2N7002BK
Symbol Micros:
T2N7002bk
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 350mA; 440mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002BK,215; 2N7002BK.215;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 2Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 350mA |
| Maksymalna tracona moc: | 440mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | NXP |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 2Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 350mA |
| Maksymalna tracona moc: | 440mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | NXP |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |
Odpowiedniki
2N7002BK JGSEMI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 300mA; 350mW; -50°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002BK,215;
Producent:
JGSEMI
Symbol producenta:
2N7002BK RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
3000 szt.
| Ilość szt. | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,4490 | 0,1770 | 0,1030 | 0,0755 | 0,0690 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)