Transistoren (Ergebnisse: 9656)

1    28  29  30  31  32  33  34  35  36    322
Produkt Warenkorb
Widerstand im offenen Kanal
Max. Drainstrom
Maximaler Leistungsverlust
Gehäuse
Hersteller
Verlustleistung
Stromverstärkungsfaktor
Grenzfrequenz
Gate-Ladung
Maximale Verlustleistung
Max. Drain-Source Spannung
Max. Kollektor-Strom [A]
Max. Kollektor-Emitter-Spannung
Max. Kollektor-Strom
Max. Kollektor-Strom im Impuls
Vorwärtsspannung [Vgeth]
Transistor-Typ
Msx. Drain-Gate Spannung
Betriebstemperatur (Bereich)
Max. Gate-Source Spannung
Montage
Kollektor-Emitter-Spannung
Gate - Emitter Spannung
Transistorsysteme [J/N]
BSS87H6327 Infineon N-Channel-MOSFET-Transistor; 240V; 20V; 7,5 Ohm; 260mA; 1W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS87H6327FTSA1; BSS87H6327XTSA1;
Micros Symbol: TBSS87 INF Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
BSS87H6327FTSA1 RoHS || BSS87H6327 Infineon SOT89
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSS87H6327FTSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT89 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
237 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4961 0,2995 0,2305 0,2080 0,1980
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
1000
Menge (mehrere 1)
7,5Ohm 260mA 1W SOT89 Infineon Technologies 240V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
2SC5707 smd Transistor NPN; Bipolar; 560; 50V; 6V; 330MHz; 8A; 15W; -55°C~150°C; Transistor NPN; Bipolar; 560; 50V; 6V; 330MHz; 8A; 15W; -55°C~150°C;
Micros Symbol: T2SC5707 smd Infos
Datenblatt
Zu favoriten hinzufügen
2SC5707 RoHS || 2SC5707 smd DPAK
Hersteller:
Sanyo Hersteller-Teilenummer:
2SC5707 RoHS Präzisionsgehäuse:
DPAK
Datenblatt
Auf Lager:
70 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 91+ 455+
Preis netto (EUR) 1,0086 0,6693 0,5546 0,5008 0,4797
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
91
Menge (mehrere 1)
DPAK Sanyo 15W 560 330MHz 8A 50V NPN -55°C ~ 150°C
BST82 N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 100V; 20V; 23Ohm; 190mA; 830 mW; -65 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BST82.215; BST82,235;
Micros Symbol: TBST82 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
BST82 RoHS || BST82,215 RoHS || BST82 SOT23
Hersteller:
NXP Hersteller-Teilenummer:
BST82 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r  
Auf Lager:
308 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,3089 0,1694 0,1112 0,0959 0,0885
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
1000
Menge (mehrere 1)
23Ohm 190mA 830mW SOT23 NXP 100V N-MOSFET 100V -65°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
NXP Hersteller-Teilenummer:
BST82,215 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r  
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2504 0,1324 0,1027 0,0948 0,0908
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
23Ohm 190mA 830mW SOT23 NXP 100V N-MOSFET 100V -65°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
NXP Hersteller-Teilenummer:
BST82,215 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r  
Auf Lager:
200 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2504 0,1324 0,1027 0,0948 0,0908
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
23Ohm 190mA 830mW SOT23 NXP 100V N-MOSFET 100V -65°C ~ 150°C 20V SMD
IKW40T120 Trans IGBT ; 1200V; 20V; 75A; 105A; 270W; 5,0V~6,5V; 203nC; -40°C~150°C; Äquivalent: IKW40T120FKSA1;
Micros Symbol: TIKW40t120 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
IKW40T120FKSA1 RoHS || IKW40T120 TO247
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IKW40T120FKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO247
Datenblatt
Auf Lager:
20 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
Preis netto (EUR) 8,3166 7,0529 6,2784 5,8829 5,6583
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
30
Menge (mehrere 1)
TO247 Infineon Technologies 203nC 270W 75A 105A 5,0V ~ 6,5V -40°C ~ 150°C THT 1200V 20V
IKW50N60H3 IGBT-Transistor ; 600V; 20V; 100A; 200A; 333W; 4,1V~5,7V; 315nC; -40°C~175°C; Äquivalent: IKW50N60H3FKSA1;
Micros Symbol: TIKW50n60h3 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
IKW50N60H3 RoHS || IKW50N60H3 TO247
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IKW50N60H3 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO247
Datenblatt
Auf Lager:
24 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
Preis netto (EUR) 2,9485 2,5343 2,2909 2,1716 2,1061
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
30
Menge (mehrere 1)
TO247 Infineon Technologies 315nC 333W 100A 200A 4,1V ~ 5,7V -40°C ~ 175°C THT 600V 20V
2SC6011A Transistor GP BJT NPN 230V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Bulk Transistor GP BJT NPN 230V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Bulk
Micros Symbol: T2SC6011a Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
2SC6011A RoHS || 2SC6011A TO 3P
Hersteller:
SPTECH Hersteller-Teilenummer:
2SC6011A RoHS Präzisionsgehäuse:
TO 3P  
Auf Lager:
4 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 4+ 20+ 100+ 300+
Preis netto (EUR) 1,9563 1,5889 1,4040 1,3268 1,3034
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
4
Menge (mehrere 1)
TO 3P Inchange Semiconductors 160W 180 20MHz 15A 230V NPN -55°C ~ 150°C
IKW50N65H5 Trans IGBT; 600V; 20V; 80A; 150A; 305W; 3,2V~4,8V; 120nC; -40°C~175°C; Äquivalent: IKW50N65H5FKSA1;
Micros Symbol: TIKW50n65h5 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
IKW50N65H5FKSA1 RoHS || IKW50N65H5 TO247
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IKW50N65H5FKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO247
Datenblatt
Auf Lager:
101 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
Preis netto (EUR) 5,3658 4,5140 3,9992 3,7441 3,6013
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
30
Menge (mehrere 1)
TO247 Infineon Technologies 120nC 305W 80A 150A 3,2V ~ 4,8V -40°C ~ 175°C THT 600V 20V
IKW75N60T IGBT-Transistor ; 600V; 20V; 80A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C; Äquivalent: IKW75N60TFKSA1;
Micros Symbol: TIKW75n60t Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
IKW75N60TFKSA1 RoHS || IKW75N60T RoHS || IKW75N60T TO247
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IKW75N60TFKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO247
Datenblatt
Auf Lager:
8 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 30+ 60+ 120+
Preis netto (EUR) 5,0522 4,5374 4,2940 4,2449 4,2098
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
30/60
Menge (mehrere 1)
TO247 Infineon Technologies 470nC 428W 80A 225A 4,1V ~ 5,7V -40°C ~ 175°C THT 600V 20V
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IKW75N60T RoHS Präzisionsgehäuse:
TO247
Datenblatt
Auf Lager:
30 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
Preis netto (EUR) 5,0522 4,6520 4,4063 4,2823 4,2098
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
30
Menge (mehrere 1)
TO247 Infineon Technologies 470nC 428W 80A 225A 4,1V ~ 5,7V -40°C ~ 175°C THT 600V 20V
BUK6D120-60PX P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; +/-20V; 120 mOhm; 8A; 15W; -55°C~175°C; Äquivalent: BUK6D120-60PX; BUK6D120-60PZ;
Micros Symbol: TBUK6d120-60px Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
BUK6D120-60PX RoHS || BUK6D120-60PX DFN06
Hersteller:
NXP Hersteller-Teilenummer:
BUK6D120-60PX RoHS Präzisionsgehäuse:
DFN06
Datenblatt
Auf Lager:
290 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,3627 0,2017 0,1594 0,1446 0,1399
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
120mOhm 8A 15W DFN06 NXP 60V P-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
BUK7K15-80EX 2xN-Channel MOSFET-Transistor; 80V; 80V; 20V; 38mOhm; 23A; 68W; -55 °C ~ 175 °C; BUK7K15-80EX
Micros Symbol: TBUK7k15-80ex Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
BUK7K15-80EX RoHS || BUK7K15-80EX LFPAK
Hersteller:
NXP Hersteller-Teilenummer:
BUK7K15-80EX RoHS Präzisionsgehäuse:
LFPAK
Datenblatt
Auf Lager:
11 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 21+ 84+ 252+
Preis netto (EUR) 1,7808 1,4111 1,2707 1,2098 1,1864
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
21
Menge (mehrere 1)
38mOhm 23A 68W LFPAK NXP 80V 2xN-MOSFET 80V -55°C ~ 175°C 20V SMD
BUK7M12-60EX N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 27mOhm; 53A; 75W; -55 °C ~ 175 °C;
Micros Symbol: TBUK7m12-60ex Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
BUK7M12-60EX RoHS || BUK7M12-60EX LFPAK33 (SOT1210)
Hersteller:
NXP Hersteller-Teilenummer:
BUK7M12-60EX RoHS Präzisionsgehäuse:
LFPAK33 (SOT1210)
Datenblatt
Auf Lager:
4 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 4+ 20+ 100+ 300+
Preis netto (EUR) 1,8720 1,4766 1,2777 1,1958 1,1700
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
4
Menge (mehrere 1)
27mOhm 53A 75W LFPAK33 (SOT1210) NXP 60V N-MOSFET 60V -55°C ~ 175°C 20V SMD
BUK7M15-60EX N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 34 mOhm; 43A; 62W; -55 °C ~ 175 °C;
Micros Symbol: TBUK7m15-60ex Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
BUK7M15-60EX RoHS || BUK7M15-60EX LFPAK33 (SOT1210)
Hersteller:
NXP Hersteller-Teilenummer:
BUK7M15-60EX RoHS Präzisionsgehäuse:
LFPAK33 (SOT1210)
Datenblatt
Auf Lager:
4 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 4+ 20+ 100+ 300+
Preis netto (EUR) 1,7972 1,3760 1,1653 1,0834 1,0577
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
4
Menge (mehrere 1)
34mOhm 43A 62W LFPAK33 (SOT1210) NXP 60V N-MOSFET 60V -55°C ~ 175°C 20V SMD
BUK7M27-80EX N-Channel-MOSFET-Transistor; 80V; 80V; 20V; 68mOhm; 30A; 62W; -55 °C ~ 175 °C;
Micros Symbol: TBUK7m27-80ex Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
BUK7M27-80EX RoHS || BUK7M27-80EX LFPAK33 (SOT1210)
Hersteller:
NXP Hersteller-Teilenummer:
BUK7M27-80EX RoHS Präzisionsgehäuse:
LFPAK33 (SOT1210)
Datenblatt
Auf Lager:
4 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 4+ 20+ 100+ 300+
Preis netto (EUR) 1,8861 1,4883 1,2870 1,2051 1,1794
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
4
Menge (mehrere 1)
68mOhm 30A 62W LFPAK33 (SOT1210) NXP 80V N-MOSFET 80V -55°C ~ 175°C 20V SMD
BUK7M33-60EX N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 74 mOhm; 24A; 44W; -55 °C ~ 175 °C;
Micros Symbol: TBUK7m33-60ex Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
BUK7M33-60EX RoHS || BUK7M33-60EX LFPAK33 (SOT1210)
Hersteller:
NXP Hersteller-Teilenummer:
BUK7M33-60EX RoHS Präzisionsgehäuse:
LFPAK33 (SOT1210)
Datenblatt
Auf Lager:
4 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 4+ 20+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,7278 0,5757 0,4002 0,3370 0,3159
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
4
Menge (mehrere 1)
74mOhm 24A 44W LFPAK33 (SOT1210) NXP 60V N-MOSFET 60V -55°C ~ 175°C 20V SMD
BUK7M3R3-40H N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 7,2 mOhm; 80A; 101W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: BUK7M3R3-40HX;
Micros Symbol: TBUK7m3r3-40h Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
BUK7M3R3-40HX RoHS || BUK7M3R3-40H LFPAK33 (SOT1210)
Hersteller:
NXP Hersteller-Teilenummer:
BUK7M3R3-40HX RoHS Präzisionsgehäuse:
LFPAK33 (SOT1210)
Datenblatt
Auf Lager:
10 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,1911 0,9103 0,7535 0,6599 0,6271
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
10
Menge (mehrere 1)
7,2mOhm 80A 101W LFPAK33 (SOT1210) NXP 40V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
BUK7M67-60EX N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 150 mOhm; 14A; 31W; -55 °C ~ 175 °C;
Micros Symbol: TBUK7m67-60ex Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
BUK7M67-60EX RoHS || BUK7M67-60EX LFPAK33 (SOT1210)
Hersteller:
NXP Hersteller-Teilenummer:
BUK7M67-60EX RoHS Präzisionsgehäuse:
LFPAK33 (SOT1210)
Datenblatt
Auf Lager:
4 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 4+ 20+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 1,3292 0,9664 0,7909 0,7231 0,6997
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
4
Menge (mehrere 1)
150mOhm 14A 31W LFPAK33 (SOT1210) NXP 60V N-MOSFET 60V -55°C ~ 175°C 20V SMD
BUK7M6R3-40EX N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 40V; 20V; 12,5 mOhm; 70A; 79W; -55 °C ~ 175 °C;
Micros Symbol: TBUK7m6r3-40ex Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
BUK7M6R3-40EX RoHS || BUK7M6R3-40EX LFPAK33 (SOT1210)
Hersteller:
NXP Hersteller-Teilenummer:
BUK7M6R3-40EX RoHS Präzisionsgehäuse:
LFPAK33 (SOT1210)
Datenblatt
Auf Lager:
5 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Preis netto (EUR) 1,1560 0,7675 0,6365 0,5733 0,5499
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
5
Menge (mehrere 1)
12,5mOhm 70A 79W LFPAK33 (SOT1210) NXP 40V N-MOSFET 40V -55°C ~ 175°C 20V SMD
BUK7V4R2-40HX Dualer N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 4,2 mOhm; 98A; 85W; -55°C~150°C;
Micros Symbol: TBUK7V4R2-40HX Infos
Datenblatt
Zu favoriten hinzufügen
BUK7V4R2-40HX RoHS || BUK7V4R2-40HX LFPAK56D
Hersteller:
NXP Hersteller-Teilenummer:
BUK7V4R2-40HX RoHS Präzisionsgehäuse:
LFPAK56D
Datenblatt
Auf Lager:
10 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 10+ 30+ 100+
Preis netto (EUR) 3,8985 3,0959 2,9110 2,7262 2,6162
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
5/10
Menge (mehrere 1)
4,2mOhm 98A 85W LFPAK56D NXP 40V 2xN-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BUK96180-100A N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 100V; 15V; 450 mOhm; 11A; 54W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: BUK96180-100A,118;
Micros Symbol: TBUK96180-100a Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
BUK96180-100A,118 RoHS || BUK96180-100A D2PAK
Hersteller:
NXP Hersteller-Teilenummer:
BUK96180-100A,118 RoHS Präzisionsgehäuse:
D2PAK t/r
Datenblatt
Auf Lager:
87 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,8611 0,5406 0,4493 0,4002 0,3744
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
450mOhm 11A 54W D2PAK NXP 100V N-MOSFET 100V -55°C ~ 175°C 15V SMD
BUK9M15-60EX N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 10V; 34 mOhm; 47A; 75W; -55 °C ~ 175 °C;
Micros Symbol: TBUK9m15-60ex Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
BUK9M15-60EX RoHS || BUK9M15-60EX LFPAK33 (SOT1210)
Hersteller:
NXP Hersteller-Teilenummer:
BUK9M15-60EX RoHS Präzisionsgehäuse:
LFPAK33 (SOT1210)
Datenblatt
Auf Lager:
5 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,9844 1,4672 1,2800 1,2168 1,1677
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
5
Menge (mehrere 1)
34mOhm 47A 75W LFPAK33 (SOT1210) NXP 60V N-MOSFET 60V -55°C ~ 175°C 10V SMD
BUK9M19-60EX N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 10V; 43mOhm; 38A; 62W; -55 °C ~ 175 °C;
Micros Symbol: TBUK9m19-60ex Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
BUK9M19-60EX RoHS || BUK9M19-60EX LFPAK33 (SOT1210)
Hersteller:
NXP Hersteller-Teilenummer:
BUK9M19-60EX RoHS Präzisionsgehäuse:
LFPAK33 (SOT1210)
Datenblatt
Auf Lager:
5 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,7855 1,3198 1,1513 1,0951 1,0507
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
5
Menge (mehrere 1)
43mOhm 38A 62W LFPAK33 (SOT1210) NXP 60V N-MOSFET 60V -55°C ~ 175°C 10V SMD
BUK9M23-80EX N-Channel-MOSFET-Transistor; 80V; 80V; 10V; 58mOhm; 37A; 79W; -55 °C ~ 175 °C;
Micros Symbol: TBUK9m23-80ex Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
BUK9M23-80EX RoHS || BUK9M23-80EX LFPAK33 (SOT1210)
Hersteller:
NXP Hersteller-Teilenummer:
BUK9M23-80EX RoHS Präzisionsgehäuse:
LFPAK33 (SOT1210)
Datenblatt
Auf Lager:
5 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 2,0967 1,6053 1,4228 1,3619 1,3104
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
5
Menge (mehrere 1)
58mOhm 37A 79W LFPAK33 (SOT1210) NXP 80V N-MOSFET 80V -55°C ~ 175°C 10V SMD
BUK9M3R3-40H N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 16V; 9,2 mOhm; 80A; 101W; -55 °C ~ 175 °C;
Micros Symbol: TBUK9m3r3-40h Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
BUK9M3R3-40HX RoHS || BUK9M3R3-40H LFPAK33 (SOT1210)
Hersteller:
NXP Hersteller-Teilenummer:
BUK9M3R3-40HX RoHS Präzisionsgehäuse:
LFPAK33 (SOT1210)
Datenblatt
Auf Lager:
10 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,2894 0,9852 0,8143 0,7137 0,6786
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
10
Menge (mehrere 1)
9,2mOhm 80A 101W LFPAK33 (SOT1210) NXP 40V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 16V SMD
BUK9M52-40EX N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 40V; 10V; 101mOhm; 17,6A; 31W; -55 °C ~ 175 °C;
Micros Symbol: TBUK9m52-40ex Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
BUK9M52-40EX RoHS || BUK9M52-40EX LFPAK33 (SOT1210)
Hersteller:
NXP Hersteller-Teilenummer:
BUK9M52-40EX RoHS Präzisionsgehäuse:
LFPAK33 (SOT1210)
Datenblatt
Auf Lager:
4 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 4+ 20+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 1,5959 1,1607 0,9501 0,8682 0,8401
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
4
Menge (mehrere 1)
101mOhm 17,6A 31W LFPAK33 (SOT1210) NXP 40V N-MOSFET 40V -55°C ~ 175°C 10V SMD
BUK9M5R2-30EX N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 30V; 10V; 9,8 mOhm; 70A; 79W; -55 °C ~ 175 °C;
Micros Symbol: TBUK9m5r2-30ex Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
BUK9M5R2-30EX RoHS || BUK9M5R2-30EX LFPAK33 (SOT1210)
Hersteller:
NXP Hersteller-Teilenummer:
BUK9M5R2-30EX RoHS Präzisionsgehäuse:
LFPAK33 (SOT1210)
Datenblatt
Auf Lager:
5 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 2,0218 1,5468 1,3713 1,3128 1,2636
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
5
Menge (mehrere 1)
9,8mOhm 70A 79W LFPAK33 (SOT1210) NXP 30V N-MOSFET 30V -55°C ~ 175°C 10V SMD
BUK9V13-40HX 2xN-Channel MOSFET-Transistor; 40V; 10V; 13mOhm; 42A; 46W; -55°C~175°C; Äquivalent: BUK9V13-40H; BUK9V13-40HX;
Micros Symbol: TBUK9V13-40HX Infos
Datenblatt
Zu favoriten hinzufügen
BUK9V13-40HX RoHS || BUK9V13-40HX LFPAK56D
Hersteller:
NXP Hersteller-Teilenummer:
BUK9V13-40HX RoHS Präzisionsgehäuse:
LFPAK56D
Datenblatt
Auf Lager:
10 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 10+ 30+ 100+
Preis netto (EUR) 1,9282 1,4649 1,3619 1,2636 1,2051
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
5/10
Menge (mehrere 1)
13mOhm 42A 46W LFPAK56D NXP 40V 2xN-MOSFET -55°C ~ 175°C 10V Surface Mount
BUK9Y21-40E NEXPERIA N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 40V; 10V; 42,2 mOhm; 33A; 45W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: BUK9Y21-40E,115;
Micros Symbol: TBUK9y21-40e Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
BUK9Y21-40E,115 RoHS || BUK9Y21-40E NEXPERIA LFPAK
Hersteller:
NXP Hersteller-Teilenummer:
BUK9Y21-40E,115 RoHS Präzisionsgehäuse:
LFPAK
Datenblatt
Auf Lager:
5 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Preis netto (EUR) 1,1302 0,7512 0,6225 0,5616 0,5382
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
20
Menge (mehrere 1)
42,2mOhm 33A 45W LFPAK NXP 40V N-MOSFET 40V -55°C ~ 175°C 10V SMD
BUZ11-NR4941 N-Channel-MOSFET-Transistor; 50V; 50V; 20V; 40mOhm; 30A; 75W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BUZ11-NR4941; BUZ11_NR4941; BUZ11;
Micros Symbol: TBUZ11 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
BUZ11-NR4941 RoHS || BUZ11-NR4941 || BUZ11-NR4941 TO220
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer:
BUZ11-NR4941 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
Datenblatt
Auf Lager:
2108 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 50+ 100+ 500+
Preis netto (EUR) 1,1396 0,7582 0,5850 0,5663 0,5429
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
40mOhm 30A 75W TO220 ON SEMICONDUCTOR 50V N-MOSFET 50V -55°C ~ 150°C 20V THT
 
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer:
BUZ11-NR4941 Präzisionsgehäuse:
TO220  
Externes Lager:
6900 Stk.
Anzahl der Stücke 250+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,5429
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		40mOhm 30A 75W TO220 ON SEMICONDUCTOR 50V N-MOSFET 50V -55°C ~ 150°C 20V THT
 
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer:
BUZ11-NR4941 Präzisionsgehäuse:
TO220  
Externes Lager:
9410 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,5429
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		40mOhm 30A 75W TO220 ON SEMICONDUCTOR 50V N-MOSFET 50V -55°C ~ 150°C 20V THT
IRG4BC20FD IGBT-Transistor ; 600V; 20V; 16A; 64A; 60W; 3,0V~6,0V; 40nC; -55°C~150°C; IRG4BC20FDPBF;
Micros Symbol: TIRG4bc20fd Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
IRG4BC20FDPBF RoHS || IRG4BC20FD TO220
Hersteller:
International Rectifier Hersteller-Teilenummer:
IRG4BC20FDPBF RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
Datenblatt
Auf Lager:
5 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Preis netto (EUR) 3,2948 2,9298 2,7098 2,5998 2,5343
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
10
Menge (mehrere 1)
TO220 International Rectifier 40nC 60W 16A 64A 3,0V ~ 6,0V -55°C ~ 150°C THT 600V 20V
IRG4BC20KD-S Trans IGBT ; 600V; 20V; 16A; 32A; 60W; 3,0V~6,0V; 51nC; -55°C~150°C; Äquivalent: IRG4BC20KD-SPBF; IRG4BC20KDSTRLP; IRG4BC20KDSTRRP;
Micros Symbol: TIRG4bc20kd-s Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
IRG4BC20KD-S RoHS || IRG4BC20KD-S TO263 (D2PAK)
Hersteller:
International Rectifier Hersteller-Teilenummer:
IRG4BC20KD-S RoHS Präzisionsgehäuse:
TO263 (D2PAK)
Datenblatt
Auf Lager:
20 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,5444 1,2309 1,0530 0,9477 0,9079
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
TO263 (D2PAK) International Rectifier 51nC 60W 16A 32A 3,0V ~ 6,0V -55°C ~ 150°C 600V 20V
1    28  29  30  31  32  33  34  35  36    322