Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 5478)

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Gehäuse
Hersteller
BSS123 SOT23 MDD(MICRODIODE) Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 5,5Ohm; 200mA; 350mW; -50°C~150°C;
BSS123 RoHS || BSS123 SOT23 MDD(MICRODIODE) SOT23
Hersteller:
MDD(Microdiode Electronics)
Hersteller-Teilenummer:
BSS123 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Preis netto (EUR) 0,0732 0,0281 0,0137 0,0109 0,0104
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
N-MOSFET 100V 20V 5,5Ohm 200mA 350mW SMD -50°C ~ 150°C SOT23 MDD
BSS123 NXP N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 100V; 20V; 6Ohm; 150mA; 250 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS123,215; BSS123.215;
BSS123,215 RoHS || BSS123,215 || BSS123 NXP SOT23
Hersteller:
NXP
Hersteller-Teilenummer:
BSS123,215 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
 
Auf Lager:
7480 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1543 0,0734 0,0411 0,0313 0,0281
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 100V 100V 20V 6Ohm 150mA 250mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 NXP
 
Hersteller:
Nexperia
Hersteller-Teilenummer:
BSS123,215
Präzisionsgehäuse:
SOT23
 
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2043000 Stk.
Anzahl der Stücke 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0281
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3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 100V 100V 20V 6Ohm 150mA 250mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 NXP
 
Hersteller:
Nexperia
Hersteller-Teilenummer:
BSS123,215
Präzisionsgehäuse:
SOT23
 
Externes Lager:
708000 Stk.
Anzahl der Stücke 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0281
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3000
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20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 100V 100V 20V 6Ohm 150mA 250mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 NXP
 
Hersteller:
Nexperia
Hersteller-Teilenummer:
BSS123,215
Präzisionsgehäuse:
SOT23
 
Externes Lager:
2937000 Stk.
Anzahl der Stücke 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0281
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3000
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Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 100V 100V 20V 6Ohm 150mA 250mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 NXP
BSS123 UMW N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 10 Ohm; 170mA; 350 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP;
BSS123 RoHS || BSS123 UMW SOT23
Hersteller:
UMW
Hersteller-Teilenummer:
BSS123 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
6000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Preis netto (EUR) 0,0816 0,0316 0,0154 0,0122 0,0117
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
N-MOSFET 100V 20V 10Ohm 170mA 350mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 UMW
BSS138 UMW N-Channel-MOSFET-Transistor; 50V; 50V; 20V; 3,5 Ohm; 300mA; 300 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138RFG;
BSS138 RoHS || BSS138 UMW SOT23
Hersteller:
UMW
Hersteller-Teilenummer:
BSS138 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
57020 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Preis netto (EUR) 0,0767 0,0295 0,0144 0,0115 0,0110
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
N-MOSFET 50V 50V 20V 3,5Ohm 300mA 300mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 UMW
BSS316NH6327 Infineon N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 280 mOhm; 1,4A; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS316NH6327XTSA1;
BSS316NH6327XTSA1 RoHS || BSS316NH6327XTSA1 || BSS316NH6327 Infineon SOT23
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSS316NH6327XTSA1 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
1485 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1999 0,1015 0,0615 0,0486 0,0444
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 30V 20V 280mOhm 1,4A 500mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSS316NH6327XTSA1
Präzisionsgehäuse:
SOT23
 
Externes Lager:
1161000 Stk.
Anzahl der Stücke 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0444
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 30V 20V 280mOhm 1,4A 500mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSS316NH6327XTSA1
Präzisionsgehäuse:
SOT23
 
Externes Lager:
9000 Stk.
Anzahl der Stücke 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0444
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 30V 20V 280mOhm 1,4A 500mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSS316NH6327XTSA1
Präzisionsgehäuse:
SOT23
 
Externes Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0462
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Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 30V 20V 280mOhm 1,4A 500mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Infineon Technologies
AO3403 P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 200 mOhm; 2,6A; 1,4 W; -55 °C ~ 150 °C;
AO3403 RoHS || AO3403 SOT23
Hersteller:
ALPHA&OMEGA
Hersteller-Teilenummer:
AO3403 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
 
Auf Lager:
500 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,2455 0,1244 0,0750 0,0594 0,0547
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Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 30V 12V 200mOhm 2,6A 1,4W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 ALPHA&OMEGA
BSS84,215 P-Channel-MOSFET-Transistor; 50V; 20V; 10 Ohm; 130mA; 225 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS84; BSS84LT1G; BSS84-7-F; BSS84,215; BSS84AK,215 (Automotive); BSS84 smd NXP; BSS84.215;
BSS84 RoHS || BSS84,215 RoHS || BSS84,215 || BSS84,215 SOT23
Hersteller:
NXP
Hersteller-Teilenummer:
BSS84 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
 
Auf Lager:
125 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1531 0,0727 0,0409 0,0311 0,0278
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Standard-Verpackung:
3000/90000
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 50V 20V 10Ohm 130mA 225mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 NXP
 
Hersteller:
NXP
Hersteller-Teilenummer:
BSS84,215 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
 
Auf Lager:
112800 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1531 0,0727 0,0409 0,0311 0,0278
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 50V 20V 10Ohm 130mA 225mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 NXP
 
Hersteller:
Nexperia
Hersteller-Teilenummer:
BSS84,215
Präzisionsgehäuse:
SOT23
 
Externes Lager:
199000 Stk.
Anzahl der Stücke 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0278
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
P-MOSFET 50V 20V 10Ohm 130mA 225mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 NXP
 
Hersteller:
Nexperia
Hersteller-Teilenummer:
BSS84,215
Präzisionsgehäuse:
SOT23
 
Externes Lager:
36000 Stk.
Anzahl der Stücke 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0278
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
P-MOSFET 50V 20V 10Ohm 130mA 225mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 NXP
 
Hersteller:
Nexperia
Hersteller-Teilenummer:
BSS84,215
Präzisionsgehäuse:
SOT23
 
Externes Lager:
1890000 Stk.
Anzahl der Stücke 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0278
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
P-MOSFET 50V 20V 10Ohm 130mA 225mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 NXP
                           
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-05-16
Anzahl der Stücke: 3000
                     
AO3415A P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 65mOhm; 5A; 1,5 W; -55 °C ~ 150 °C;
AO3415A RoHS || AO3415A SOT23
Hersteller:
TECH PUBLIC
Hersteller-Teilenummer:
AO3415A RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
380 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2153 0,1178 0,0771 0,0666 0,0615
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Standard-Verpackung:
300
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 20V 8V 65mOhm 5A 1,5W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 TECH PUBLIC
CSD19534KCS N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 20mOhm; 100A; 118W; -55 °C ~ 175 °C;
CSD19534KCS RoHS || CSD19534KCS TO220
Hersteller:
Texas Instruments
Hersteller-Teilenummer:
CSD19534KCS RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO220
Datenblatt
Auf Lager:
50 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,2226 0,9327 0,7714 0,6756 0,6429
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 100V 20V 20mOhm 100A 118W THT -55°C ~ 175°C TO220 Texas Instruments
AO3415A P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 65mOhm; 5A; 1,5 W; -55 °C ~ 150 °C;
AO3415A RoHS || AO3415A SOT23
Hersteller:
VBsemi
Hersteller-Teilenummer:
AO3415A RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
150 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 30+ 150+ 750+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,2137 0,1038 0,0739 0,0641 0,0610
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Standard-Verpackung:
150
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 20V 8V 65mOhm 5A 1,5W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 VBS
STD26P3LLH6 JSMICRO N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 18mOhm; 55A; 37,5W; -55°C ~ 175°C; Äquivalent: STD26P3LLH6 STMicroelectronics
STD26P3LLH6 RoHS || STD26P3LLH6 JSMICRO TO252 (DPACK)
Hersteller:
JSMicro Semiconductor
Hersteller-Teilenummer:
STD26P3LLH6 RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK) t/r
Datenblatt
Auf Lager:
195 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,6195 0,3927 0,3086 0,2805 0,2688
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 30V 20V 18mOhm 55A 37,5W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) JSMICRO
AO3418 N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 85mOhm; 3,8A; 1,4 W; -55 °C ~ 150 °C;
AO3418 RoHS AK... || AO3418 || AO3418 SOT23
Hersteller:
ALPHA&OMEGA
Hersteller-Teilenummer:
AO3418 RoHS AK...
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
 
Auf Lager:
500 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,2305 0,1164 0,0701 0,0554 0,0512
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Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 30V 12V 85mOhm 3,8A 1,4W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 ALPHA&OMEGA
 
Hersteller:
ALPHA&OMEGA
Hersteller-Teilenummer:
AO3418
Präzisionsgehäuse:
SOT23
 
Externes Lager:
12000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0512
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 30V 12V 85mOhm 3,8A 1,4W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 ALPHA&OMEGA
DMP4051LK3-13 P-MOSFET 40V 7.2A 51mΩ 2.14W
DMP4051LK3-13 RoHS || DMP4051LK3-13 || DMP4051LK3-13 TO252
Hersteller:
DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
DMP4051LK3-13 RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO252t/r
Datenblatt
Auf Lager:
500 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4325 0,2384 0,1870 0,1730 0,1660
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Standard-Verpackung:
2500
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 40V 20V 51mOhm 10,5A 2,14W SMD -55°C ~ 150°C DPAK-3 Diodes Incorporated
 
Hersteller:
DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
DMP4051LK3-13
Präzisionsgehäuse:
TO252
 
Externes Lager:
2500 Stk.
Anzahl der Stücke 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,1660
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Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
P-MOSFET 40V 20V 51mOhm 10,5A 2,14W SMD -55°C ~ 150°C DPAK-3 Diodes Incorporated
 
Hersteller:
DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
DMP4051LK3-13
Präzisionsgehäuse:
TO252
 
Externes Lager:
80000 Stk.
Anzahl der Stücke 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,1660
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Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
P-MOSFET 40V 20V 51mOhm 10,5A 2,14W SMD -55°C ~ 150°C DPAK-3 Diodes Incorporated
 
Hersteller:
DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
DMP4051LK3-13
Präzisionsgehäuse:
TO252
 
Externes Lager:
7500 Stk.
Anzahl der Stücke 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,1685
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Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
P-MOSFET 40V 20V 51mOhm 10,5A 2,14W SMD -55°C ~ 150°C DPAK-3 Diodes Incorporated
AO3419 P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 168 mOhm; 3,5A; 1,4 W; -55 °C ~ 150 °C;
AO3419 RoHS || AO3419 || AO3419 SOT23
Hersteller:
ALPHA&OMEGA
Hersteller-Teilenummer:
AO3419 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
 
Auf Lager:
19270 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,2095 0,1061 0,0643 0,0510 0,0465
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 20V 12V 168mOhm 3,5A 1,4W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 ALPHA&OMEGA
 
Hersteller:
ALPHA&OMEGA
Hersteller-Teilenummer:
AO3419
Präzisionsgehäuse:
SOT23
 
Externes Lager:
15000 Stk.
Anzahl der Stücke 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0465
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
P-MOSFET 20V 12V 168mOhm 3,5A 1,4W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 ALPHA&OMEGA
AO3420 SOT23-3L N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 55mOhm; 6A; 1,4 W; -55 °C ~ 150 °C;
AO3420 RoHS || AO3420 SOT23-3L SOT23
Hersteller:
HOTTECH
Hersteller-Teilenummer:
AO3420 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
300 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 300+ 1500+
Preis netto (EUR) 0,2071 0,0977 0,0545 0,0437 0,0376
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Standard-Verpackung:
300
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 20V 12V 55mOhm 6A 1,4W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 HOTTECH
FDD8896 N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; +/-20V; 2,1 Ohm; 12A; 165 W; -55°C~175°C; Äquivalent: FDD8896-VB; YFW100N03AD;
FDD8896 RoHS || FDD8896-VB RoHS || FDD8896 TO252
Hersteller:
VBsemi
Hersteller-Teilenummer:
FDD8896 RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO252t/r
Datenblatt
Auf Lager:
80 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,8439 0,5353 0,4231 0,3834 0,3670
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 30V 20V 2,1Ohm 12A 165W SMD -55°C ~ 175°C TO252 VBS
 
