Transistoren (Ergebnisse: 9716)

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Transistorsysteme [J/N]
BSP296NH6327XTSA1 N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 800 mOhm; 1,2A; 1,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSP296NH6433XTMA1;
Micros Symbol: TBSP296N Infos
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BSP296NH6327XTSA1 RoHS || BSP296NH6327XTSA1 || BSP296NH6327XTSA1 SOT223-4
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Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP296NH6327XTSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT223-4 t/r
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Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,6911 0,4396 0,3456 0,3150 0,3009
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800mOhm 1,2A 1,8W SOT223-4 Infineon Technologies 100V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
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Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP296NH6327XTSA1 Präzisionsgehäuse:
SOT223-4  
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Anzahl der Stücke 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
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20 Euro überschreiten. 		800mOhm 1,2A 1,8W SOT223-4 Infineon Technologies 100V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
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Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP296NH6327XTSA1 Präzisionsgehäuse:
SOT223-4  
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333000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
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20 Euro überschreiten. 		800mOhm 1,2A 1,8W SOT223-4 Infineon Technologies 100V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
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Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP296NH6327XTSA1 Präzisionsgehäuse:
SOT223-4  
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80000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
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Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		800mOhm 1,2A 1,8W SOT223-4 Infineon Technologies 100V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSP297 N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 3Ohm; 660mA; 1,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSP297H6327XTSA1; BSP297H6327XTSA1/SN;
Micros Symbol: TBSP297 Infos
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BSP297 RoHS || BSP297H6327XTSA1 || BSP297 SOT223
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Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP297 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r
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Anzahl der Stücke 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,6817 0,4278 0,3550 0,3173 0,2962
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3Ohm 660mA 1,8W SOT223 Infineon Technologies 200V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
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Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP297H6327XTSA1 Präzisionsgehäuse:
SOT223  
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Anzahl der Stücke 25+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
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25
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20 Euro überschreiten. 		3Ohm 660mA 1,8W SOT223 Infineon Technologies 200V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
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Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP297H6327XTSA1 Präzisionsgehäuse:
SOT223  
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Anzahl der Stücke 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
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20 Euro überschreiten. 		3Ohm 660mA 1,8W SOT223 Infineon Technologies 200V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
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Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP297H6327XTSA1 Präzisionsgehäuse:
SOT223  
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23881 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
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1000
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20 Euro überschreiten. 		3Ohm 660mA 1,8W SOT223 Infineon Technologies 200V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSP299H N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 20V; 4Ohm; 400mA; 1,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSP299H6327XUSA1; BSP299L6327HUSA1; BSP299 H6327; BSP299H6327XUSA1/SN;
Micros Symbol: TBSP299h Infos
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BSP299 H6327 RoHS || BSP299H SOT223-4
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Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP299 H6327 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT223-4 t/r
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Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 1,3141 0,9191 0,7804 0,7146 0,6911
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100
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4Ohm 400mA 1,8W SOT223-4 Infineon Technologies 500V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSP315P P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 1,4 Ohm; 1,17A; 1,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSP315P; BSP315PH6327XTSA1; BSP315P H6327; BSP315PH6327;
Micros Symbol: TBSP315p Infos
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BSP315PH6327XTSA1 RoHS || BSP315PH6327XTSA1 || BSP315P SOT223t/r
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Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP315PH6327XTSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r
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1150 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,8533 0,5407 0,4278 0,3879 0,3714
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1000
Menge (mehrere 1)
1,4Ohm 1,17A 1,8W SOT223t/r Infineon (IRF) 60V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
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Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP315PH6327XTSA1 Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r  
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16000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,3714
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1000
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20 Euro überschreiten. 		1,4Ohm 1,17A 1,8W SOT223t/r Infineon (IRF) 60V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP315PH6327XTSA1 Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r  
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192000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,3714
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1000
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20 Euro überschreiten. 		1,4Ohm 1,17A 1,8W SOT223t/r Infineon (IRF) 60V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP315PH6327XTSA1 Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r  
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9825 Stk.
Anzahl der Stücke 25+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,3714
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Standard-Verpackung:
25
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		1,4Ohm 1,17A 1,8W SOT223t/r Infineon (IRF) 60V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSP315P JGSEMI P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 230 mOhm; 2A; 2W; -55 °C ~ 125 °C; Äquivalent: BSP315P-E6327; BSP315PH6327XTSA1;
Micros Symbol: TBSP315p JGS Infos
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BSP315P RoHS || BSP315P JGSEMI SOT223
Hersteller:
JGSEMI Hersteller-Teilenummer:
BSP315P RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r
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300 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 300+ 1500+
Preis netto (EUR) 0,3291 0,2156 0,1549 0,1326 0,1262
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Standard-Verpackung:
300
Menge (mehrere 1)
230mOhm 2A 2W SOT223 JGSEMI 60V P-MOSFET -55°C ~ 125°C 20V SMD
BSP315P SOT223 TEC P-Channel-MOSFET-Transistor; -60V; +/-20V; 130 mOhm; -3A; 2W; -55°C~150°C; Ähnlich zu: BSP315P; BSP315P-VB; BSP315PH6327; BSP315PH6327XTSA1;
Micros Symbol: TBSP315p TEC Infos
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BSP315P RoHS || BSP315P SOT223 TEC SOT223
Hersteller:
TECH PUBLIC Hersteller-Teilenummer:
BSP315P RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r
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Auf Lager:
493 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,5430 0,3291 0,2515 0,2278 0,2167
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Standard-Verpackung:
493
Menge (mehrere 1)
130mOhm -3A 2W SOT223 TECH PUBLIC -60V MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
TECH PUBLIC Hersteller-Teilenummer:
BSP315P RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r
Datenblatt
Auf Lager:
1967 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,5430 0,3291 0,2515 0,2278 0,2167
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Standard-Verpackung:
1000
Menge (mehrere 1)
130mOhm -3A 2W SOT223 TECH PUBLIC -60V MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSP315P UMW P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 95mOhm; 1,17A; 1,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSP315P-E6327; BSP315PH6327XTSA1;
Micros Symbol: TBSP315p UMW Infos
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BSP315P RoHS || BSP315P UMW SOT223
Hersteller:
UMW Hersteller-Teilenummer:
BSP315P RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r
Datenblatt
Auf Lager:
180 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,5125 0,3103 0,2398 0,2158 0,2052
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
95mOhm 1,17A 1,8W SOT223 UMW 60V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSP322P Infineon P-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 1Ohm; 1A; 1,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSP322PH6327XTSA1; BSP322PL6327HTSA1;
Micros Symbol: TBSP322p Infos
Datenblatt
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BSP322PH6327XTSA1 RoHS || BSP322PH6327XTSA1 || BSP322P Infineon SOT223
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP322PH6327XTSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r
Datenblatt
Auf Lager:
40 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4701 0,2609 0,2055 0,1937 0,1876
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
1Ohm 1A 1,8W SOT223 Infineon Technologies 100V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP322PH6327XTSA1 Präzisionsgehäuse:
SOT223  
Externes Lager:
102000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,1876
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		1Ohm 1A 1,8W SOT223 Infineon Technologies 100V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP322PH6327XTSA1 Präzisionsgehäuse:
SOT223  
Externes Lager:
12000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,1876
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		1Ohm 1A 1,8W SOT223 Infineon Technologies 100V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSP372 N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 270 mOhm; 1,8A; 1,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSP372NH6327XTSA1;
Micros Symbol: TBSP372 Infos
Datenblatt
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BSP372N H6327 RoHS || BSP372NH6327XTSA1 || BSP372 SOT223
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP372N H6327 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r
Datenblatt
Auf Lager:
75 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,5454 0,3432 0,2844 0,2539 0,2374
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
270mOhm 1,8A 1,8W SOT223 Infineon Technologies 100V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP372NH6327XTSA1 Präzisionsgehäuse:
SOT223  
Externes Lager:
900 Stk.
Anzahl der Stücke 25+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2781
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Standard-Verpackung:
25
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		270mOhm 1,8A 1,8W SOT223 Infineon Technologies 100V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP372NH6327XTSA1 Präzisionsgehäuse:
SOT223  
Externes Lager:
451800 Stk.
Anzahl der Stücke 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2374
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		270mOhm 1,8A 1,8W SOT223 Infineon Technologies 100V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP372NH6327XTSA1 Präzisionsgehäuse:
SOT223  
Externes Lager:
276000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2374
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		270mOhm 1,8A 1,8W SOT223 Infineon Technologies 100V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
IKW20N60T IGBT-Transistor ; 600V; 20V; 40A; 60A; 166W; 4,1V~5,7V; 120nC; -40°C~175°C; Äquivalent: IKW20N60TFKSA1;
Micros Symbol: TIKW20n60t Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
IKW20N60TFKSA1 RoHS || IKW20N60TFKSA1 || IKW20N60T TO247
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IKW20N60TFKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO247
Datenblatt
Auf Lager:
10 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
Preis netto (EUR) 3,6389 3,0606 2,7127 2,5388 2,4424
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Standard-Verpackung:
30
Menge (mehrere 1)
TO247 Infineon Technologies 120nC 166W 40A 60A 4,1V ~ 5,7V -40°C ~ 175°C THT 600V 20V
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IKW20N60TFKSA1 Präzisionsgehäuse:
TO247  
Externes Lager:
217 Stk.
Anzahl der Stücke 120+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 2,4424
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Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		TO247 Infineon Technologies 120nC 166W 40A 60A 4,1V ~ 5,7V -40°C ~ 175°C THT 600V 20V
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IKW20N60TFKSA1 Präzisionsgehäuse:
TO247  
Externes Lager:
122 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 2,4424
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Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		TO247 Infineon Technologies 120nC 166W 40A 60A 4,1V ~ 5,7V -40°C ~ 175°C THT 600V 20V
2SC5103TLQ NPN 60V 5A NPN 60V 5A
Micros Symbol: T2SC5103tlq Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
2SC5103TLQ RoHS || 2SC5103TLQ TO252
Hersteller:
ROHM - Japan Hersteller-Teilenummer:
2SC5103TLQ RoHS Präzisionsgehäuse:
TO252t/r
Datenblatt
Auf Lager:
30 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 0,9638 0,7076 0,5665 0,4866 0,4584
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
TO252 ROHM 1W 270 120MHz 5A 60V NPN -55°C ~ 150°C
BSP76E6433HUMA1 N-Channel-MOSFET-Transistor; 42V; 12V; 200 mOhm; 1,4A; 3,8 W; -40°C~150°C; Äquivalent: BSP78E6433; BSP76E6433; BSP76E6433HUMA1; BSP76; BSP76E6327HUSA1;
Micros Symbol: TBSP76 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
BSP76E6433HUMA1 RoHS || BSP76E6433HUMA1 || BSP76E6433HUMA1 SOT223
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP76E6433HUMA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r
Datenblatt
Auf Lager:
100 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 1,6032 1,1236 0,9544 0,8721 0,8439
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
200mOhm 1,4A 3,8W SOT223 INFINEON 42V N-MOSFET -40°C ~ 150°C 12V SMD
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP76E6433HUMA1 Präzisionsgehäuse:
SOT223  
Externes Lager:
13790 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,8439
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Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		200mOhm 1,4A 3,8W SOT223 INFINEON 42V N-MOSFET -40°C ~ 150°C 12V SMD
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP76E6433HUMA1 Präzisionsgehäuse:
SOT223  
Externes Lager:
8000 Stk.
Anzahl der Stücke 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,8439
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Standard-Verpackung:
4000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		200mOhm 1,4A 3,8W SOT223 INFINEON 42V N-MOSFET -40°C ~ 150°C 12V SMD
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP76E6433HUMA1 Präzisionsgehäuse:
SOT223  
Externes Lager:
28000 Stk.
Anzahl der Stücke 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,8439
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Standard-Verpackung:
4000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		200mOhm 1,4A 3,8W SOT223 INFINEON 42V N-MOSFET -40°C ~ 150°C 12V SMD
BSP88H6327XTSA1 N-Channel-MOSFET-Transistor; 240V; 20V; 15 Ohm; 350mA; 1,8 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TBSP88h Infos
Datenblatt
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BSP88H6327XTSA1 RoHS || BSP88H6327XTSA1 || BSP88H6327XTSA1 SOT223
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP88H6327XTSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r
Datenblatt
Auf Lager:
80 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4701 0,2609 0,2059 0,1942 0,1881
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
15Ohm 350mA 1,8W SOT223 Infineon Technologies 240V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP88H6327XTSA1 Präzisionsgehäuse:
SOT223  
Externes Lager:
900 Stk.
Anzahl der Stücke 25+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,1881
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Standard-Verpackung:
25
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		15Ohm 350mA 1,8W SOT223 Infineon Technologies 240V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP88H6327XTSA1 Präzisionsgehäuse:
SOT223  
Externes Lager:
43000 Stk.
Anzahl der Stücke 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,1881
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		15Ohm 350mA 1,8W SOT223 Infineon Technologies 240V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP88H6327XTSA1 Präzisionsgehäuse:
SOT223  
Externes Lager:
46000 Stk.
Anzahl der Stücke 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,1881
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		15Ohm 350mA 1,8W SOT223 Infineon Technologies 240V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
2SC5171 NPN 2A 180V 20W 200MHz 100
Micros Symbol: T2SC5171 Infos
Datenblatt
Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
TCSC5171 RoHS || 2SC5171 Tosh.2-10R1A
Hersteller:
CDIL Hersteller-Teilenummer:
TCSC5171 RoHS Präzisionsgehäuse:
Tosh.2-10R1A  
Auf Lager:
538 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,7029 0,4443 0,3503 0,3197 0,3056
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Standard-Verpackung:
50/1000
Menge (mehrere 1)
Tosh.2-10R1A TOSHIBA 200MHz NPN -55°C ~ 150°C
                                                     
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-11-20
Anzahl der Stücke: 500
                                               
BSP89 N-Channel-MOSFET-Transistor; 240V; 20V; 7,5 Ohm; 350mA; 1,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSP89.115; BSP89 L6327; BSP89H6327XTSA1; BSP89L6327HTSA1;
Micros Symbol: TBSP89 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
BSP89 RoHS || BSP89H6327XTSA1 RoHS || BSP89,115 || BSP89H6327XTSA1 || BSP89 SOT223
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP89 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r
Datenblatt
Auf Lager:
7 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 300+ 1500+
Preis netto (EUR) 0,4584 0,3009 0,2160 0,1850 0,1761
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Standard-Verpackung:
300
Menge (mehrere 1)
7,5Ohm 350mA 1,8W SOT223 Infineon Technologies 240V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP89H6327XTSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r
Datenblatt
Auf Lager:
150 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 300+ 1500+
Preis netto (EUR) 0,4584 0,3009 0,2160 0,1850 0,1761
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Standard-Verpackung:
300
Menge (mehrere 1)
7,5Ohm 350mA 1,8W SOT223 Infineon Technologies 240V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Nexperia Hersteller-Teilenummer:
BSP89,115 Präzisionsgehäuse:
SOT223  
Externes Lager:
21000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,1761
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		7,5Ohm 350mA 1,8W SOT223 Infineon Technologies 240V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP89H6327XTSA1 Präzisionsgehäuse:
SOT223  
Externes Lager:
22000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,1761
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		7,5Ohm 350mA 1,8W SOT223 Infineon Technologies 240V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Nexperia Hersteller-Teilenummer:
BSP89,115 Präzisionsgehäuse:
SOT223  
Externes Lager:
15000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,1761
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		7,5Ohm 350mA 1,8W SOT223 Infineon Technologies 240V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
IKW25N120H3 IGBT-Transistor ; 1200V; 20V; 50A; 100A; 326W; 5,0V~6,5V; 115nC; -40°C~175°C; IKW25N120H3FKSA1
Micros Symbol: TIKW25n120h3 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
IKW25N120H3 RoHS || IKW25N120H3FKSA1 || IKW25N120H3 TO247
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IKW25N120H3 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO247
Datenblatt
Auf Lager:
30 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
Preis netto (EUR) 4,2055 3,7353 3,4532 3,3145 3,2346
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Standard-Verpackung:
30
Menge (mehrere 1)
TO247 Infineon Technologies 115nC 326W 50A 100A 5,0V ~ 6,5V -40°C ~ 175°C THT 1200V 20V
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IKW25N120H3FKSA1 Präzisionsgehäuse:
TO247  
Externes Lager:
1110 Stk.
Anzahl der Stücke 240+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 3,2346
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Standard-Verpackung:
240
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		TO247 Infineon Technologies 115nC 326W 50A 100A 5,0V ~ 6,5V -40°C ~ 175°C THT 1200V 20V
2SC5198-O(Q,T) NPN 140V 10A NPN 140V 10A
Micros Symbol: T2SC5198 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
2SC5198 RoHS || 2SC5198-O(Q,T) 2-16C1A
Hersteller:
Toshiba Hersteller-Teilenummer:
2SC5198 RoHS Präzisionsgehäuse:
2-16C1A
Datenblatt
Auf Lager:
140 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
Preis netto (EUR) 1,5256 1,1331 0,9662 0,9097 0,8980
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Standard-Verpackung:
150
Menge (mehrere 1)
2-16C1A TOSHIBA 100W 160 30MHz 10A 140V NPN -55°C ~ 150°C
2SC5198 JSMICRO NPN-Transistor; 160; 100W; 140V; 10A; 30MHz; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: 2SC5198-O(Q); 2SC5198-O(Q,T); 2SC5198-O(S1,E; 2SC5198-O(S1,E,S);
Micros Symbol: T2SC5198 JSM Infos Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
2SC5198 RoHS || 2SC5198 JSMICRO TO 3P
Hersteller:
JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer:
2SC5198 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO 3P  
Auf Lager:
80 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
Preis netto (EUR) 1,3752 0,9614 0,7922 0,7358 0,7240
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Standard-Verpackung:
30
Menge (mehrere 1)
TO 3P JSMICRO 100W 160 30MHz 10A 140V NPN -55°C ~ 150°C
BSR606NH6327XTSA1 N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 90mOhm; 2,3A; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TBSR606n Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
BSR606NH6327XTSA1 RoHS LIs. || BSR606NH6327XTSA1 SC59
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSR606NH6327XTSA1 RoHS LIs. Präzisionsgehäuse:
SC59
Datenblatt
Auf Lager:
25 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 25+ 100+ 500+
Preis netto (EUR) 0,3973 0,2586 0,2066 0,1693 0,1528
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
25
Menge (mehrere 1)
90mOhm 2,3A 500mW SC59 Infineon Technologies 60V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
IKW25N120T2 IGBT-Transistor ; 1200V; 20V; 50A; 100A; 349W; 5,2V~6,4V; 120nC; -40°C~175°C;
Micros Symbol: TIKW25n120t2 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
IKW25N120T2FKSA1 RoHS || IKW25N120T2FKSA1 || IKW25N120T2 TO247
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IKW25N120T2FKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO247
Datenblatt
Auf Lager:
6 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
Preis netto (EUR) 6,0907 5,1222 4,5416 4,2501 4,0879
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
30
Menge (mehrere 1)
TO247 Infineon Technologies 120nC 349W 50A 100A 5,2V ~ 6,4V -40°C ~ 175°C THT 1200V 20V
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IKW25N120T2FKSA1 Präzisionsgehäuse:
TO247  
Externes Lager:
537 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 4,0879
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Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		TO247 Infineon Technologies 120nC 349W 50A 100A 5,2V ~ 6,4V -40°C ~ 175°C THT 1200V 20V
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IKW25N120T2FKSA1 Präzisionsgehäuse:
TO247  
Externes Lager:
1663 Stk.
Anzahl der Stücke 60+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 4,0879
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		TO247 Infineon Technologies 120nC 349W 50A 100A 5,2V ~ 6,4V -40°C ~ 175°C THT 1200V 20V
2SC5200 TO247 CDIL Transistor NPN; Bipolar; 230V; 5V; 160; 30MHz; 15A; 150W; -55°C~150°C; TCSC5200N;
Micros Symbol: T2SC5200 cdil TO247 Infos Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
TCSC5200N RoHS || 2SC5200 TO247 CDIL TO247
Hersteller:
CDIL Hersteller-Teilenummer:
TCSC5200N RoHS Präzisionsgehäuse:
TO247  
Auf Lager:
352 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
Preis netto (EUR) 1,5115 1,1213 0,9567 0,9003 0,8886
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
30/390
Menge (mehrere 1)
TO247 CDIL 150W 160 30MHz 15A 230V NPN -55°C ~ 150°C
                                                     
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-10-30
Anzahl der Stücke: 50
                                               
BSR802NL INFINEON N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 32mOhm; 3,7A; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSR802NL6327HTSA1;
Micros Symbol: TBSR802nl Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
BSR802N L6327 RoHS || BSR802NL6327HTSA1 || BSR802NL INFINEON SC-59
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSR802N L6327 RoHS Präzisionsgehäuse:
SC-59 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
100 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4349 0,2398 0,1881 0,1740 0,1669
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
32mOhm 3,7A 500mW SC-59 Infineon (IRF) 20V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 8V SMD
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSR802NL6327HTSA1 Präzisionsgehäuse:
SC-59  
Externes Lager:
30000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,1669
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		32mOhm 3,7A 500mW SC-59 Infineon (IRF) 20V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 8V SMD
BSS119NH6327 Infineon N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 10 Ohm; 190mA; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS119NH6327XTSA1; BSS119 L6327; BSS119NH6433XTMA1
Micros Symbol: TBSS119n Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
BSS119NH6327XTSA1 RoHS || BSS119NH6327XTSA1 || BSS119NH6327 Infineon SOT23
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSS119NH6327XTSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
2540 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,2797 0,1544 0,1025 0,0856 0,0797
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
10Ohm 190mA 500mW SOT23 Infineon Technologies 100V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSS119NH6327XTSA1 Präzisionsgehäuse:
SOT23  
Externes Lager:
6000 Stk.
Anzahl der Stücke 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0797
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		10Ohm 190mA 500mW SOT23 Infineon Technologies 100V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSS119NH6327XTSA1 Präzisionsgehäuse:
SOT23  
Externes Lager:
225000 Stk.
Anzahl der Stücke 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0797
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		10Ohm 190mA 500mW SOT23 Infineon Technologies 100V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
IKW25T120 Trans IGBT ; 1200V; 20V; 50A; 75A; 190W; 5,0V~6,5V; 155nC; -40°C~150°C; Äquivalent: IKW25T120FKSA1 INFINEON;
Micros Symbol: TIKW25t120 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
IKW25T120FKSA1 RoHS || IKW25T120FKSA1 || IKW25T120 TO247
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IKW25T120FKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO247
Datenblatt
Auf Lager:
10 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Preis netto (EUR) 4,4311 3,9398 3,6436 3,4979 3,4086
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
10
Menge (mehrere 1)
TO247 Infineon Technologies 155nC 190W 50A 75A 5,0V ~ 6,5V -40°C ~ 150°C THT 1200V 20V
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IKW25T120FKSA1 Präzisionsgehäuse:
TO247  
Externes Lager:
166 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 3,6340
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		TO247 Infineon Technologies 155nC 190W 50A 75A 5,0V ~ 6,5V -40°C ~ 150°C THT 1200V 20V
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IKW25T120FKSA1 Präzisionsgehäuse:
TO247  
Externes Lager:
150 Stk.
Anzahl der Stücke 60+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 3,4086
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		TO247 Infineon Technologies 155nC 190W 50A 75A 5,0V ~ 6,5V -40°C ~ 150°C THT 1200V 20V
BSS123 smd N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 6Ohm; 170mA; 225 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS123; BSS123L6327; BSS123LT1G; BSS123-7-F; BSS123TA; BSS123NH6327XTSA1; BSS123-13-F; BSS123L; BSS123-FAI;
Micros Symbol: TBSS123 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
BSS123LT1G RoHS || BSS123LT1G || BSS123 || BSS123 smd SOT23
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer:
BSS123LT1G RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
8220 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1747 0,0830 0,0465 0,0355 0,0317
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
6Ohm 170mA 225mW SOT23 ON SEMICONDUCTOR 100V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer:
BSS123LT1G Präzisionsgehäuse:
SOT23  
Externes Lager:
2754000 Stk.
Anzahl der Stücke 18000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0317
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		6Ohm 170mA 225mW SOT23 ON SEMICONDUCTOR 100V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer:
BSS123 Präzisionsgehäuse:
SOT23  
Externes Lager:
3885000 Stk.
Anzahl der Stücke 18000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0317
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		6Ohm 170mA 225mW SOT23 ON SEMICONDUCTOR 100V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer:
BSS123LT1G Präzisionsgehäuse:
SOT23  
Externes Lager:
1722000 Stk.
Anzahl der Stücke 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0317
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		6Ohm 170mA 225mW SOT23 ON SEMICONDUCTOR 100V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSS123 N-Channel MOSFET 0.17A 100V 10000m? BSS123-YAN
Micros Symbol: TBSS123 c Infos
Datenblatt
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BSS123 RoHS || BSS123 SOT23
Hersteller:
YFW Hersteller-Teilenummer:
BSS123 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r  
Auf Lager:
5000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Preis netto (EUR) 0,0738 0,0284 0,0139 0,0110 0,0105
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
6Ohm 170mA 360mW SOT-23 YFW 100V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
2SC5200-O JSMICRO NPN-Transistor; 160; 180W; 230V; 16A; 15MHz; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: 2SC5200-O(Q); 2SC5200-O(S1,F; 2SC5200-O(S1,F,S); 2SC5200OTU; TCSC5200N;
Micros Symbol: T2SC5200o JSM Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
2SC5200-O RoHS || 2SC5200-O JSMICRO 2-21F1A
Hersteller:
JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer:
2SC5200-O RoHS Präzisionsgehäuse:
2-21F1A
Datenblatt
Auf Lager:
50 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 25+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 1,6479 1,1542 0,9638 0,8980 0,8674
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Standard-Verpackung:
25
Menge (mehrere 1)
TO 3P JSMICRO 180W 160 15MHz 16A 230V NPN -55°C ~ 150°C
BSS123 Fairchild N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 12 Ohm; 170mA; 360 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS123L; BSS123-G; BSS123-TP;
Micros Symbol: TBSS123 FAI Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
BSS123 RoHS || BSS123-TP || BSS123 Fairchild SOT23
Hersteller:
Fairchild Hersteller-Teilenummer:
BSS123 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r  
Auf Lager:
15 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1197 0,0550 0,0299 0,0224 0,0200
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Produkt verfügbar, bis es vergriffen ist
Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
12Ohm 170mA 360mW SOT23 Fairchild 100V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Micro Commercial Components Corp. Hersteller-Teilenummer:
BSS123-TP Präzisionsgehäuse:
SOT23  
Externes Lager:
3462000 Stk.
Anzahl der Stücke 15000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0200
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Produkt verfügbar, bis es vergriffen ist
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		12Ohm 170mA 360mW SOT23 Fairchild 100V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSS123 GALAXY N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 10 Ohm; 170mA; 350 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP;
Micros Symbol: TBSS123 GAL Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
BSS123 RoHS || BSS123 GALAXY SOT23
Hersteller:
GALAXY Hersteller-Teilenummer:
BSS123 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,0943 0,0371 0,0217 0,0159 0,0145
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
10Ohm 170mA 350mW SOT23 GALAXY 100V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSS123 SA SOT23 HT(Shenzhen Jinyu Semicon) Trans. N-Channel MOSFET; 100V; +/-20V; 170mA; 10Ohm; 360mW; -55°C~150°C;
Micros Symbol: TBSS123 HT Infos
Datenblatt
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BSS123 RoHS || BSS123 SA SOT23 HT(Shenzhen Jinyu Semicon) SOT23
Hersteller:
HT SEMI Hersteller-Teilenummer:
BSS123 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r  
Auf Lager:
11990 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Preis netto (EUR) 0,0635 0,0244 0,0119 0,0095 0,0091
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
10Ohm 170mA 360mW SOT23 HT 100V N-MOSFET 10V -55°C ~ 150°C 20V SMD
1    25  26  27  28  29  30  31  32  33    324