2N7002BK JGSEMI
Symbol Micros:
T2N7002bk JGS
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 300mA; 350mW; -50°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002BK,215;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 3Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 300mA |
| Maksymalna tracona moc: | 350mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | JGSEMI |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 3Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 300mA |
| Maksymalna tracona moc: | 350mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | JGSEMI |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -50°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |
Odpowiedniki
2N7002BK
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 350mA; 440mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002BK,215; 2N7002BK.215;
Producent:
NXP
Symbol producenta:
2N7002BK,215 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
0 szt.
| Ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,9100 | 0,5040 | 0,3340 | 0,2790 | 0,2600 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)