BC856A HXY MOSFET

Symbol Micros: TBC856a HXY
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor PNP; 220; 200mW, 65V; 100mA; 100MHz, -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC856A,215; BC856ALT1G; BC856ALT3G; BC856A-E6327; BC856A RFG; BC856A-7-F; BC856A-TP;
Parametry
Moc strat: 200mW
Producent: HXY MOSFET
Obudowa: SOT23
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 220
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 65V
Producent: HXY MOSFET Symbol producenta: BC856A RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
12000 szt.
ilość szt. 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
cena netto (PLN) 0,1790 0,0654 0,0346 0,0258 0,0239
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Moc strat: 200mW
Producent: HXY MOSFET
Obudowa: SOT23
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 220
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 65V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP