BC817-40-7-F Diodes

Symbol Micros: TBC81740 DIO
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23-3
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor NPN; 600; 310mW; 45V; 500mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC817-40-7-F; BC817-40-13-F;
Parametry
Moc strat: 310mW
Producent: DIODES
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 600
Obudowa: SOT23-3
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: BC817-40-7-F RoHS Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
1770 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,6050 0,2870 0,1620 0,1230 0,1100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: BC817-40-7-F Obudowa dokładna: SOT23-3  
Magazyn zewnętrzny:
75000 szt.
ilość szt. 9000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 0,1100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Moc strat: 310mW
Producent: DIODES
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 600
Obudowa: SOT23-3
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta