AO3407A
Symbol Micros:
TAO3407A TEC
Obudowa: SOT23
SOT-23 MOSFETs ROHS
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 85mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 4,1A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,51W |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | TECH PUBLIC |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Towar w drodze
Planowany termin:
2026-12-31
Ilość szt.: 3000
| Rezystancja otwartego kanału: | 85mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 4,1A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,51W |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | TECH PUBLIC |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |
Odpowiedniki
AO3407A Alpha & Omega Semiconductor
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 78mOhm; 4,3A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3400A 003;
Pozycja dostępna na zamówienie
AO3407A UMW
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 87mOhm; 4,1A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3407A Alpha&Omega Semiconductor AOS;
Producent:
UMW
Symbol producenta:
AO3407A RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
240 szt.
| Ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,9020 | 0,4290 | 0,2410 | 0,1830 | 0,1640 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)