Transistoren (Ergebnisse: 10252)

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Transistorsysteme [J/N]
2SC3298 NPN 1,5A 200V 20W 100MHz NPN 1,5A 200V 20W 100MHz
Micros Symbol: T2SC3298 Infos
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2SC3298 RoHS || 2SC3298 TO220iso
Hersteller:
PMC-Sierra Hersteller-Teilenummer:
2SC3298 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220iso  
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70 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 40+ 180+
Preis netto (EUR) 1,2364 0,9409 0,7778 0,6903 0,6501
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Standard-Verpackung:
180
Menge (mehrere 1)
TO220iso PMC-Sierra 20W 240 100MHz 1,5A 200V NPN -55°C ~ 150°C
BF998 smd N-Channel-MOSFET-Transistor; 12V; 20V; 30mA; 200 mW; -65 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BF998E6327HTSA1; BF998E6327; BF998E6327XT; BF998.215;
Micros Symbol: TBF998 Infos
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BF998 RoHS || BF998 smd SOT143
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BF998 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT143 t/r  
Auf Lager:
890 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4775 0,2884 0,2225 0,2007 0,1910
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
30mA 200mW SOT143 Infineon Technologies 12V N-MOSFET -65°C ~ 150°C 20V SMD
IKD04N60R IGBT-Transistor ; 600V; 20V; 8A; 12A; 75W; 4,3V~5,7V; 27nC; -40°C~175°C;
Micros Symbol: TIKD04n60r Infos
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IKD04N60R RoHS || IKD04N60RATMA1 || IKD04N60R TO252 (DPACK)
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IKD04N60R RoHS Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK) t/r
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Auf Lager:
30 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,1867 0,8700 0,6974 0,5981 0,5650
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
TO252 (DPAK) Infineon Technologies 27nC 75W 8A 12A 4,3V ~ 5,7V -40°C ~ 175°C SMD 600V 20V
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IKD04N60RATMA1 Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK)  
Externes Lager:
580 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,5650
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Standard-Verpackung:
5
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		TO252 (DPAK) Infineon Technologies 27nC 75W 8A 12A 4,3V ~ 5,7V -40°C ~ 175°C SMD 600V 20V
2SC3356-T1B-A Renesas NPN Transistor; 160; 200mW; 12V; 100mA; 7GHz; -65°C ~ 150°C; NPN Transistor; 160; 200mW; 12V; 100mA; 7GHz; -65°C ~ 150°C;
Micros Symbol: T2SC3356 Infos
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2SC3356-S RoHS || 2SC3356R RoHS || 2SC3356-T1B-A Renesas SOT23
Hersteller:
YFW Hersteller-Teilenummer:
2SC3356-S RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r  
Auf Lager:
2000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
Preis netto (EUR) 0,1414 0,0541 0,0305 0,0251 0,0236
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Standard-Verpackung:
1000
Menge (mehrere 1)
SOT23 HOTTECH 200mW 160 7GHz 100mA 12V NPN -65°C ~ 150°C
 
Hersteller:
HOTTECH Hersteller-Teilenummer:
2SC3356R RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
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Auf Lager:
400 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
Preis netto (EUR) 0,1444 0,0577 0,0336 0,0279 0,0262
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
SOT23 HOTTECH 200mW 160 7GHz 100mA 12V NPN -65°C ~ 150°C
2SC3356 R25 SLKOR NPN-Transistor; 260; 200mW; 12V; 0.1A; 7GHz; -65°C ~ 150°C;
Micros Symbol: T2SC3356-r25 SLK Infos
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2SC3356 R25 RoHS || 2SC3356 R25 SLKOR SOT23
Hersteller:
SLKOR Hersteller-Teilenummer:
2SC3356 R25 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
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Auf Lager:
1200 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1371 0,0629 0,0343 0,0255 0,0229
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
SOT23 SLKOR 200mW 260 7GHz 100mA 12V NPN -65°C ~ 150°C
IKD06N60RF IGBT-Transistor ; 600V; 20V; 12A; 18A; 100W; 4,3V~5,7V; 48nC; -40°C~175°C; Äquivalent: IKD06N60RFAATMA1;
Micros Symbol: TIKD06n60rf Infos
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IKD06N60RF RoHS || IKD06N60RF TO252 (DPACK)
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IKD06N60RF RoHS Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK) t/r
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Auf Lager:
26 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,2009 0,8818 0,7068 0,6076 0,5721
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
TO252 (DPAK) Infineon Technologies 48nC 100W 12A 18A 4,3V ~ 5,7V -40°C ~ 175°C SMD 600V 20V
2SC3519 NPN 15A 160V 130W NPN 15A 160V 130W
Micros Symbol: T2SC3519 Infos
Datenblatt
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2SC3519 RoHS || 2SC3519 TO 3P
Hersteller:
SPTECH Hersteller-Teilenummer:
2SC3519 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO 3P  
Auf Lager:
16 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 4+ 18+ 72+ 216+
Preis netto (EUR) 2,7564 2,3167 2,0992 2,0070 1,9692
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Standard-Verpackung:
18
Menge (mehrere 1)
TO 3P PMC-Sierra 130W 50 50MHz 15A 160V NPN -55°C ~ 150°C
 
