CYPC817(B-TP2)
Symbol Micros:
OOPC817bltvs CY
Obudowa: PDIP04smd
pojedynczy CTR 130-260% Vce 80V Uiso 5,0kV NPN Phototransistor Zamiennik dla: LTV817S-B, EL817S(B)
Parametry
| CTR: | 130-260% |
| Obudowa: | PDIP04smd |
| Typ wyjścia: | NPN Phototransistor |
| Napięcie izolacji: | 5000V |
| Napięcie wyjściowe: | 80V |
| CTR: | 130-260% |
| Obudowa: | PDIP04smd |
| Typ wyjścia: | NPN Phototransistor |
| Napięcie izolacji: | 5000V |
| Napięcie wyjściowe: | 80V |
Odpowiedniki
LTV817S-B smd
pojedynczy CTR 130-260% Vce 35V Uiso 5,0kV NPN Phototransistor FOD817BS, LTV-817S-TA1-B FOD817BSD LTV817BS; LTV817STA1B-V;
Producent:
LITE-ON
Symbol producenta:
LTV-817S-TA1-B RoHS
Obudowa dokładna:
PDIP04smd
Stan magazynowy
2410 szt.
| Ilość szt. | 5+ | 30+ | 200+ | 1000+ | 2000+ |
| cena netto (PLN) | 1,2600 | 0,6080 | 0,4150 | 0,3680 | 0,3590 |
Sposób pakowania: 1000/2000
Ilość (wielokrotność 1)
PC817SB GALAXY
pojedynczy CTR 130-260% Vce 80V Uiso 5,0kV NPN Phototransistor Zamiennik dla: LTV817S-B, EL817S(B)
Producent:
GALAXY
Symbol producenta:
PC817SB RoHS
Obudowa dokładna:
PDIP04smd
Stan magazynowy
500 szt.
| Ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 2000+ |
| cena netto (PLN) | 1,0100 | 0,5580 | 0,3690 | 0,3080 | 0,2890 |
Sposób pakowania: 500
Ilość (wielokrotność 1)