LTV817S-B smd

Symbol Micros: OOPC817bltvs
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: PDIP04smd
pojedynczy CTR 130-260% Vce 35V Uiso 5,0kV NPN Phototransistor FOD817BS, LTV-817S-TA1-B FOD817BSD LTV817BS; LTV817STA1B-V;
Parametry
CTR: 130-260%
Obudowa: PDIP04smd
Typ wyjścia: NPN Phototransistor
Napięcie izolacji: 5000V
Napięcie wyjściowe [V]: 35V
Producent: LITE-ON Symbol producenta: LTV-817S-TA1-B RoHS Obudowa dokładna: PDIP04smd karta katalogowa
Stan magazynowy:
4620 szt.
ilość szt. 5+ 30+ 200+ 1000+ 2000+
cena netto (PLN) 1,1500 0,5570 0,3810 0,3370 0,3290
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000/2000/14000
Producent: LITE-ON Symbol producenta: LTV-817S-TA1-B-G RoHS Obudowa dokładna: PDIP04smd karta katalogowa
Stan magazynowy:
3049 szt.
ilość szt. 5+ 30+ 200+ 1000+ 2000+
cena netto (PLN) 1,1500 0,5570 0,3810 0,3370 0,3290
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000/2000
Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: FOD817BSD Obudowa dokładna: PDIP04smd  
Magazyn zewnętrzny:
237000 szt.
ilość szt. 2000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 0,3290
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
         
 
Towar w drodze
Planowany termin:
2026-09-15
Ilość szt.: 10000
CTR: 130-260%
Obudowa: PDIP04smd
Typ wyjścia: NPN Phototransistor
Napięcie izolacji: 5000V
Napięcie wyjściowe [V]: 35V