Hersteller:
Sanken Hersteller-Teilenummer:
2SC3519 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO 3P  
Auf Lager:
0 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 30+ 100+ 200+
Preis netto (EUR) 2,7564 2,2718 2,0543 1,9905 1,9692
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Standard-Verpackung:
30/100
Menge (mehrere 1)
TO 3P PMC-Sierra 130W 50 50MHz 15A 160V NPN -55°C ~ 150°C
BM3415E SOT23 BORN P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 65mOhm; 4,8A; 1,5 W; -50 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TBM3415e BORN Infos
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BM3415E RoHS || BM3415E SOT23 BORN SOT23
Hersteller:
BORN Hersteller-Teilenummer:
BM3415E RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
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Auf Lager:
280 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 300+ 1500+
Preis netto (EUR) 0,2173 0,1024 0,0570 0,0459 0,0395
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Standard-Verpackung:
300
Menge (mehrere 1)
65mOhm 4,8A 1,5W SOT23 BORN 20V P-MOSFET -50°C ~ 150°C 8V SMD
BS107P DIODES N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 30 Ohm; 120mA; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BS107AG; BS107ARL1G; BS107P;
Micros Symbol: TBS107 Infos
Datenblatt
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BS107P RoHS || BS107P || BS107P DIODES TO92
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer:
BS107P RoHS Präzisionsgehäuse:
TO92
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Auf Lager:
20 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,8109 0,5130 0,4042 0,3688 0,3522
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Standard-Verpackung:
1000
Menge (mehrere 1)
30Ohm 120mA 500mW TO92 DIODES 200V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V THT
 
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer:
BS107P RoHS Präzisionsgehäuse:
TO92bul
Datenblatt
Auf Lager:
0 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,8109 0,5130 0,4042 0,3688 0,3522
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
30Ohm 120mA 500mW TO92 DIODES 200V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V THT
 
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer:
BS107P Präzisionsgehäuse:
TO92  
Externes Lager:
6740 Stk.
Anzahl der Stücke 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,3522
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Standard-Verpackung:
4000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		30Ohm 120mA 500mW TO92 DIODES 200V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V THT
                                                     
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-11-30
Anzahl der Stücke: 300
                                               
BS170-D26Z (krępowane=forming) N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 5Ohm; 500mA; 830 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BS170_D26Z (Rolle); BS170_D27Z(Rolle); BS170_D74Z/BS170_D75Z(Munition); BS170RL1G(T/R); BS170D27Z; BS170-D27Z; BS170-BAND; BS170_D26Z REEL; BS170D26Z; BS170-GURT;
Micros Symbol: TBS170F Infos
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BS170-D26Z RoHS || BS170FTA || BS170-D26Z (krępowane=forming) TO92formed
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer:
BS170-D26Z RoHS Präzisionsgehäuse:
TO92formed t/r  
Auf Lager:
3720 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,3333 0,1846 0,1459 0,1324 0,1281
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Standard-Verpackung:
2000
Menge (mehrere 1)
5Ohm 500mA 830mW TO92formed ON SEMICONDUCTOR 60V 60V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V THT
 
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer:
BS170FTA Präzisionsgehäuse:
TO92formed  
Externes Lager:
48000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,6440
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		5Ohm 500mA 830mW TO92formed ON SEMICONDUCTOR 60V 60V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V THT
 
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer:
BS170FTA Präzisionsgehäuse:
TO92formed  
Externes Lager:
6000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2049
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		5Ohm 500mA 830mW TO92formed ON SEMICONDUCTOR 60V 60V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V THT
BS170FTA smd N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 5Ohm; 0,15 mA; 330 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TBS170sot23 Infos
Datenblatt
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BS170FTA RoHS || BS170FTA smd SOT23
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer:
BS170FTA RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r  
Auf Lager:
565 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,5012 0,3026 0,2336 0,2106 0,2005
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Standard-Verpackung:
2403
Menge (mehrere 1)
5Ohm 0,15mA 330mW SOT23 DIODES 60V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BS250FTA P-Channel-MOSFET-Transistor; 45V; +/-20V; 90mA; 14Ohm; 330 mW; -55°C~150°C;
Micros Symbol: TBS250fta Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
BS250FTA RoHS || BS250FTA || BS250FTA SOT23
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer:
BS250FTA RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,5485 0,3333 0,2553 0,2307 0,2196
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
14Ohm 90mA 330mW SOT23 DIODES 45V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer:
BS250FTA Präzisionsgehäuse:
SOT23  
Externes Lager:
9000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2196
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		14Ohm 90mA 330mW SOT23 DIODES 45V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BS270 Trans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin TO-92 Transistor: N-MOSFET | unipolar | 60V | 0,4A | Idm: 2A | 0,625 W | TO92
Micros Symbol: TBS270 Infos
Datenblatt
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BS270 RoHS || BS270 TO92
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer:
BS270 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO92bul
Datenblatt
Auf Lager:
494 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 30+ 100+ 494+
Preis netto (EUR) 0,3759 0,2435 0,1882 0,1596 0,1442
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Standard-Verpackung:
494
Menge (mehrere 1)
2Ohm 400mA 625mW TO92 ONSEMI 60V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V THT
BSC010NE2LSATMA1 Infineon N-Channel-MOSFET-Transistor; 25V; 20V; 1,3 mOhm; 100A; 96W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSC010NE2LSATMA1;
Micros Symbol: TBSC010ne2ls Infos
Datenblatt
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BSC010NE2LSATMA1 RoHS || BSC010NE2LSATMA1 || BSC010NE2LSATMA1 Infineon TDSON08
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSC010NE2LSATMA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TDSON08
Datenblatt
Auf Lager:
30 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,2482 0,9527 0,7896 0,6903 0,6572
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
1,3mOhm 100A 96W TDSON08 Infineon Technologies 25V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSC010NE2LSATMA1 Präzisionsgehäuse:
TDSON08  
Externes Lager:
5000 Stk.
Anzahl der Stücke 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,6572
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Standard-Verpackung:
5000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		1,3mOhm 100A 96W TDSON08 Infineon Technologies 25V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSC016N04LS G N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 2,3 mOhm; 100A; 139W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSC016N04LSGATMA1;
Micros Symbol: TBSC016n04ls Infos
Datenblatt
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BSC016N04LSGATMA1 RoHS || BSC016N04LS G TDSON08
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSC016N04LSGATMA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TDSON08
Datenblatt
Auf Lager:
38 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,3286 1,0142 0,8392 0,7352 0,6997
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
2,3mOhm 100A 139W TDSON08 Infineon Technologies 40V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSC016N06NS N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 2,9 mOhm; 100A; 139W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TBSC016n06ns Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
BSC016N06NS RoHS || BSC016N06NSATMA1 || BSC016N06NS TDSON08
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSC016N06NS RoHS Präzisionsgehäuse:
TDSON08
Datenblatt
Auf Lager:
9 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
Preis netto (EUR) 2,3758 1,8865 1,7045 1,6123 1,5839
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
2,9mOhm 100A 139W TDSON08 Infineon Technologies 60V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSC016N06NSATMA1 Präzisionsgehäuse:
TDSON08  
Externes Lager:
45000 Stk.
Anzahl der Stücke 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 1,5839
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Standard-Verpackung:
5000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		2,9mOhm 100A 139W TDSON08 Infineon Technologies 60V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSC018NE2LS Infineon N-Channel-MOSFET-Transistor; 25V; 20V; 2,3 mOhm; 100A; 69W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSC018NE2LSI; BSC018NE2LSATMA1;