Hersteller:
VBsemi
Hersteller-Teilenummer:
FDD8896-VB RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO252t/r
Datenblatt
Auf Lager:
300 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,8439 0,5353 0,4231 0,3834 0,3670
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Standard-Verpackung:
2500
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 30V 20V 2,1Ohm 12A 165W SMD -55°C ~ 175°C TO252 VBS
 
Hersteller:
VBsemi
Hersteller-Teilenummer:
FDD8896-VB RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK) t/r
Datenblatt
Auf Lager:
496 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,8439 0,5353 0,4231 0,3834 0,3670
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Standard-Verpackung:
2500
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 30V 20V 2,1Ohm 12A 165W SMD -55°C ~ 175°C TO252 VBS
                           
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-05-05
Anzahl der Stücke: 5000
                     
FDN338P P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 165 mOhm; 1,6A; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C;
FDN338P RoHS || FDN338P || FDN338P SSOT3
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
FDN338P RoHS
Präzisionsgehäuse:
SSOT3
 
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,3530 0,1950 0,1531 0,1419 0,1361
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 20V 8V 165mOhm 1,6A 500mW SMD -55°C ~ 150°C SSOT3 Fairchild
 
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
FDN338P
Präzisionsgehäuse:
SSOT3
 
Externes Lager:
159000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,1361
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
P-MOSFET 20V 8V 165mOhm 1,6A 500mW SMD -55°C ~ 150°C SSOT3 Fairchild
 
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
FDN338P
Präzisionsgehäuse:
SSOT3
 
Externes Lager:
66000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,1361
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
P-MOSFET 20V 8V 165mOhm 1,6A 500mW SMD -55°C ~ 150°C SSOT3 Fairchild
 
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
FDN338P
Präzisionsgehäuse:
SSOT3
 
Externes Lager:
201000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,1361
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
P-MOSFET 20V 8V 165mOhm 1,6A 500mW SMD -55°C ~ 150°C SSOT3 Fairchild
AO3422 N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 12V; 120 mOhm; 2A; 1,56 W; -55°C~150°C;
AO3422 RoHS || AO3422 SOT23
Hersteller:
MSKSEMI
Hersteller-Teilenummer:
AO3422 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
200 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2088 0,1141 0,0748 0,0648 0,0596
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Standard-Verpackung:
300
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 55V 12V 120mOhm 2A 1,56W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 MSK
FDS9926A 2xN-Channel MOSFET-Transistor; 20V; 10V; 50mOhm; 6,5A; 2W; -55 °C ~ 150 °C;
FDS9926A RoHS || FDS9926A || FDS9926A SOP08
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
FDS9926A RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
Datenblatt
Auf Lager:
165 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,6779 0,4301 0,3390 0,3086 0,2945
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
2xN-MOSFET 20V 10V 50mOhm 6,5A 2W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 ON SEMICONDUCTOR
 
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
FDS9926A
Präzisionsgehäuse:
SOP08
 
Externes Lager:
22500 Stk.
Anzahl der Stücke 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2945
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Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
2xN-MOSFET 20V 10V 50mOhm 6,5A 2W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 ON SEMICONDUCTOR
FDV303N N-Channel-MOSFET-Transistor; 25V; 8V; 800 mOhm; 680mA; 350 mW; -55 °C ~ 150 °C;
FDV303N RoHS || FDV303N || FDV303N SOT23
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
FDV303N RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
 
Auf Lager:
6752 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,2200 0,1115 0,0676 0,0535 0,0489
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 25V 8V 800mOhm 680mA 350mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 ON SEMICONDUCTOR
 
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
FDV303N
Präzisionsgehäuse:
SOT23
 
Externes Lager:
22890000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0489
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 25V 8V 800mOhm 680mA 350mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 ON SEMICONDUCTOR
AO4409 P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 12mOhm; 15A; 3,1 W; -55 °C ~ 150 °C;
AO4409 RoHS || AO4409 SOP08
Hersteller:
ALPHA&OMEGA
Hersteller-Teilenummer:
AO4409 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
 
Auf Lager:
40 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,8345 0,5236 0,4348 0,3857 0,3623
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 30V 20V 12mOhm 15A 3,1W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 ALPHA&OMEGA
AO4435 P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 25V; 36mOhm; 14A; 3,1 W; -55 °C ~ 150 °C;
AO4435 RoHS || AO4435 SOP08
Hersteller:
ALPHA&OMEGA
Hersteller-Teilenummer:
AO4435 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
 
Auf Lager:
100 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,5704 0,3577 0,2969 0,2642 0,2478
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 30V 25V 36mOhm 14A 3,1W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 ALPHA&OMEGA
AO4455 P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 25V; 9,5 mOhm; 17A; 3,1 W; -55 °C ~ 150 °C;
AO4455 RoHS || AO4455 SOP08
Hersteller:
ALPHA&OMEGA
Hersteller-Teilenummer:
AO4455 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
 
Auf Lager:
95 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Preis netto (EUR) 0,9421 0,6265 0,5190 0,4675 0,4488
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 30V 25V 9,5mOhm 17A 3,1W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 ALPHA&OMEGA
AON7520 N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 3,1 mOhm; 50A; 83,3 W; -55 °C ~ 150 °C;
AON7520C RoHS || AON7520 DFN08(3.3x3.3)
Hersteller:
ALPHA&OMEGA
Hersteller-Teilenummer:
AON7520C RoHS
Präzisionsgehäuse:
DFN08(3.3x3.3)
 
Auf Lager:
50 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 0,8603 0,6312 0,5049 0,4348 0,4091
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 30V 12V 3,1mOhm 50A 83,3W SMD -55°C ~ 150°C DFN08(3.3x3.3) ALPHA&OMEGA
FDG6317NZ Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88
FDG6317NZ || FDG6317NZ RoHS || FDG6317NZ SC-88
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
FDG6317NZ
Präzisionsgehäuse:
SC-88
 
Externes Lager:
5000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0619
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 20V 12V 550mOhm 2,1A 300mW SMD -55°C ~ 150°C SC-88 ON SEMICONDUCTOR
 
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
FDG6317NZ RoHS
Präzisionsgehäuse:
SC-88 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,2169 0,1199 0,0797 0,0666 0,0619
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 20V 12V 550mOhm 2,1A 300mW SMD -55°C ~ 150°C SC-88 ON SEMICONDUCTOR
IRF3710PBF JSMICRO N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 21mOhm; 60A; 200 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF3710PBF; SP001551058;
IRF3710PBF RoHS || IRF3710PBF JSMICRO TO220
Hersteller:
JSMicro Semiconductor
Hersteller-Teilenummer:
IRF3710PBF RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO220
Datenblatt
Auf Lager:
30 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,9093 0,5751 0,4535 0,4138 0,3951
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 100V 20V 21mOhm 60A 200W THT -55°C ~ 175°C TO220 JSMICRO
SKG45N10-T N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 22mOhm; 45A; Äquivalent: IRF3710PBF; SP001551058;
SKG45N10-T RoHS || SKG45N10-T TO220
Hersteller:
SHIKUES
Hersteller-Teilenummer:
SKG45N10-T RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO220
Datenblatt
Auf Lager:
36 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,8275 0,5190 0,4068 0,3834 0,3600
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Standard-Verpackung:
50/100
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 100V 20V 22mOhm 45A THT TO220 SHIKUES
IRF3710 N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF3710PBF; SP001551058;
IRF3710PBF RoHS || IRF3710PBF || IRF3710 TO220
Hersteller:
International Rectifier
Hersteller-Teilenummer:
IRF3710PBF RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO220
Datenblatt
Auf Lager:
1400 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,2179 0,8930 0,7177 0,6148 0,5797
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Standard-Verpackung:
50/1000
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 100V 20V 23mOhm 57A 200W THT -55°C ~ 175°C TO220 International Rectifier
 
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
IRF3710PBF RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO220
 
Auf Lager:
2000 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,2179 0,8930 0,7177 0,6148 0,5797
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Standard-Verpackung:
50/1000
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 100V 20V 23mOhm 57A 200W THT -55°C ~ 175°C TO220 International Rectifier
 
Hersteller:
-
Hersteller-Teilenummer:
IRF3710PBF
Präzisionsgehäuse:
TO220
 
Externes Lager:
262 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 1,2895
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Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 100V 20V 23mOhm 57A 200W THT -55°C ~ 175°C TO220 International Rectifier
IRF5210PBF P-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 60mOhm; 40A; 200 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF5210PBF; IRF5210;
IRF5210 RoHS || IRF5210PBF || IRF5210PBF TO220
Hersteller:
International Rectifier
Hersteller-Teilenummer:
IRF5210 RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO220
Datenblatt
Auf Lager:
60 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 50+ 150+ 450+
Preis netto (EUR) 1,4517 1,0192 0,8158 0,7808 0,7644
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Standard-Verpackung:
50/450
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 100V 20V 60mOhm 40A 200W THT -55°C ~ 175°C TO220 Infineon (IRF)
 
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
IRF5210PBF
Präzisionsgehäuse:
TO220
 
Externes Lager:
1200 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,7644
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
P-MOSFET 100V 20V 60mOhm 40A 200W THT -55°C ~ 175°C TO220 Infineon (IRF)
 
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
IRF5210PBF
Präzisionsgehäuse:
TO220
 
Externes Lager:
17610 Stk.
Anzahl der Stücke 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,7644
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Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
P-MOSFET 100V 20V 60mOhm 40A 200W THT -55°C ~ 175°C TO220 Infineon (IRF)
 
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
IRF5210PBF
Präzisionsgehäuse:
TO220
 
Externes Lager:
3050 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,7702
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Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
P-MOSFET 100V 20V 60mOhm 40A 200W THT -55°C ~ 175°C TO220 Infineon (IRF)
IRF7103TRPBF 2xN-Channel MOSFET-Transistor; 50V; 20V; 200 mOhm; 3A; 2W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF7103TRPBF; IRF7103PBF; IRF7103TR; IRF7103PBF-GURT; IRF7103 SMD;
IRF7103 RoHS || IRF7103TRPBF RoHS || IRF7103TRPBF || IRF7103TRPBFXTMA1 || IRF7103TRPBF SOP08
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
IRF7103 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOP08
 
Auf Lager:
0 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,3132 0,1725 0,1356 0,1255 0,1204
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Standard-Verpackung:
95/950
Menge (mehrere 1)
2xN-MOSFET 50V 20V 200mOhm 3A 2W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 Infineon (IRF)
 
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
IRF7103TRPBF RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
 
Auf Lager:
23818 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,3132 0,1725 0,1356 0,1255 0,1204
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Standard-Verpackung:
4000
Menge (mehrere 1)
2xN-MOSFET 50V 20V 200mOhm 3A 2W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 Infineon (IRF)
 
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
IRF7103TRPBF
Präzisionsgehäuse:
SOP08
 
Externes Lager:
4840 Stk.
Anzahl der Stücke 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,1829
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
2xN-MOSFET 50V 20V 200mOhm 3A 2W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 Infineon (IRF)
 
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
IRF7103TRPBFXTMA1
Präzisionsgehäuse:
SOP08
 
Externes Lager:
36000 Stk.
Anzahl der Stücke 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,1416
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Standard-Verpackung:
4000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
2xN-MOSFET 50V 20V 200mOhm 3A 2W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 Infineon (IRF)
 
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
IRF7103TRPBFXTMA1
Präzisionsgehäuse:
SOP08
 
Externes Lager:
4000 Stk.
Anzahl der Stücke 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,1475
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Standard-Verpackung:
4000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
2xN-MOSFET 50V 20V 200mOhm 3A 2W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 Infineon (IRF)
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Feldeffekttransistoren für analoge und digitale Schaltungen

Heutzutage sind Transistoren unverzichtbare Bestandteile der meisten elektrischen und elektronischen Geräte. Sie sind sowohl in analogen als auch in digitalen Schaltungen präsent. Unter den Transistoren verdienen insbesondere die sogenannten Feldeffekttransistoren, auch als unipolare Transistoren bezeichnet, besondere Beachtung. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass der Katalog der Feldeffekttransistoren zahlreiche Elemente enthält, die sich erheblich voneinander unterscheiden können. Es lohnt sich, einen genaueren Blick darauf zu werfen, was Feldeffekttransistoren wirklich sind und wie sie funktionieren.

Wie sind Feldeffekttransistoren aufgebaut?

Obwohl die diskutierten Elemente nicht homogen sind, haben sie bestimmte Bauweisen gemeinsam, die sie von anderen Transistoren unterscheiden. Ein Feldeffekttransistor besteht aus vier Hauptteilen, nämlich:

  • Kristall,
  • erste Elektrode,
  • zweite Elektrode,
  • Gate (Tor).

Der Kristall ist der Hauptbestandteil des Feldeffekttransistors. Er fungiert als dotierter Halbleiter. Dank der Eigenschaften des Kristalls arbeiten unipolare Transistoren durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes. Dies ist bei bipolaren Transistoren nicht möglich, bei denen die Basis nur schwach dotiert ist. Bei Feldeffekttransistoren bezeichnet das Symbol S die erste Elektrode, die dem Emitter bei bipolaren Modellen entspricht. Bei bipolaren Transistoren wird die erste Elektrode als Source bezeichnet. Die zweite Elektrode ist der Drain, gekennzeichnet durch das Symbol D, der dieselbe Funktion wie die Kollektoren bei bipolaren Transistoren erfüllt. Eine sehr wichtige Komponente jedes Feldeffekttransistors ist auch das Gate, die dritte Elektrode. Sie befindet sich im Kanal zwischen Source und Drain. Dieses Teil hat die gleiche Funktion wie die Basis, die ein unverzichtbarer Bestandteil jedes bipolaren Transistors ist.

Wie funktionieren Feldeffekttransistoren?

Es ist sinnvoll, die Funktionsweise von Feldeffekttransistoren genauer zu betrachten, um zu erklären, warum sie so beliebt sind. Durch die Anwendung des Kristalls kann der Feldeffekttransistor seine Funktion durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes erfüllen. Darüber hinaus fließt der Strom bei diesem Transistor nicht durch das Gate. Im sogenannten Gate, also der Basis, entsteht durch das Anlegen des Kristalls ein elektromagnetisches Feld. Dieses Feld führt zu einer Veränderung des Kanalquerschnitts. Das Fehlen von Stromfluss und -ausfluss durch das Gate garantiert einen hohen Eingangswiderstand. Dies ist eine sehr geschätzte Eigenschaft, insbesondere in analogen Anwendungen von Feldeffekttransistoren.

Katalog der Feldeffekttransistoren - was du zur Auswahl hast

Wir bieten eine Vielzahl von Feldeffekttransistoren an, die sowohl für analoge als auch digitale Geräte geeignet sind. Unser Katalog umfasst unter anderem:

  • P-FET,
  • J-FET,
  • MOSFET.

Obwohl Feldeffekttransistoren vielfältig sind, wie auch unser Angebot zeigt, wird eine bestimmte Gruppe besonders hoch geschätzt. Es handelt sich um MOSFET-Transistoren. Diese Modelle sind zwar vielfältig, weisen jedoch einige gemeinsame Merkmale auf, die sie von anderen Typen von Geräten unterscheiden. MOSFET-Transistoren zeichnen sich durch besonders hohe Leistungsfähigkeit aus. Darüber hinaus zeichnet sich diese Art von Feldeffekttransistoren durch die Möglichkeit aus, sie miteinander zu verbinden. Dies ermöglicht die Erstellung sehr komplexer integrierter Schaltungen.

Klassische MOSFET-Transistoren können in analogen Geräten verwendet werden, zum Beispiel als Schalter. Die Beliebtheit dieser Transistorengruppe resultiert jedoch vor allem aus ihrer Nutzung in den technologisch fortschrittlichsten digitalen Schaltungen. Der Katalog der MOSFET-Transistoren enthält Modelle, die für den Einsatz in Mikroprozessoren oder CMOS-Gattern bestimmt sind.