BC857B,215
Symbol Micros:
TBC857b
Obudowa: SOT23
Tranzystor PNP; 475; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC857BLT1G; BC857B RF; BC857B-7-F; BC857B,235; BC857B,215; BC857B-13-F; BC857B,215; BC857B-DIO; BC857B.215;
Parametry
| Moc strat: | 250mW |
| Producent: | NXP |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 475 |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Obudowa: | SOT23 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
Producent: NXP
Symbol producenta: BC857B 3F.. RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
0 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,5930 | 0,2720 | 0,1480 | 0,1110 | 0,0989 |
Producent: NXP
Symbol producenta: BC857B,215 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
271248 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,5930 | 0,2720 | 0,1480 | 0,1110 | 0,0989 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BC857B,215
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
40995 szt.
| ilość szt. | 500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1803 |
| Moc strat: | 250mW |
| Producent: | NXP |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 475 |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Obudowa: | SOT23 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | PNP |