Transoptory (wyszukane: 1384)
Produkt | Koszyk |
CTR
|
Obudowa
|
Typ wyjścia
|
Napięcie wyjściowe
|
Napięcie izolacji
|
Prąd wyjściowy
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Szerokość szczeliny
|
Producent
|
Prąd kolektora [Ic]
|
Prąd przewodzenia
|
Liczba kanałów
|
Montaż
|
Prąd obciążenia
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
LTH209-01
refleksyjny; Uout 30V; Ucesat 0,4V; If 50mA; Ic 20mA; -35°C~65°C; Phototransistor; Odpowiednik: LTH-209-01;
|
|||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
80 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
Rys.30.1a | Fototranzystor | 30V | -35°C ~ 65°C | LITEON | 20mA | 50mA | 1 | ||||||||||||||||||
Producent:
LITE-ON Symbol Producenta: LTH209-01 Obudowa dokładna: Rys30.1a |
Magazyn zewnetrzny:
5400 szt. |
||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
Rys.30.1a | Fototranzystor | 30V | -35°C ~ 65°C | LITEON | 20mA | 50mA | 1 | ||||||||||||||||||
4N32SM
Optocoupler DC-IN 1-CH Darlington With Base DC-OUT 6-Pin PDIP SMD White
|
|||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 4N32SM RoHS Obudowa dokładna: PDIP06smd |
Stan magazynowy:
96 szt. |
||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
500,00% | PDIP06smd | Photodarlington | 30V | 4170V | |||||||||||||||||||||
4N33 VISHAY
pojedynczy CTR 500% Vce 30V Uiso 5,3kV Darlington with Base odpowiednik: LTV4N33 4N33M 4N33-F; 4N33-VIS;
|
|||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: 4N33 RoHS Obudowa dokładna: PDIP06 |
Stan magazynowy:
198 szt. |
||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/350 Ilość (wielokrotność 1) |
500% | PDIP06 | Darlington with Base | 30V | 5300V | |||||||||||||||||||||
Producent:
EVERLIGHT Symbol Producenta: 4N33 Obudowa dokładna: PDIP06 |
Magazyn zewnetrzny:
19020 szt. |
||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 65 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
500% | PDIP06 | Darlington with Base | 30V | 5300V | |||||||||||||||||||||
Producent:
EVERLIGHT Symbol Producenta: 4N33 Obudowa dokładna: PDIP06 |
Magazyn zewnetrzny:
1990 szt. |
||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 65 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
500% | PDIP06 | Darlington with Base | 30V | 5300V | |||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: 4N33 Obudowa dokładna: PDIP06 |
Magazyn zewnetrzny:
1500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
500% | PDIP06 | Darlington with Base | 30V | 5300V | |||||||||||||||||||||
ILQ1
poczwórny CTR 20-300% Uout 50V Uiso 5,3kV Transistor ILQ1X;
|
|||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
25 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Ilość (wielokrotność 1) |
20-300% | PDIP16 | Transistor | 50V | 5300V | |||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: ILQ1 Obudowa dokładna: PDIP16 |
Magazyn zewnetrzny:
375 szt. |
||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
20-300% | PDIP16 | Transistor | 50V | 5300V | |||||||||||||||||||||
4N33M
Optocoupler DC-IN 1-CH Darlington With Base DC-OUT
|
|||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
174 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
500% | PDIP06smd | Darington with Base | 30V | 4170V | |||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 4N33M Obudowa dokładna: PDIP06 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
500% | PDIP06smd | Darington with Base | 30V | 4170V | |||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 4N33M Obudowa dokładna: PDIP06 |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
500% | PDIP06smd | Darington with Base | 30V | 4170V | |||||||||||||||||||||
4N35 UMW
pojedynczy CTR 100% Vce 80V Uiso 5kV Transistor with Base Odpowiednik: 4N35M; 4N35-LIT; 4N35-EVE; 4N35-ISO; 4N35-VIS; 4N35(SHORT,F); 4N35-000E;
|
|||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
100% | PDIP06 | Transistor with Base | 80V | 5000V | |||||||||||||||||||||
LTH-301A
szczelinowy 5,2mm; Vout 30V; Vcesat 0.4V; If 50mA; Ic 20mA; –25°C~85°C; Phototransistr Odpowiednik: LTH301A; LTH-301A;
|
|||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
70 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 250 Ilość (wielokrotność 1) |
Rys31.1b | Fototranzystor | 30V | -25°C ~ 85°C | 5,2mm | LITEON | 20mA | 50mA | 1 | |||||||||||||||||
4N35
pojedynczy CTR 100% Vce 70V Uiso 5,3kV Transistor with Base odpowiednik: LTV4N35 EL4N35 4N35M; 4N35-EVE;
|
|||||||||||||||||||||||||||
Producent:
EVERLIGHT Symbol Producenta: EL4N35 RoHS Obudowa dokładna: PDIP06 |
Stan magazynowy:
7 szt. |
||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 65/1040 Ilość (wielokrotność 1) |
100% | PDIP06 | Transistor with Base | 70V | 5300V | |||||||||||||||||||||
Producent:
EVERLIGHT Symbol Producenta: 4N35 RoHS Obudowa dokładna: PDIP06 |
Stan magazynowy:
390 szt. |
||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 65/1625 Ilość (wielokrotność 1) |
100% | PDIP06 | Transistor with Base | 70V | 5300V | |||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: 4N35 Obudowa dokładna: PDIP06 |
Magazyn zewnetrzny:
37200 szt. |
||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
100% | PDIP06 | Transistor with Base | 70V | 5300V | |||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: 4N35 Obudowa dokładna: PDIP06 |
Magazyn zewnetrzny:
6020 szt. |
||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
100% | PDIP06 | Transistor with Base | 70V | 5300V | |||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: 4N35 Obudowa dokładna: PDIP06 |
Magazyn zewnetrzny:
80715 szt. |
||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
100% | PDIP06 | Transistor with Base | 70V | 5300V | |||||||||||||||||||||
4N35XSM ISOCOM
pojedynczy CTR 100% Vce 70V Uiso 5,3kV Transistor with Base
|
|||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
20 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 60 Ilość (wielokrotność 1) |
100% | DIP06smd | Transistor with Base | 70V | 5300V | |||||||||||||||||||||
4N35-000E
pojedynczy CTR 100% Vce 30V Uiso 3,55kV Transistor with Base
|
|||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
400 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 65/400 Ilość (wielokrotność 1) |
100% | PDIP06 | Transistor with Base | 30V | 3,55kV | |||||||||||||||||||||
QRD1113
refleksyjny; Vout 30V; Vcesat 0,4V If 20mA; Ic 1mA; -40°C~85°C; Phototransistor;
|
|||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
30 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
QRD111x | Fototranzystor | 30V | -40°C ~ 85°C | Fairchild | 1mA | 20mA | 1 | ||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: QRD1113 Obudowa dokładna: QRD111x |
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
QRD111x | Fototranzystor | 30V | -40°C ~ 85°C | Fairchild | 1mA | 20mA | 1 | ||||||||||||||||||
QRD1114
refleksyjny; Vout 30V; Vcesat 0,4V If 20mA; Ic 1mA; –40°C~85°C; Phototransistor; CZUJNIK POŁOŻENIA
|
|||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: QRD1114 RoHS Obudowa dokładna: QRD111x |
Stan magazynowy:
106 szt. |
||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100/200 Ilość (wielokrotność 1) |
QRD111x | Fototranzystor | 30V | -40°C ~ 85°C | Fairchild | 1mA | 20mA | 1 | ||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: QRD1114 Obudowa dokładna: QRD111x |
Magazyn zewnetrzny:
2410 szt. |
||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
QRD111x | Fototranzystor | 30V | -40°C ~ 85°C | Fairchild | 1mA | 20mA | 1 | ||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: QRD1114 Obudowa dokładna: QRD111x |
Magazyn zewnetrzny:
346 szt. |
||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
QRD111x | Fototranzystor | 30V | -40°C ~ 85°C | Fairchild | 1mA | 20mA | 1 | ||||||||||||||||||
ILQ615-4
poczwórny CTR 160-320% Uout 70V Uiso 5,3kV Phototransistor
|
|||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
5 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Ilość (wielokrotność 1) |
160-320% | PDIP16 | Fototranzystor | 70V | 5300V | |||||||||||||||||||||
4N35S-TA1 LITEON
Optocoupler DC-IN 1-Channel Transistor With Base DC-OUT; 3,55kV; Vout 30V; 3us; 100mA; CRT 100%; -55°C~100°C; 4N35S-LIT; 4N35S-TA1; 4N35S-TA1-DL;
|
|||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
360 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
100% | PDIP06 | Transistor with Base | 30V | 3,55kV | |||||||||||||||||||||
SFH 9206
Photointerrupter Reflective Transistor; 30V; 10mA; Vf 5V; 2kV; 100mW; 950nm; -40°C~100°C; podobny do: SFH 9206 E9625; Q65111A3179;
|
|||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
Rys.SFH9206 | Phototransistor | 2000V | -40°C ~ 100°C | ams-OSRAM | 10mA | 50mA | 1 | ||||||||||||||||||
4N35SM
pojedynczy CTR 100% Vce 30V Uiso 4,17kV Transistor with Base 4N35-SMD-I; 4N35SM; 4N35SR2M;
|
|||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 4N35SM RoHS Obudowa dokładna: PDIP06smd |
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
100% | DIP06smd | Transistor with Base | 30V | 4170V | |||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 4N35SM Obudowa dokładna: PDIP06smd |
Magazyn zewnetrzny:
2100 szt. |
||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
100% | DIP06smd | Transistor with Base | 30V | 4170V | |||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 4N35SM Obudowa dokładna: PDIP06smd |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
100% | DIP06smd | Transistor with Base | 30V | 4170V | |||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 4N35SM Obudowa dokładna: PDIP06smd |
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
100% | DIP06smd | Transistor with Base | 30V | 4170V | |||||||||||||||||||||
TCRT5000
refleksyjny; CTR >20%; Uout 70V; Vcesat 0,4V; If 60mA; Ic 100mA; -25°C~85°C; Phototransistor;
|
|||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
70 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
>20% | Rys.TCRT5000 | Fototranzystor | 70V | -25°C ~ 85°C | VISHAY | 100mA | 60mA | 1 | |||||||||||||||||
6N135 EVERLIGHT
pojedynczy CTR 7-50% Vce 30V Uiso 2,5kV Transistor with Vcc odpowiednik: LTV6N135, PS8601
|
|||||||||||||||||||||||||||
Producent:
EVERLIGHT Symbol Producenta: 6N135 RoHS Obudowa dokładna: PDIP08 |
Stan magazynowy:
1080 szt. |
||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 45/1080 Ilość (wielokrotność 1) |
7-50% | PDIP08 | Transistor with VCC | 30V | 2500V | |||||||||||||||||||||
Producent:
BROADCOM Symbol Producenta: 6N135 Obudowa dokładna: PDIP08 |
Magazyn zewnetrzny:
2600 szt. |
||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
7-50% | PDIP08 | Transistor with VCC | 30V | 2500V | |||||||||||||||||||||
ILQ621
poczwórny CTR 100-600% Uout 70V Uiso 5,3kV Transistor ILQ621-X006
|
|||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25/50 Ilość (wielokrotność 1) |
100-600% | PDIP16 | Transistor | 70V | 5300V | |||||||||||||||||||||
6N135-L
pojedynczy CTR 7-50% Vce 20V Uiso 5kV Transistor with Base
|
|||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1075 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
7-50% | PDIP08 | Transistor with Base | 20V | 5000V | |||||||||||||||||||||
Producent:
LITE-ON Symbol Producenta: 6N135-L Obudowa dokładna: PDIP08 |
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
7-50% | PDIP08 | Transistor with Base | 20V | 5000V | |||||||||||||||||||||
6N135S SMD-8 LITEON
pojedynczy CTR 7-50% Vce 20V Uiso 5kV Transistor with Base 6N135S-TA1
|
|||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
98 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
7-50% | DIP08smd | Transistor with Base | 20V | 5000V | |||||||||||||||||||||
TCST1103 czujnik szczelinowy - transoptor Vishay
szczelinowy 3mm; CTR>20%; Vout 70V; Vcesat 0.4V; If 60mA; Ic 100mA; –55°C~85°C; TCST 1103
|
|||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
6967 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 85 Ilość (wielokrotność 1) |
>20% | Rys.30.2a | Fototranzystor | 70V | -55°C ~ 85°C | 3 mm | VISHAY | 100mA | 60mA | 1 | ||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: TCST1103 Obudowa dokładna: Rys30.2a |
Magazyn zewnetrzny:
1190 szt. |
||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 85 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
>20% | Rys.30.2a | Fototranzystor | 70V | -55°C ~ 85°C | 3 mm | VISHAY | 100mA | 60mA | 1 | ||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: TCST1103 Obudowa dokładna: Rys30.2a |
Magazyn zewnetrzny:
8285 szt. |
||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1020 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
>20% | Rys.30.2a | Fototranzystor | 70V | -55°C ~ 85°C | 3 mm | VISHAY | 100mA | 60mA | 1 | ||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: TCST 1103 Obudowa dokładna: Rys30.2a |
Magazyn zewnetrzny:
96 szt. |
||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
>20% | Rys.30.2a | Fototranzystor | 70V | -55°C ~ 85°C | 3 mm | VISHAY | 100mA | 60mA | 1 | ||||||||||||||||
LTV-844
poczwórny CTR 20-300% Uout 35V Uiso 5,0kV Transistor odpowiednik: PC844; LTV-844; LTV 844; LTV844;
|
|||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
0 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Ilość (wielokrotność 1) |
20-300% | PDIP16 | Transistor | 35V | 5000V | |||||||||||||||||||||
Producent:
LITE-ON Symbol Producenta: LTV-844 Obudowa dokładna: PDIP16 |
Magazyn zewnetrzny:
600 szt. |
||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
20-300% | PDIP16 | Transistor | 35V | 5000V | |||||||||||||||||||||
Producent:
LITE-ON Symbol Producenta: LTV844 Obudowa dokładna: PDIP16 |
Magazyn zewnetrzny:
3325 szt. |
||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
20-300% | PDIP16 | Transistor | 35V | 5000V | |||||||||||||||||||||
Producent:
LITE-ON Symbol Producenta: LTV-844 Obudowa dokładna: PDIP16 |
Magazyn zewnetrzny:
825 szt. |
||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
20-300% | PDIP16 | Transistor | 35V | 5000V | |||||||||||||||||||||
6N135-000E Avago
pojedynczy CTR 7-50% Vce 20V Uiso 3,75kV Transistor with Base
|
|||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
150 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/150 Ilość (wielokrotność 1) |
7-50% | PDIP08 | Transistor with Base | 20V | 3750V | |||||||||||||||||||||
Producent:
BROADCOM Symbol Producenta: 6N135-000E Obudowa dokładna: PDIP08 |
Magazyn zewnetrzny:
270 szt. |
||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
7-50% | PDIP08 | Transistor with Base | 20V | 3750V | |||||||||||||||||||||
TCST1202
szczelinowy 3.1mm; CTR>10%; Vout 70V; Vcesat 0,4V; If 60mA; Ic 100mA; -55°C~85°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1225 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 85 Ilość (wielokrotność 1) |
>10% | Rys.TCST1202 | Fototranzystor | 70V | -55°C ~ 85°C | 3,1mm | VISHAY | 100mA | 60mA | 1 | ||||||||||||||||
6N135-300E Avago
pojedynczy CTR 7-50% Vce 20V Uiso 3,75kV Transistor with Base
|
|||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
150 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/150 Ilość (wielokrotność 1) |
7-50% | DIP08smd | Transistor with Base | 20V | 3750V | |||||||||||||||||||||
Producent:
BROADCOM Symbol Producenta: 6N135-300E Obudowa dokładna: PDIP08smd |
Magazyn zewnetrzny:
16700 szt. |
||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
7-50% | DIP08smd | Transistor with Base | 20V | 3750V | |||||||||||||||||||||
LTV844S
poczwórny CTR 20-300% Uout 35V Uiso 5,0kV Transistor odpowiednik: PC844S LTV-844S
|
|||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25/100 Ilość (wielokrotność 1) |
20-300% | PDIP16smd | Transistor | 35V | 5000V | |||||||||||||||||||||
Producent:
LITE-ON Symbol Producenta: LTV-844S Obudowa dokładna: PDIP16smd |
Magazyn zewnetrzny:
1875 szt. |
||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
20-300% | PDIP16smd | Transistor | 35V | 5000V | |||||||||||||||||||||
TCST1230 4-PIN VISHAY
szczelinowy 2,8mm; Vout 70V; Vcesat 0,4V; If 60mA; Ic 14mA; -25°C~85°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
190 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100/200 Ilość (wielokrotność 1) |
Rys.TCST230 | Fototranzystor | 70V | -25°C ~ 85°C | 2,8mm | VISHAY | 100mA | 60mA | 1 | |||||||||||||||||
Producent:
SIVAGO SEMICONDUCTOR Symbol Producenta: TCST1230 RoHS Obudowa dokładna: Rys.TCST1230 |
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
Rys.TCST230 | Fototranzystor | 70V | -25°C ~ 85°C | 2,8mm | VISHAY | 100mA | 60mA | 1 | |||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: TCST1230 Obudowa dokładna: Rys.TCST1230 |
Magazyn zewnetrzny:
1758 szt. |
||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 60 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
Rys.TCST230 | Fototranzystor | 70V | -25°C ~ 85°C | 2,8mm | VISHAY | 100mA | 60mA | 1 | |||||||||||||||||
LTV845
poczwórny CTR 600-7500% Uout 35V Uiso 5,0kV Darlington odpowiednik: PC845; LTV-845; LTV 845;
|
|||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
24 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Ilość (wielokrotność 1) |
600-7500% | PDIP16 | Darlington | 35V | 5000V | |||||||||||||||||||||
Producent:
LITE-ON Symbol Producenta: LTV 845 Obudowa dokładna: PDIP16 |
Magazyn zewnetrzny:
18 szt. |
||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
600-7500% | PDIP16 | Darlington | 35V | 5000V | |||||||||||||||||||||
Producent:
LITE-ON Symbol Producenta: LTV-845 Obudowa dokładna: PDIP16 |
Magazyn zewnetrzny:
500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
600-7500% | PDIP16 | Darlington | 35V | 5000V | |||||||||||||||||||||
6N136 SLKOR
pojedynczy CTR 19-50% Vce 30V Uiso 5kV Transistor with Base Zamiennik dla: 6N136M, 6N136-L, 6N136-EVE, 6N136-ISO, 6N136-VIS, 6N136(F), 6N136-000E
|
|||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
160 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 40/240 Ilość (wielokrotność 1) |
19-50% | PDIP08 | Transistor with Base | 30V | 5000V |