Micros Symbol: TBSC018ne2ls Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
BSC018NE2LS RoHS || BSC018NE2LSATMA1 || BSC018NE2LS Infineon TDSON08
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSC018NE2LS RoHS Präzisionsgehäuse:
TDSON08
Datenblatt
Auf Lager:
100 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,7234 0,4539 0,3759 0,3357 0,3144
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
2,3mOhm 100A 69W TDSON08 Infineon Technologies 25V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSC018NE2LSATMA1 Präzisionsgehäuse:
TDSON08  
Externes Lager:
5000 Stk.
Anzahl der Stücke 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,3380
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Standard-Verpackung:
5000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		2,3mOhm 100A 69W TDSON08 Infineon Technologies 25V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSC019N02KSG Infineon N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 3mOhm; 100A; 104 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSC019N02KSGAUMA1;
Micros Symbol: TBSC019n02ksg Infos
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BSC019N02KSG RoHS || BSC019N02KSG Infineon TDSON08
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSC019N02KSG RoHS Präzisionsgehäuse:
TDSON-8
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Auf Lager:
20 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 1,4019 0,9811 0,8345 0,7636 0,7376
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Standard-Verpackung:
20
Menge (mehrere 1)
3mOhm 100A 104W TDSON08 Infineon Technologies 20V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
BSC019N04NSGATMA1 N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 1,9 mOhm; 100A; 125 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TBSC019n04ns Infos
Datenblatt
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BSC019N04NSGATMA1 RoHS || BSC019N04NSGATMA1 TDSON08
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSC019N04NSGATMA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TDSON08
Datenblatt
Auf Lager:
20 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
Preis netto (EUR) 2,7115 2,0827 1,8510 1,7328 1,6950
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Standard-Verpackung:
20
Menge (mehrere 1)
1,9mOhm 100A 125W TDSON08 Infineon Technologies 40V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSC022N04LS6 N-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 3,2 mOhm; 139A; 79W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: BSC022N04LS6ATMA1;
Micros Symbol: TBSC022n04ls6 Infos
Datenblatt
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BSC022N04LS6ATMA1 RoHS || BSC022N04LS6ATMA1 || BSC022N04LS6 TDSON08
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSC022N04LS6ATMA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TDSON08
Datenblatt
Auf Lager:
10 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Preis netto (EUR) 3,0236 2,4988 2,1891 2,0401 1,9503
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Standard-Verpackung:
10
Menge (mehrere 1)
3,2mOhm 139A 79W TDSON08 Infineon Technologies 40V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSC022N04LS6ATMA1 Präzisionsgehäuse:
TDSON08  
Externes Lager:
5000 Stk.
Anzahl der Stücke 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 1,9503
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Standard-Verpackung:
5000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		3,2mOhm 139A 79W TDSON08 Infineon Technologies 40V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
BSC024NE2LS INFINEON N-MOSFET-Transistor; 25V; 20V; 3,4 mOhm; 100A; 48W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSC024NE2LSATMA1;
Micros Symbol: TBSC024ne2ls Infos
Datenblatt
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BSC024NE2LSATMA1 RoHS || BSC024NE2LSATMA1 || BSC024NE2LS INFINEON TDSON08
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSC024NE2LSATMA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TDSON08
Datenblatt
Auf Lager:
10 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Preis netto (EUR) 1,1418 0,7588 0,6288 0,5674 0,5437
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Standard-Verpackung:
510
Menge (mehrere 1)
3,4mOhm 100A 48W TDSON08 Infineon Technologies 25V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSC024NE2LSATMA1 Präzisionsgehäuse:
TDSON08  
Externes Lager:
5000 Stk.
Anzahl der Stücke 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,5437
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Standard-Verpackung:
5000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		3,4mOhm 100A 48W TDSON08 Infineon Technologies 25V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSC027N04LSG N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 4,1 mOhm; 100A; 83W; -55 °C ~ 150 °C; BSC027N04LS G; BSC027N04LS G; SP000354810
Micros Symbol: TBSC027n04lsg Infos
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BSC027N04LSG RoHS || BSC027N04LSG TDSON-8
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSC027N04LSG RoHS Präzisionsgehäuse:
TDSON-8
Datenblatt
Auf Lager:
81 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Preis netto (EUR) 0,9787 0,6501 0,5390 0,4846 0,4657
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
4,1mOhm 100A 83W TDSON-8 Infineon Technologies 40V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSC040N08NS5ATMA1 INFINEON N-Channel-MOSFET-Transistor; 80V; 20V; 5,7 mOhm; 100A; 104 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TBSC040n08ns5 Infos
Datenblatt
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BSC040N08NS5ATMA1 RoHS || BSC040N08NS5ATMA1 || BSC040N08NS5ATMA1 INFINEON TDSON-8
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSC040N08NS5ATMA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TDSON-8
Datenblatt
Auf Lager:
200 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 1,3428 0,9409 0,7990 0,7305 0,7068
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Standard-Verpackung:
2300
Menge (mehrere 1)
5,7mOhm 100A 104W TDSON-8 Infineon Technologies 80V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSC040N08NS5ATMA1 Präzisionsgehäuse:
TDSON-8  
Externes Lager:
25000 Stk.
Anzahl der Stücke 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,7068
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Standard-Verpackung:
5000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		5,7mOhm 100A 104W TDSON-8 Infineon Technologies 80V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSC040N08NS5ATMA1 Präzisionsgehäuse:
TDSON-8  
Externes Lager:
15000 Stk.
Anzahl der Stücke 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,7068
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Standard-Verpackung:
5000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		5,7mOhm 100A 104W TDSON-8 Infineon Technologies 80V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSC042N03LSGATMA1 Infineon N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 6,5 mOhm; 93A; 57W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TBSC042n03ls Infos
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BSC042N03LSG RoHS || BSC042N03LSGATMA1 || BSC042N03LSGATMA1 Infineon TDSON08
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSC042N03LSG RoHS Präzisionsgehäuse:
TDSON08
Datenblatt
Auf Lager:
67 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,6785 0,4255 0,3546 0,3144 0,2955
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
6,5mOhm 93A 57W TDSON08 Infineon Technologies 30V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSC042N03LSGATMA1 Präzisionsgehäuse:
TDSON08  
Externes Lager:
5000 Stk.
Anzahl der Stücke 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2955
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Standard-Verpackung:
5000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		6,5mOhm 93A 57W TDSON08 Infineon Technologies 30V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSC042NE7NS3GATMA1 Infineon N-Channel-MOSFET-Transistor; 75V; 20V; 4,2 mOhm; 100A; 125 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSC042NE7NS3GATMA1; BSC042NE7NS3G;
Micros Symbol: TBSC042ne7ns3g Infos
Datenblatt
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BSC042NE7NS3G RoHS || BSC042NE7NS3GATMA1 || BSC042NE7NS3GATMA1 Infineon TDSON08
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSC042NE7NS3G RoHS Präzisionsgehäuse:
TDSON08
Datenblatt
Auf Lager:
5 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Preis netto (EUR) 1,6879 1,3380 1,1395 1,0449 0,9929
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Standard-Verpackung:
10
Menge (mehrere 1)
4,2mOhm 100A 125W TDSON08 Infineon Technologies 75V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSC042NE7NS3GATMA1 Präzisionsgehäuse:
TDSON08  
Externes Lager:
5000 Stk.
Anzahl der Stücke 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,9929
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Standard-Verpackung:
5000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		4,2mOhm 100A 125W TDSON08 Infineon Technologies 75V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSC070N10NS3 G N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 14mOhm; 90A; 114W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSC070N10NS3GATMA1;
Micros Symbol: TBSC070n10ns3 Infos
Datenblatt
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BSC070N10NS3G RoHS || BSC070N10NS3GATMA1 || BSC070N10NS3 G TDSON-8
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSC070N10NS3G RoHS Präzisionsgehäuse:
TDSON-8
Datenblatt
Auf Lager:
20 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 2,0047 1,6004 1,3688 1,2293 1,1796
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
14mOhm 90A 114W TDSON-8 Infineon Technologies 100V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSC070N10NS3GATMA1 Präzisionsgehäuse:
TDSON-8  
Externes Lager:
15000 Stk.
Anzahl der Stücke 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 1,1796
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
5000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		14mOhm 90A 114W TDSON-8 Infineon Technologies 100V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSC070N10NS3GATMA1 Präzisionsgehäuse:
TDSON-8  
Externes Lager:
10000 Stk.
Anzahl der Stücke 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 1,1796
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
5000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		14mOhm 90A 114W TDSON-8 Infineon Technologies 100V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
2SC3838KT146P NPN 50mA 11V 0.2W 3.2GHz NPN 50mA 11V 0.2W 3.2GHz
Micros Symbol: T2SC3838k Infos
Datenblatt
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2SC3838KT146P RoHS || 2SC3838KT146P SC-59
Hersteller:
ROHM - Japan Hersteller-Teilenummer:
2SC3838KT146P RoHS Präzisionsgehäuse:
SC-59 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
500 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,2435 0,1347 0,0891 0,0742 0,0697
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Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
SC-59 ROHM 200mW 180 3,2GHz 50mA 11V NPN -55°C ~ 150°C
2SC3856 TO-3P NPN 180V 15A 130W 20MHz NPN 180V 15A 130W 20MHz
Micros Symbol: T2SC3856 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
2SC3856 RoHS || 2SC3856 TO-3P TO 3P
Hersteller:
SPTECH Hersteller-Teilenummer:
2SC3856 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO 3P  
Auf Lager:
16 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 4+ 16+ 64+ 256+
Preis netto (EUR) 1,9905 1,5201 1,3073 1,2127 1,1702
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Standard-Verpackung:
16
Menge (mehrere 1)
TO 3P Sanken 130W 50 20MHz 15A 180V NPN -55°C ~ 150°C
                                                     
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2026-12-30
Anzahl der Stücke: 120
                                               
IKP15N60T IGBT-Transistor ; 600V; 20V; 26A; 45A; 130W; 4,1V~5,7V; 87nC; -40°C~175°C; IKP15N60TXKSA1
Micros Symbol: TIKP15n60t Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
IKP15N60TXKSA1 RoHS || IKP15N60TXKSA1 || IKP15N60T TO220
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IKP15N60TXKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
Datenblatt
Auf Lager:
85 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 50+ 100+ 300+
Preis netto (EUR) 1,7636 1,3097 1,0898 1,0638 1,0378
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Standard-Verpackung:
50/100
Menge (mehrere 1)
TO220 Infineon Technologies 87nC 130W 26A 45A 4,1V ~ 5,7V -40°C ~ 175°C THT 600V 20V
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IKP15N60TXKSA1 Präzisionsgehäuse:
TO220  
Externes Lager:
902 Stk.
Anzahl der Stücke 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 1,0378
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		TO220 Infineon Technologies 87nC 130W 26A 45A 4,1V ~ 5,7V -40°C ~ 175°C THT 600V 20V
BSC0909NSATMA1 Infineon N-Channel-MOSFET-Transistor; 34V; 20V; 11,8 mOhm; 44A; 27W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TBSC0909ns Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
BSC0909NS RoHS || BSC0909NSATMA1 || BSC0909NSATMA1 Infineon TDSON08
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSC0909NS RoHS Präzisionsgehäuse:
TDSON08
Datenblatt
Auf Lager:
100 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4681 0,2600 0,2052 0,1934 0,1872
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
11,8mOhm 44A 27W TDSON08 Infineon Technologies 34V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSC0909NSATMA1 Präzisionsgehäuse:
TDSON08  
Externes Lager:
5000 Stk.
Anzahl der Stücke 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,1872
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
5000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		11,8mOhm 44A 27W TDSON08 Infineon Technologies 34V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
1    25  26  27  28  29  30  31  32  33    342