BC856A

Symbol Micros: TBC856a
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor PNP; 250; 250mW; 65V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC856A-DIO; BCX71; 2SA1162; BC856A-7-F (DIODES); BC856ALT1G (ON); BC856A.215; BC856A,215; BC856A-DIO;
Parametry
Moc strat: 250mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 250
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Producent: NXP
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 65V
Producent: DIOTEC Symbol producenta: BC856A RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
cena netto (PLN) 0,2730 0,1050 0,0513 0,0408 0,0390
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Moc strat: 250mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 250
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Producent: NXP
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 65V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP