSFET | -50°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
BS107P DIODES
N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 30 Ohm; 120mA; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BS107AG; BS107ARL1G; BS107P;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
20 Stk. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 1000 Menge (mehrere 1) |
30Ohm | 120mA | 500mW | TO92 | DIODES | 200V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
200 Stk. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 300 Menge (mehrere 1) |
30Ohm | 120mA | 500mW | TO92 | DIODES | 200V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
|
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: BS107P Präzisionsgehäuse: TO92 |
Externes Lager:
4170 Stk. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 4000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
30Ohm | 120mA | 500mW | TO92 | DIODES | 200V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
|
BS170-D26Z (krępowane=forming)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 5Ohm; 500mA; 830 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BS170_D26Z (Rolle); BS170_D27Z(Rolle); BS170_D74Z/BS170_D75Z(Munition); BS170RL1G(T/R); BS170D27Z; BS170-D27Z; BS170-BAND; BS170_D26Z REEL; BS170D26Z; BS170-GURT;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Hersteller:
ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BS170-D26Z RoHS Präzisionsgehäuse: TO92formed t/r |
Auf Lager:
3720 Stk. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 2000 Menge (mehrere 1) |
5Ohm | 500mA | 830mW | TO92formed | ON SEMICONDUCTOR | 60V | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | THT | |||||||||||||||||||||||||
|
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: BS170FTA Präzisionsgehäuse: TO92formed |
Externes Lager:
6000 Stk. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
5Ohm | 500mA | 830mW | TO92formed | ON SEMICONDUCTOR | 60V | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | THT | |||||||||||||||||||||||||
|
BS170FTA smd
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 5Ohm; 0,15 mA; 330 mW; -55 °C ~ 150 °C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: BS170FTA RoHS Präzisionsgehäuse: SOT23t/r |
Auf Lager:
565 Stk. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 2403 Menge (mehrere 1) |
5Ohm | 0,15mA | 330mW | SOT23 | DIODES | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
BS250FTA
P-Channel-MOSFET-Transistor; 45V; +/-20V; 90mA; 14Ohm; 330 mW; -55°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
3000 Stk. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
14Ohm | 90mA | 330mW | SOT23 | DIODES | 45V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: BS250FTA Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
6000 Stk. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
14Ohm | 90mA | 330mW | SOT23 | DIODES | 45V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
BS270
Trans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin TO-92 Transistor: N-MOSFET | unipolar | 60V | 0,4A | Idm: 2A | 0,625 W | TO92
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
494 Stk. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 494 Menge (mehrere 1) |
2Ohm | 400mA | 625mW | TO92 | ONSEMI | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
|
BSC010NE2LSATMA1 Infineon
N-Channel-MOSFET-Transistor; 25V; 20V; 1,3 mOhm; 100A; 96W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSC010NE2LSATMA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
30 Stk. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 50 Menge (mehrere 1) |
1,3mOhm | 100A | 96W | TDSON08 | Infineon Technologies | 25V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: BSC010NE2LSATMA1 Präzisionsgehäuse: TDSON08 |
Externes Lager:
10000 Stk. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 5000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
1,3mOhm | 100A | 96W | TDSON08 | Infineon Technologies | 25V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: BSC010NE2LSATMA1 Präzisionsgehäuse: TDSON08 |
Externes Lager:
5000 Stk. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 5000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
1,3mOhm | 100A | 96W | TDSON08 | Infineon Technologies | 25V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
BSC016N04LS G
N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 2,3 mOhm; 100A; 139W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSC016N04LSGATMA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
38 Stk. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 50 Menge (mehrere 1) |
2,3mOhm | 100A | 139W | TDSON08 | Infineon Technologies | 40V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
BSC016N06NS
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 2,9 mOhm; 100A; 139W; -55 °C ~ 150 °C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
109 Stk. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 100 Menge (mehrere 1) |
2,9mOhm | 100A | 139W | TDSON08 | Infineon Technologies | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: BSC016N06NSATMA1 Präzisionsgehäuse: TDSON08 |
Externes Lager:
5000 Stk. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 5000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
2,9mOhm | 100A | 139W | TDSON08 | Infineon Technologies | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: BSC016N06NSATMA1 Präzisionsgehäuse: TDSON08 |
Externes Lager:
10000 Stk. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 5000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
2,9mOhm | 100A | 139W | TDSON08 | Infineon Technologies | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: BSC016N06NSATMA1 Präzisionsgehäuse: TDSON08 |
Externes Lager:
2000 Stk. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 50 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
2,9mOhm | 100A | 139W | TDSON08 | Infineon Technologies | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||