Transistoren (Ergebnisse: 10636)
| Produkt | Warenkorb |
Widerstand im offenen Kanal
|
Max. Drainstrom
|
Maximaler Leistungsverlust
|
Gehäuse
|
Hersteller
|
Verlustleistung
|
Stromverstärkungsfaktor
|
Gate-Ladung
|
Grenzfrequenz
|
Maximale Verlustleistung
|
Max. Drain-Source Spannung
|
Max. Kollektor-Strom [A]
|
Max. Kollektor-Emitter-Spannung
|
Max. Kollektor-Strom im Impuls
|
Max. Kollektor-Strom
|
Vorwärtsspannung [Vgeth]
|
Msx. Drain-Gate Spannung
|
Transistor-Typ
|
Betriebstemperatur (Bereich)
|
Max. Gate-Source Spannung
|
Kollektor-Emitter-Spannung
|
Montage
|
Gate - Emitter Spannung
|
Transistorsysteme [J/N]
|
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BSS159N HXY MOSFET
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 3Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BSS159N E6327; BSS159N E6906; BSS159NH6327XTSA1; BSS159NH6327XTSA2; BSS159NH6906XTSA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
3000 Stk. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
3Ohm | 300mA | 350mW | SOT23 | HXY MOSFET | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
BSS159NH6327XTSA2
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 8Ohm; 230mA; 360 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS159NH6327; BSS159NH6327XTSA2; BSS159NH6906XTSA1; BSS159N; BSS159NH6327XTSA2;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
150 Stk. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 200 Menge (mehrere 1) |
8Ohm | 230mA | 360mW | SOT23 | Infineon Technologies | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS159NH6327XTSA2 Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
258000 Stk. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
8Ohm | 230mA | 360mW | SOT23 | Infineon Technologies | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS159NH6327XTSA2 Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
6000 Stk. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
8Ohm | 230mA | 360mW | SOT23 | Infineon Technologies | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
IKW25N120T2
IGBT-Transistor ; 1200V; 20V; 50A; 100A; 349W; 5,2V~6,4V; 120nC; -40°C~175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
6 Stk. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 30 Menge (mehrere 1) |
TO247 | Infineon Technologies | 120nC | 349W | 100A | 50A | 5,2V ~ 6,4V | -40°C ~ 175°C | 1200V | THT | 20V | |||||||||||||||||||||||||
|
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: IKW25N120T2FKSA1 Präzisionsgehäuse: TO247 |
Externes Lager:
360 Stk. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 1 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
TO247 | Infineon Technologies | 120nC | 349W | 100A | 50A | 5,2V ~ 6,4V | -40°C ~ 175°C | 1200V | THT | 20V | |||||||||||||||||||||||||
|
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: IKW25N120T2FKSA1 Präzisionsgehäuse: TO247 |
Externes Lager:
853 Stk. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 30 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
TO247 | Infineon Technologies | 120nC | 349W | 100A | 50A | 5,2V ~ 6,4V | -40°C ~ 175°C | 1200V | THT | 20V | |||||||||||||||||||||||||
|
BSS169H6327 HXY MOSFET
N-Channel-MOSFET-Transistor;100V; 20V; 9Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BSS169H6327; BSS169H6327XTSA1; BSS169I; SP005558635; BSS169; BSS169H6906XTSA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
3000 Stk. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
9Ohm | 170mA | 350mW | SOT23 | HXY MOSFET | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
BSS214NH6327XTSA1
N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 250 mOhm; 1,5A; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS214NH6327XTSA1; BSS214NH6327;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
3000 Stk. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
250mOhm | 1,5A | 500mW | SOT23 | Infineon Technologies | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS214NH6327XTSA1 Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
24000 Stk. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
250mOhm | 1,5A | 500mW | SOT23 | Infineon Technologies | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS214NH6327XTSA1 Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
1314000 Stk. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
250mOhm | 1,5A | 500mW | SOT23 | Infineon Technologies | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS214NH6327XTSA1 Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
30000 Stk. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
250mOhm | 1,5A | 500mW | SOT23 | Infineon Technologies | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
IKW25T120
Trans IGBT ; 1200V; 20V; 50A; 75A; 190W; 5,0V~6,5V; 155nC; -40°C~150°C; Äquivalent: IKW25T120FKSA1 INFINEON;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
10 Stk. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 10 Menge (mehrere 1) |
TO247 | Infineon Technologies | 155nC | 190W | 75A | 50A | 5,0V ~ 6,5V | -40°C ~ 150°C | 1200V | THT | 20V | |||||||||||||||||||||||||
|
2SC4672 JSMICRO
NPN-Transistor; 390; 500mW, 50V; 3A; 210MHz, -55°C ~ 150°C; Äquivalent: 2SC4672-R-TP;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
500 Stk. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 1000 Menge (mehrere 1) |
SOT89 | JSMICRO | 500mW | 390 | 210MHz | 3A | 50V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
BSS225H6327 Infineon
N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 20V; 45Ohm; 90mA; 1W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS225H6327FTSA1; BSS225H6327XTSA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
997 Stk. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 1000 Menge (mehrere 1) |
45Ohm | 90mA | 1W | SOT89 | Infineon Technologies | 600V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS225H6327FTSA1 Präzisionsgehäuse: SOT89 |
Externes Lager:
1000 Stk. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 1000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
45Ohm | 90mA | 1W | SOT89 | Infineon Technologies | 600V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS225H6327FTSA1 Präzisionsgehäuse: SOT89 |
Externes Lager:
10000 Stk. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 1000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
45Ohm | 90mA | 1W | SOT89 | Infineon Technologies | 600V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS225H6327FTSA1 Präzisionsgehäuse: SOT89 |
Externes Lager:
17000 Stk. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 1000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
45Ohm | 90mA | 1W | SOT89 | Infineon Technologies | 600V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
2SC4672-R SLKOR
NPN-Transistor; 390; 500mW, 50V; 2A; 210MHz, -55°C ~ 150°C; Äquivalent: 2SC4672-R-TP;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
1000 Stk. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 1000 Menge (mehrere 1) |
SOT89 | SLKOR | 500mW | 390 | 210MHz | 2A | 50V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
BSS306NH6327 Infineon
N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 93mOhm; 2,3A; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS306NH6327HTSA1; BSS306NH6327;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
3413 Stk. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
93mOhm | 2,3A | 500mW | SOT23 | Infineon Technologies | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS306NH6327XTSA1 Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
6000 Stk. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
93mOhm | 2,3A | 500mW | SOT23 | Infineon Technologies | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS306NH6327XTSA1 Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
363000 Stk. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
93mOhm | 2,3A | 500mW | SOT23 | Infineon Technologies | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS306NH6327XTSA1 Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
147000 Stk. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
93mOhm | 2,3A | 500mW | SOT23 | Infineon Technologies | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
BSS314PEH6327 Infineon
P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 230 mOhm; 1,5A; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS314PEH6327XTSA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
1875 Stk. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
230mOhm | 1,5A | 500mW | SOT23 | Infineon Technologies | 30V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS314PEH6327XTSA1 Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
399000 Stk. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
230mOhm | 1,5A | 500mW | SOT23 | Infineon Technologies | 30V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS314PEH6327XTSA1 Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
129000 Stk. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
230mOhm | 1,5A | 500mW | SOT23 | Infineon Technologies | 30V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS314PEH6327XTSA1 Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
918000 Stk. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
230mOhm | 1,5A | 500mW | SOT23 | Infineon Technologies | 30V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
BSS606NH6327 Infineon
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 90mOhm; 3,2A; 1W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS606NH6327XTSA1; BSS606NH6327TR; BSS606NH6327; BSS606NH6327XTSA1
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
990 Stk. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 1000 Menge (mehrere 1) |
90mOhm | 3,2A | 1W | SOT89 | Infineon Technologies | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS606NH6327XTSA1 Präzisionsgehäuse: SOT89 |
Externes Lager:
1000 Stk. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 1000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
90mOhm | 3,2A | 1W | SOT89 | Infineon Technologies | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS606NH6327XTSA1 Präzisionsgehäuse: SOT89 |
Externes Lager:
136000 Stk. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 1000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
90mOhm | 3,2A | 1W | SOT89 | Infineon Technologies | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS606NH6327XTSA1 Präzisionsgehäuse: SOT89 |
Externes Lager:
31000 Stk. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 1000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
90mOhm | 3,2A | 1W | SOT89 | Infineon Technologies | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
BSS606N-P
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 62mOhm; 3,5A; 1,7 W; -55°C~150°C; Äquivalent: BSS606NH6327XTSA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
470 Stk. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 500 Menge (mehrere 1) |
62mOhm | 3,5A | 1,7W | SOT89-3 | TECH PUBLIC | 60V | 10V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
|
BSS806NH6327 Infineon
N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 82mOhm; 2,3A; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS806NH6327XTSA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
10 Stk. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
82mOhm | 2,3A | 500mW | SOT23 | Infineon Technologies | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
80 Stk. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 100 Menge (mehrere 1) |
82mOhm | 2,3A | 500mW | SOT23 | Infineon Technologies | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS806NH6327XTSA1 Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
3000 Stk. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
82mOhm | 2,3A | 500mW | SOT23 | Infineon Technologies | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS806NH6327XTSA1 Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
3903000 Stk. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
82mOhm | 2,3A | 500mW | SOT23 | Infineon Technologies | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS806NH6327XTSA1 Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
957000 Stk. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
82mOhm | 2,3A | 500mW | SOT23 | Infineon Technologies | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
BSS806NEH6327XTSA1
N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 82mOhm; 2,3A; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS806NEH6327XTSA1; BSS806NEH6327;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
3000 Stk. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
82mOhm | 2,3A | 500mW | SOT23 | Infineon Technologies | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS806NEH6327XTSA1 Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
60000 Stk. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
82mOhm | 2,3A | 500mW | SOT23 | Infineon Technologies | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS806NEH6327XTSA1 Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
953990 Stk. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
82mOhm | 2,3A | 500mW | SOT23 | Infineon Technologies | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
BSS816NWH6327 Infineon
N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 240 mOhm; 1,4A; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS816NWH6327XTSA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
1050 Stk. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
240mOhm | 1,4A | 500mW | SOT323 | Infineon Technologies | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
3000 Stk. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
240mOhm | 1,4A | 500mW | SOT323 | Infineon Technologies | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS816NWH6327XTSA1 Präzisionsgehäuse: SOT323 |
Externes Lager:
39000 Stk. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
240mOhm | 1,4A | 500mW | SOT323 | Infineon Technologies | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS816NWH6327XTSA1 Präzisionsgehäuse: SOT323 |
Externes Lager:
69000 Stk. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
240mOhm | 1,4A | 500mW | SOT323 | Infineon Technologies | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS816NWH6327XTSA1 Präzisionsgehäuse: SOT323 |
Externes Lager:
495000 Stk. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
240mOhm | 1,4A | 500mW | SOT323 | Infineon Technologies | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
BSS83P JSMICRO
P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 10Ohm; 330mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BSS83PE6327; BSS83PH6327XTSA1; BSS83PL6327HTSA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
1000 Stk. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 1000 Menge (mehrere 1) |
10Ohm | 330mA | 225mW | SOT23 | JSMICRO | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
BSS83PH6327XTSA1
P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 3Ohm; 330mA; 360 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS83PH6327; BSS83PH6327XTSA1; BSS83P; SP000702486;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
5840 Stk. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
3Ohm | 330mA | 360mW | SOT23 | Infineon Technologies | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
9000 Stk. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
3Ohm | 330mA | 360mW | SOT23 | Infineon Technologies | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS83PH6327XTSA1 Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
102000 Stk. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
3Ohm | 330mA | 360mW | SOT23 | Infineon Technologies | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS83PH6327XTSA1 Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
288000 Stk. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
3Ohm | 330mA | 360mW | SOT23 | Infineon Technologies | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS83PH6327XTSA1 Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
321000 Stk. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
3Ohm | 330mA | 360mW | SOT23 | Infineon Technologies | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
IKW30N60H3
IGBT-Transistor ; 600V; 20V; 60A; 120A; 187W; 4,1V~5,7V; 165nC; -40°C~175°C; Äquivalent: IKW30N60H3FKSA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
31 Stk. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 30 Menge (mehrere 1) |
TO247 | Infineon Technologies | 165nC | 187W | 120A | 60A | 4,1V ~ 5,7V | -40°C ~ 175°C | 600V | THT | 20V | |||||||||||||||||||||||||
|
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: IKW30N60H3FKSA1 Präzisionsgehäuse: TO247 |
Externes Lager:
120 Stk. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 30 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
TO247 | Infineon Technologies | 165nC | 187W | 120A | 60A | 4,1V ~ 5,7V | -40°C ~ 175°C | 600V | THT | 20V | |||||||||||||||||||||||||
|
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: IKW30N60H3FKSA1 Präzisionsgehäuse: TO247 |
Externes Lager:
810 Stk. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 30 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
TO247 | Infineon Technologies | 165nC | 187W | 120A | 60A | 4,1V ~ 5,7V | -40°C ~ 175°C | 600V | THT | 20V | |||||||||||||||||||||||||
|
BSS84,215-CN CHIPNOBO
P-Channel-MOSFET-Transistor; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -50°C ~ 150°C; Äquivalent: BSS84.215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
1917 Stk. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
10Ohm | 130mA | 225mW | SOT23 | CHIPNOBO | 50V | P-MOSFET | -50°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
BSS84 GALAXY
P-Channel-MOSFET-Transistor; 50V; 12V; 10 Ohm; 130mA; 360 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS84.215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
2500 Stk. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
10Ohm | 130mA | 360mW | SOT23 | GALAXY | 50V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
BSS84 HXY MOSFET
P-Channel-MOSFET-Transistor; 50V; 20V; 6Ohm; 130mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BSS84.215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
2000 Stk. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
6Ohm | 130mA | 350mW | SOT23 | HXY MOSFET | 50V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
BSS84 JSMICRO
P-Channel-MOSFET-Transistor; 50V; 20V; 6Ohm; 130mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BSS84.215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
2997 Stk. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
6Ohm | 130mA | 350mW | SOT23 | JSMICRO | 50V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
BSS84 JUXING
P-Channel-MOSFET-Transistor; 50V; 20V; 10 Ohm; 130mA; 225 mW; -50 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS84.215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
3000 Stk. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
10Ohm | 130mA | 225mW | SOT23 | JUXING | 50V | P-MOSFET | -50°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
BSS84 MERRY
P-Channel-MOSFET-Transistor; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -50°C ~ 150°C; Äquivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
5997 Stk. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
10Ohm | 130mA | 225mW | SOT23 | MERRY | 50V | P-MOSFET | -50°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
2SC4793 JSMICRO
NPN-Transistor; 270; 20W; 230V; 1A; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: 2SC4793,F(J; 2SC4793(F,M);
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
200 Stk. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 50/200 Menge (mehrere 1) |
TO220iso | JSMICRO | 20W | 270 | 100MHz | 1A | 230V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
BSS84 SHIKUES
P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 6Ohm; 130mA; Äquivalent: BSS84.215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
2000 Stk. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
6Ohm | 130mA | SOT23 | SHIKUES | 60V | P-MOSFET | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||||
|
BSS84 SLKOR
P-Channel-MOSFET-Transistor; 50V; 20V; 10 Ohm; 130mA; 200 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS84.215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
7580 Stk. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
10Ohm | 130mA | 200mW | SOT23 | SLKOR | 50V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
2SC4793
Transistor NPN; 320; 2W; 230V; 1A; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Komplementär zu 2SA1837; 2SC4793-O; 2SC4793(F,M); 2SC4793-O;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Hersteller:
JSMSEMI Hersteller-Teilenummer: 2SC4793-O RoHS Präzisionsgehäuse: TO220iso |
Auf Lager:
146 Stk. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 50/150 Menge (mehrere 1) |
TO220iso | 2W | 320 | 100MHz | 1A | 230V | NPN | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
|
Hersteller:
OSEN Hersteller-Teilenummer: 2SC4793 RoHS Präzisionsgehäuse: TO220iso |
Auf Lager:
20 Stk. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 50 Menge (mehrere 1) |
TO220iso | 2W | 320 | 100MHz | 1A | 230V | NPN | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
|
BSS84 UMW
P-Channel-MOSFET-Transistor; 50V; 20V; 10 Ohm; 130mA; 300 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS84.215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Auf Lager:
2500 Stk. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
10Ohm | 130mA | 300mW | SOT23 | UMW | 50V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||