AP2311GN-HF-3-CN CHIPNOBO

Symbol Micros: TAP2311gn-hf-3 CNB
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 200mOhm; 1,8A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AP2311GN-HF-3;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 200mOhm
Maksymalny prąd drenu: 1,8A
Maksymalna tracona moc: 1,5W
Obudowa: SOT23
Producent: CHIPNOBO
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: CHIPNOBO Symbol producenta: AP2311GN-HF-3-CN RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
1000 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 0,9680 0,4850 0,2890 0,2390 0,2150
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Rezystancja otwartego kanału: 200mOhm
Maksymalny prąd drenu: 1,8A
Maksymalna tracona moc: 1,5W
Obudowa: SOT23
Producent: CHIPNOBO
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD