BC857B LMSEMI

Symbol Micros: TBC857b LMS
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor PNP; 450; 200mW, 45V; 100mA; 100MHz, -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC857B,215; BC857B,235; BC857BLT1G; BC857BLT3G; BC857BE6327HTSA1; BC857B RFG; BC857B-7-F; BC857B-TP;
Parametry
Moc strat: 200mW
Producent: LMSEMI
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 450
Obudowa: SOT23
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Producent: LMSEMI Symbol producenta: BC857B RoHS 3F Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
12000 szt.
ilość szt. 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
cena netto (PLN) 0,1490 0,0544 0,0288 0,0215 0,0199
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Moc strat: 200mW
Producent: LMSEMI
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 450
Obudowa: SOT23
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP