AP2311GN JGSEMI

Symbol Micros: TAP2311gn-hf-3 JGS
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 240mOhm; 2A; 1,56W; -55°C ~ 125°C; Odpowiednik: AP2311GN-HF-3;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 240mOhm
Maksymalny prąd drenu: 2A
Maksymalna tracona moc: 1,56W
Obudowa: SOT23
Producent: JGSEMI
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: JGSEMI Symbol producenta: AP2311GN RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
500 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 1,1200 0,5660 0,3420 0,2700 0,2490
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Rezystancja otwartego kanału: 240mOhm
Maksymalny prąd drenu: 2A
Maksymalna tracona moc: 1,56W
Obudowa: SOT23
Producent: JGSEMI
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 125°C
Montaż: SMD

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta