BC817-40,215 NXP - tranzystor bipolarny NPN

Symbol Micros: TBC81740
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor NPN; 600; 250mW; 45V; 500mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC817-40,215; BC817-40 RF; BC817-40,235; BC817-40 RFG; BC817-40.215; BC817-40 SMD NXP;
Parametry
Moc strat: 250mW
Producent: NXP
Obudowa: SOT23
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 600
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Producent: NXP Symbol producenta: BC817-40,215 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
615 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,5000 0,2290 0,1250 0,0933 0,0833
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000/45000
Producent: Nexperia Symbol producenta: BC817-40,215 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r  
Stan magazynowy:
327300 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,5000 0,2290 0,1250 0,0933 0,0833
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Producent: Nexperia Symbol producenta: BC817-40,215 Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnętrzny:
4764000 szt.
ilość szt. 12000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 0,0833
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Producent: Nexperia Symbol producenta: BC817-40,215 Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnętrzny:
3521500 szt.
ilość szt. 500+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 0,0931
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
         
 
Towar w drodze
Planowany termin:
2026-11-15
Ilość szt.: 600000
Moc strat: 250mW
Producent: NXP
Obudowa: SOT23
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 600
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN
Opis szczegółowy

BC817-40,215 – Uniwersalny tranzystor NPN

Tranzystor BC817-40,215 to wysokiej jakości tranzystor bipolarny NPN ogólnego przeznaczenia, przeznaczony do montażu powierzchniowego. Urządzenie charakteryzuje się bardzo dobrą wydajnością prądową przy zachowaniu niskiego poziomu napięcia pracy, co czyni je niezawodnym elementem w nowoczesnych układach elektronicznych. Komponent jest dostarczany w standaryzowanej obudowie z tworzywa sztucznego i pakowany na taśmie i rolce o szerokości 8 mm i skoku 4 mm, co umożliwia sprawny, automatyczny montaż w procesach produkcyjnych.

BC817-40,215 – Specyfikacja techniczna

  • Polaryzacja tranzystora: NPN
  • Maksymalne napięcie kolektor-emiter (otwarta baza): 45V
  • Maksymalne napięcie kolektor-baza (otwarty emiter): 50V
  • Maksymalne napięcie emiter-baza (otwarty kolektor): 5V
  • Stały prąd kolektora DC: 500mA
  • Szczytowy prąd kolektora: 1A
  • Szczytowy prąd bazy: 200mA
  • Wzmocnienie prądowe DC hFE (dla IC = 100mA, VCE = 1V): od 250 do 600
  • Wzmocnienie prądowe DC hFE (dla IC = 500mA, VCE = 1V): minimalnie 40
  • Napięcie nasycenia kolektor-emiter (dla IC = 500mA, IB = 50mA): typowo 700mV
  • Napięcie baza-emiter (dla IC = 500mA, VCE = 1V): maksymalnie 1,2V
  • Częstotliwość graniczna fT (dla IC = 10mA, VCE = 5V, f = 100MHz): minimalnie 100MHz
  • Pojemność kolektora CC (dla IE = 0A, VCB = 10V, f = 1MHz): typowo 3pF
  • Prąd odcięcia kolektora ICBO (dla IE = 0A, VCB = 20V): maksymalnie 100nA
  • Całkowita moc rozpraszana Ptot (dla Tamb <= 25°C): 250mW
  • Rezystancja cieplna złącze-otoczenie Rth(j-a): 500K/W
  • Zakres temperatur roboczych i przechowywania: od -65°C do +150°C
  • Obudowa: SOT23 (TO-236AB), 3 wyprowadzenia
  • Oznaczenie kodowe (Marking code): 6C*
  • Kod opakowania: 215 (taśma i rolka, 3000 sztuk)

BC817-40,215 – Charakterystyka operacyjna i zalety

Wariant selekcji grupy wzmocnienia -40 wyróżnia się bardzo wysokim współczynnikiem wzmocnienia prądowego hFE w zakresie od 250 do 600 przy prądzie kolektora 100mA. Pozwala to na efektywne sterowanie obciążeniami przy użyciu niewielkich prądów bazowych. Niskie napięcie nasycenia kolektor-emiter ogranicza straty mocy i wydzielanie ciepła podczas pracy w stanie nasycenia. Ponadto tranzystor cechuje się stabilnymi parametrami w szerokim zakresie temperatur roboczych. Konstrukcja dopasowana do obudowy SOT23 zapewnia optymalne odprowadzanie ciepła na płytce drukowanej FR4 przy standardowym rysunku ścieżek.

BC817-40,215 – Zastosowanie i obszary aplikacji

Tranzystor BC817-40,215 znajduje szerokie zastosowanie w układowych aplikacjach przełączających oraz wzmacniających ogólnego przeznaczenia. Jest powszechnie stosowany do sterowania obciążeniami o poborze prądu do 500mA, takimi jak małe przekaźniki, diody LED, sygnalizatory dźwiękowe czy silniki prądu stałego. Doskonale sprawdza się jako klucz elektroniczny w obwodach cyfrowych i mikrokontrolerowych, w stopniu wejściowym i sterującym wzmacniaczy audio, a także w układach dopasowania poziomów napięć, regulatorach liniowych oraz przetwornikach sygnałowych w urządzeniach elektroniki użytkowej, automatyki przemysłowej i elektroniki samochodowej.