AP2311GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP

Symbol Micros: TAP2311gn-hf-3
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 300mOhm; 1,8A; 1,38W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AP2311GN; AP2311GH-HF; AP2311GN-HF-3; AP2311GN-HF-VB; AP2311GN-VB;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 300mOhm
Maksymalna tracona moc: 1,38W
Maksymalny prąd drenu: 1,8A
Obudowa: SOT23
Producent: Advanced Power Electronics Corp.
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: Advanced Power Electronics Corp. Symbol producenta: AP2311GN RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
6000 szt.
ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,2300 0,6540 0,5070 0,4680 0,4480
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Producent: Advanced Power Electronics Corp. Symbol producenta: AP2311GN-HF RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
12000 szt.
ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,2300 0,6540 0,5070 0,4680 0,4480
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000/54000
Producent: Advanced Power Electronics Corp. Symbol producenta: AP2311GN-HF-3 Pbf B22D Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
0 szt.
ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,2300 0,6540 0,5070 0,4680 0,4480
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Rezystancja otwartego kanału: 300mOhm
Maksymalna tracona moc: 1,38W
Maksymalny prąd drenu: 1,8A
Obudowa: SOT23
Producent: Advanced Power Electronics Corp.
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta