Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 5478)
Produkt | Warenkorb |
Transistor-Typ
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Max. Drain-Source Spannung
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Msx. Drain-Gate Spannung
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Max. Gate-Source Spannung
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Widerstand im offenen Kanal
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Max. Drainstrom
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Maximaler Leistungsverlust
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Montage
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Betriebstemperatur (Bereich)
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Gehäuse
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Hersteller
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BSS123 SOT23 MDD(MICRODIODE)
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 5,5Ohm; 200mA; 350mW; -50°C~150°C;
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Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 5,5Ohm | 200mA | 350mW | SMD | -50°C ~ 150°C | SOT23 | MDD | |||||||||||||
BSS123 NXP
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 100V; 20V; 6Ohm; 150mA; 250 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS123,215; BSS123.215;
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Hersteller:
NXP Hersteller-Teilenummer: BSS123,215 RoHS Präzisionsgehäuse: SOT23t/r |
Auf Lager:
7480 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 100V | 100V | 20V | 6Ohm | 150mA | 250mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | NXP | ||||||||||||
Hersteller:
Nexperia Hersteller-Teilenummer: BSS123,215 Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
2043000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 100V | 100V | 20V | 6Ohm | 150mA | 250mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | NXP | ||||||||||||
Hersteller:
Nexperia Hersteller-Teilenummer: BSS123,215 Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
708000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 100V | 100V | 20V | 6Ohm | 150mA | 250mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | NXP | ||||||||||||
Hersteller:
Nexperia Hersteller-Teilenummer: BSS123,215 Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
2937000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 100V | 100V | 20V | 6Ohm | 150mA | 250mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | NXP | ||||||||||||
BSS123 UMW
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 10 Ohm; 170mA; 350 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP;
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Auf Lager:
6000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 10Ohm | 170mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | UMW | |||||||||||||
BSS138 UMW
N-Channel-MOSFET-Transistor; 50V; 50V; 20V; 3,5 Ohm; 300mA; 300 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138RFG;
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Auf Lager:
57020 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
N-MOSFET | 50V | 50V | 20V | 3,5Ohm | 300mA | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | UMW | ||||||||||||
BSS316NH6327 Infineon
N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 280 mOhm; 1,4A; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS316NH6327XTSA1;
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Auf Lager:
1485 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 280mOhm | 1,4A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||||||||||
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS316NH6327XTSA1 Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
1161000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 280mOhm | 1,4A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||||||||||
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS316NH6327XTSA1 Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
9000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 280mOhm | 1,4A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||||||||||
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS316NH6327XTSA1 Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 100 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 280mOhm | 1,4A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||||||||||
AO3403
P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 200 mOhm; 2,6A; 1,4 W; -55 °C ~ 150 °C;
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Hersteller:
ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AO3403 RoHS Präzisionsgehäuse: SOT23t/r |
Auf Lager:
500 Stk. |
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Standard-Verpackung: 500 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 30V | 12V | 200mOhm | 2,6A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
BSS84,215
P-Channel-MOSFET-Transistor; 50V; 20V; 10 Ohm; 130mA; 225 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS84; BSS84LT1G; BSS84-7-F; BSS84,215; BSS84AK,215 (Automotive); BSS84 smd NXP; BSS84.215;
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Hersteller:
NXP Hersteller-Teilenummer: BSS84 RoHS Präzisionsgehäuse: SOT23t/r |
Auf Lager:
125 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000/90000 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 50V | 20V | 10Ohm | 130mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | NXP | |||||||||||||
Hersteller:
NXP Hersteller-Teilenummer: BSS84,215 RoHS Präzisionsgehäuse: SOT23t/r |
Auf Lager:
112800 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 50V | 20V | 10Ohm | 130mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | NXP | |||||||||||||
Hersteller:
Nexperia Hersteller-Teilenummer: BSS84,215 Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
199000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
P-MOSFET | 50V | 20V | 10Ohm | 130mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | NXP | |||||||||||||
Hersteller:
Nexperia Hersteller-Teilenummer: BSS84,215 Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
36000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
P-MOSFET | 50V | 20V | 10Ohm | 130mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | NXP | |||||||||||||
Hersteller:
Nexperia Hersteller-Teilenummer: BSS84,215 Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
1890000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
P-MOSFET | 50V | 20V | 10Ohm | 130mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | NXP | |||||||||||||
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Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-05-16
Anzahl der Stücke: 3000
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AO3415A
P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 65mOhm; 5A; 1,5 W; -55 °C ~ 150 °C;
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Auf Lager:
380 Stk. |
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Standard-Verpackung: 300 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 20V | 8V | 65mOhm | 5A | 1,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | TECH PUBLIC | |||||||||||||
CSD19534KCS
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 20mOhm; 100A; 118W; -55 °C ~ 175 °C;
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Auf Lager:
50 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 20mOhm | 100A | 118W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Texas Instruments | |||||||||||||
AO3415A
P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 65mOhm; 5A; 1,5 W; -55 °C ~ 150 °C;
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Auf Lager:
150 Stk. |
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Standard-Verpackung: 150 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 20V | 8V | 65mOhm | 5A | 1,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | VBS | |||||||||||||
STD26P3LLH6 JSMICRO
N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 18mOhm; 55A; 37,5W; -55°C ~ 175°C; Äquivalent: STD26P3LLH6 STMicroelectronics
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Auf Lager:
195 Stk. |
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Standard-Verpackung: 200 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 18mOhm | 55A | 37,5W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | JSMICRO | |||||||||||||
AO3418
N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 85mOhm; 3,8A; 1,4 W; -55 °C ~ 150 °C;
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Hersteller:
ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AO3418 RoHS AK... Präzisionsgehäuse: SOT23t/r |
Auf Lager:
500 Stk. |
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Standard-Verpackung: 500 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 30V | 12V | 85mOhm | 3,8A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
Hersteller:
ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AO3418 Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
12000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 30V | 12V | 85mOhm | 3,8A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
DMP4051LK3-13
P-MOSFET 40V 7.2A 51mΩ 2.14W
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Auf Lager:
500 Stk. |
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Standard-Verpackung: 2500 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 40V | 20V | 51mOhm | 10,5A | 2,14W | SMD | -55°C ~ 150°C | DPAK-3 | Diodes Incorporated | |||||||||||||
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMP4051LK3-13 Präzisionsgehäuse: TO252 |
Externes Lager:
2500 Stk. |
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Standard-Verpackung: 2500 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
P-MOSFET | 40V | 20V | 51mOhm | 10,5A | 2,14W | SMD | -55°C ~ 150°C | DPAK-3 | Diodes Incorporated | |||||||||||||
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMP4051LK3-13 Präzisionsgehäuse: TO252 |
Externes Lager:
80000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 2500 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
P-MOSFET | 40V | 20V | 51mOhm | 10,5A | 2,14W | SMD | -55°C ~ 150°C | DPAK-3 | Diodes Incorporated | |||||||||||||
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMP4051LK3-13 Präzisionsgehäuse: TO252 |
Externes Lager:
7500 Stk. |
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Standard-Verpackung: 2500 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
P-MOSFET | 40V | 20V | 51mOhm | 10,5A | 2,14W | SMD | -55°C ~ 150°C | DPAK-3 | Diodes Incorporated | |||||||||||||
AO3419
P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 168 mOhm; 3,5A; 1,4 W; -55 °C ~ 150 °C;
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Hersteller:
ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AO3419 RoHS Präzisionsgehäuse: SOT23t/r |
Auf Lager:
19270 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 20V | 12V | 168mOhm | 3,5A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
Hersteller:
ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AO3419 Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
15000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
P-MOSFET | 20V | 12V | 168mOhm | 3,5A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AO3420 SOT23-3L
N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 55mOhm; 6A; 1,4 W; -55 °C ~ 150 °C;
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Auf Lager:
300 Stk. |
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Standard-Verpackung: 300 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 55mOhm | 6A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | HOTTECH | |||||||||||||
