BC857B,215

Symbol Micros: TBC857b
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor PNP; 475; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC857BLT1G; BC857B RF; BC857B-7-F; BC857B,235; BC857B,215; BC857B-13-F; BC857B,215; BC857B-DIO; BC857B.215;
Parametry
Moc strat: 250mW
Producent: NXP
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 475
Obudowa: SOT23
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Producent: NXP Symbol producenta: BC857B 3F.. RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
0 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,4550 0,2090 0,1140 0,0849 0,0758
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000/9000
Producent: NXP Symbol producenta: BC857B,215 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
222448 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,4550 0,2090 0,1140 0,0849 0,0758
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Producent: Nexperia Symbol producenta: BC857B,215 Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnętrzny:
19500 szt.
ilość szt. 500+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 0,1253
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Producent: Nexperia Symbol producenta: BC857B,215 Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnętrzny:
3666000 szt.
ilość szt. 39000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 0,0758
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Moc strat: 250mW
Producent: NXP
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 475
Obudowa: SOT23
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP