FOD817BS
Symbol Micros:
OOPC817bs FAI
Obudowa: PDIP04smd
pojedynczy CTR 130-260% Vce 70V Uiso 5,0kV NPN Phototransistor FOD817BSD
Parametry
| CTR: | 130-260% |
| Obudowa: | PDIP04smd |
| Typ wyjścia: | NPN Phototransistor |
| Napięcie izolacji: | 5000V |
| Napięcie wyjściowe: | 70V |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FOD817BS RoHS
Obudowa dokładna: PDIP04smd
karta katalogowa
Stan magazynowy:
80 szt.
| ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,1500 | 0,6110 | 0,4740 | 0,4370 | 0,4190 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FOD817BS
Obudowa dokładna: PDIP04smd
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt.
| ilość szt. | 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,4190 |
| CTR: | 130-260% |
| Obudowa: | PDIP04smd |
| Typ wyjścia: | NPN Phototransistor |
| Napięcie izolacji: | 5000V |
| Napięcie wyjściowe: | 70V |