FDD8896
N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; +/-20V; 2,1 Ohm; 12A; 165 W; -55°C~175°C; Äquivalent: FDD8896-VB; YFW100N03AD;
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Auf Lager:
80 Stk. |
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Standard-Verpackung: 100 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 2,1Ohm | 12A | 165W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 | VBS | |||||||||||||
Auf Lager:
300 Stk. |
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Standard-Verpackung: 2500 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 2,1Ohm | 12A | 165W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 | VBS | |||||||||||||
Auf Lager:
496 Stk. |
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Standard-Verpackung: 2500 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 2,1Ohm | 12A | 165W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 | VBS | |||||||||||||
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Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-05-05
Anzahl der Stücke: 5000
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FDN338P
P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 165 mOhm; 1,6A; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C;
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Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDN338P RoHS Präzisionsgehäuse: SSOT3 |
Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 20V | 8V | 165mOhm | 1,6A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SSOT3 | Fairchild | |||||||||||||
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDN338P Präzisionsgehäuse: SSOT3 |
Externes Lager:
159000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
P-MOSFET | 20V | 8V | 165mOhm | 1,6A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SSOT3 | Fairchild | |||||||||||||
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDN338P Präzisionsgehäuse: SSOT3 |
Externes Lager:
66000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
P-MOSFET | 20V | 8V | 165mOhm | 1,6A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SSOT3 | Fairchild | |||||||||||||
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDN338P Präzisionsgehäuse: SSOT3 |
Externes Lager:
201000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
P-MOSFET | 20V | 8V | 165mOhm | 1,6A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SSOT3 | Fairchild | |||||||||||||
AO3422
N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 12V; 120 mOhm; 2A; 1,56 W; -55°C~150°C;
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Auf Lager:
200 Stk. |
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Standard-Verpackung: 300 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 55V | 12V | 120mOhm | 2A | 1,56W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | MSK | |||||||||||||
FDS9926A
2xN-Channel MOSFET-Transistor; 20V; 10V; 50mOhm; 6,5A; 2W; -55 °C ~ 150 °C;
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Auf Lager:
165 Stk. |
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Standard-Verpackung: 200 Menge (mehrere 1) |
2xN-MOSFET | 20V | 10V | 50mOhm | 6,5A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDS9926A Präzisionsgehäuse: SOP08 |
Externes Lager:
22500 Stk. |
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Standard-Verpackung: 2500 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
2xN-MOSFET | 20V | 10V | 50mOhm | 6,5A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
FDV303N
N-Channel-MOSFET-Transistor; 25V; 8V; 800 mOhm; 680mA; 350 mW; -55 °C ~ 150 °C;
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Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDV303N RoHS Präzisionsgehäuse: SOT23t/r |
Auf Lager:
6752 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 25V | 8V | 800mOhm | 680mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDV303N Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
22890000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 25V | 8V | 800mOhm | 680mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
AO4409
P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 12mOhm; 15A; 3,1 W; -55 °C ~ 150 °C;
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Hersteller:
ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AO4409 RoHS Präzisionsgehäuse: SOP08t/r |
Auf Lager:
40 Stk. |
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Standard-Verpackung: 100 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 12mOhm | 15A | 3,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AO4435
P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 25V; 36mOhm; 14A; 3,1 W; -55 °C ~ 150 °C;
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Hersteller:
ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AO4435 RoHS Präzisionsgehäuse: SOP08t/r |
Auf Lager:
100 Stk. |
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Standard-Verpackung: 100 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 30V | 25V | 36mOhm | 14A | 3,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AO4455
P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 25V; 9,5 mOhm; 17A; 3,1 W; -55 °C ~ 150 °C;
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Hersteller:
ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AO4455 RoHS Präzisionsgehäuse: SOP08t/r |
Auf Lager:
95 Stk. |
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Standard-Verpackung: 100 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 30V | 25V | 9,5mOhm | 17A | 3,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AON7520
N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 3,1 mOhm; 50A; 83,3 W; -55 °C ~ 150 °C;
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Hersteller:
ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AON7520C RoHS Präzisionsgehäuse: DFN08(3.3x3.3) |
Auf Lager:
50 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 30V | 12V | 3,1mOhm | 50A | 83,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | DFN08(3.3x3.3) | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
FDG6317NZ
Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88
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Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDG6317NZ Präzisionsgehäuse: SC-88 |
Externes Lager:
5000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 20V | 12V | 550mOhm | 2,1A | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SC-88 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 550mOhm | 2,1A | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SC-88 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
IRF3710PBF JSMICRO
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 21mOhm; 60A; 200 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF3710PBF; SP001551058;
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Auf Lager:
30 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 21mOhm | 60A | 200W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | JSMICRO | |||||||||||||
SKG45N10-T
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 22mOhm; 45A; Äquivalent: IRF3710PBF; SP001551058;
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Auf Lager:
36 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50/100 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 22mOhm | 45A | THT | TO220 | SHIKUES | |||||||||||||||
IRF3710
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF3710PBF; SP001551058;
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Auf Lager:
1400 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50/1000 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 23mOhm | 57A | 200W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF3710PBF RoHS Präzisionsgehäuse: TO220 |
Auf Lager:
2000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50/1000 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 23mOhm | 57A | 200W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||
Hersteller:
- Hersteller-Teilenummer: IRF3710PBF Präzisionsgehäuse: TO220 |
Externes Lager:
262 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 23mOhm | 57A | 200W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||
IRF5210PBF
P-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 60mOhm; 40A; 200 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF5210PBF; IRF5210;
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Auf Lager:
60 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50/450 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 100V | 20V | 60mOhm | 40A | 200W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF5210PBF Präzisionsgehäuse: TO220 |
Externes Lager:
1200 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
P-MOSFET | 100V | 20V | 60mOhm | 40A | 200W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF5210PBF Präzisionsgehäuse: TO220 |
Externes Lager:
17610 Stk. |
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Standard-Verpackung: 100 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
P-MOSFET | 100V | 20V | 60mOhm | 40A | 200W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF5210PBF Präzisionsgehäuse: TO220 |
Externes Lager:
3050 Stk. |
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Standard-Verpackung: 10 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
P-MOSFET | 100V | 20V | 60mOhm | 40A | 200W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRF7103TRPBF
2xN-Channel MOSFET-Transistor; 50V; 20V; 200 mOhm; 3A; 2W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF7103TRPBF; IRF7103PBF; IRF7103TR; IRF7103PBF-GURT; IRF7103 SMD;
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Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF7103 RoHS Präzisionsgehäuse: SOP08 |
Auf Lager:
0 Stk. |
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Standard-Verpackung: 95/950 Menge (mehrere 1) |
2xN-MOSFET | 50V | 20V | 200mOhm | 3A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF7103TRPBF RoHS Präzisionsgehäuse: SOP08t/r |
Auf Lager:
23818 Stk. |
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Standard-Verpackung: 4000 Menge (mehrere 1) |
2xN-MOSFET | 50V | 20V | 200mOhm | 3A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF7103TRPBF Präzisionsgehäuse: SOP08 |
Externes Lager:
4840 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
2xN-MOSFET | 50V | 20V | 200mOhm | 3A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF7103TRPBFXTMA1 Präzisionsgehäuse: SOP08 |
Externes Lager:
36000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 4000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
2xN-MOSFET | 50V | 20V | 200mOhm | 3A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF7103TRPBFXTMA1 Präzisionsgehäuse: SOP08 |
Externes Lager:
4000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 4000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
2xN-MOSFET | 50V | 20V | 200mOhm | 3A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Infineon (IRF) |
Feldeffekttransistoren für analoge und digitale Schaltungen
Heutzutage sind Transistoren unverzichtbare Bestandteile der meisten elektrischen und elektronischen Geräte. Sie sind sowohl in analogen als auch in digitalen Schaltungen präsent. Unter den Transistoren verdienen insbesondere die sogenannten Feldeffekttransistoren, auch als unipolare Transistoren bezeichnet, besondere Beachtung. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass der Katalog der Feldeffekttransistoren zahlreiche Elemente enthält, die sich erheblich voneinander unterscheiden können. Es lohnt sich, einen genaueren Blick darauf zu werfen, was Feldeffekttransistoren wirklich sind und wie sie funktionieren.
Wie sind Feldeffekttransistoren aufgebaut?
Obwohl die diskutierten Elemente nicht homogen sind, haben sie bestimmte Bauweisen gemeinsam, die sie von anderen Transistoren unterscheiden. Ein Feldeffekttransistor besteht aus vier Hauptteilen, nämlich:
- Kristall,
- erste Elektrode,
- zweite Elektrode,
- Gate (Tor).
Der Kristall ist der Hauptbestandteil des Feldeffekttransistors. Er fungiert als dotierter Halbleiter. Dank der Eigenschaften des Kristalls arbeiten unipolare Transistoren durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes. Dies ist bei bipolaren Transistoren nicht möglich, bei denen die Basis nur schwach dotiert ist. Bei Feldeffekttransistoren bezeichnet das Symbol S die erste Elektrode, die dem Emitter bei bipolaren Modellen entspricht. Bei bipolaren Transistoren wird die erste Elektrode als Source bezeichnet. Die zweite Elektrode ist der Drain, gekennzeichnet durch das Symbol D, der dieselbe Funktion wie die Kollektoren bei bipolaren Transistoren erfüllt. Eine sehr wichtige Komponente jedes Feldeffekttransistors ist auch das Gate, die dritte Elektrode. Sie befindet sich im Kanal zwischen Source und Drain. Dieses Teil hat die gleiche Funktion wie die Basis, die ein unverzichtbarer Bestandteil jedes bipolaren Transistors ist.
Wie funktionieren Feldeffekttransistoren?
Es ist sinnvoll, die Funktionsweise von Feldeffekttransistoren genauer zu betrachten, um zu erklären, warum sie so beliebt sind. Durch die Anwendung des Kristalls kann der Feldeffekttransistor seine Funktion durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes erfüllen. Darüber hinaus fließt der Strom bei diesem Transistor nicht durch das Gate. Im sogenannten Gate, also der Basis, entsteht durch das Anlegen des Kristalls ein elektromagnetisches Feld. Dieses Feld führt zu einer Veränderung des Kanalquerschnitts. Das Fehlen von Stromfluss und -ausfluss durch das Gate garantiert einen hohen Eingangswiderstand. Dies ist eine sehr geschätzte Eigenschaft, insbesondere in analogen Anwendungen von Feldeffekttransistoren.
Katalog der Feldeffekttransistoren - was du zur Auswahl hast
Wir bieten eine Vielzahl von Feldeffekttransistoren an, die sowohl für analoge als auch digitale Geräte geeignet sind. Unser Katalog umfasst unter anderem:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET.
Obwohl Feldeffekttransistoren vielfältig sind, wie auch unser Angebot zeigt, wird eine bestimmte Gruppe besonders hoch geschätzt. Es handelt sich um MOSFET-Transistoren. Diese Modelle sind zwar vielfältig, weisen jedoch einige gemeinsame Merkmale auf, die sie von anderen Typen von Geräten unterscheiden. MOSFET-Transistoren zeichnen sich durch besonders hohe Leistungsfähigkeit aus. Darüber hinaus zeichnet sich diese Art von Feldeffekttransistoren durch die Möglichkeit aus, sie miteinander zu verbinden. Dies ermöglicht die Erstellung sehr komplexer integrierter Schaltungen.
Klassische MOSFET-Transistoren können in analogen Geräten verwendet werden, zum Beispiel als Schalter. Die Beliebtheit dieser Transistorengruppe resultiert jedoch vor allem aus ihrer Nutzung in den technologisch fortschrittlichsten digitalen Schaltungen. Der Katalog der MOSFET-Transistoren enthält Modelle, die für den Einsatz in Mikroprozessoren oder CMOS-Gattern bestimmt sind.