BC857B
Symbol Micros:
TBC857b DIOTEC
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor PNP; 475; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC857B-DIO
Parametry
| Moc strat: | 250mW |
| Producent: | DIOTEC |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 475 |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
Producent: DIOTEC
Symbol producenta: BC857B RoHS
Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
4540 szt.
| ilość szt. | 10+ | 50+ | 400+ | 3000+ | 12000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,3370 | 0,1300 | 0,0634 | 0,0505 | 0,0482 |
Producent: DIOTEC
Symbol producenta: BC857B
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnetrzny:
6850 szt.
| ilość szt. | 20+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0820 |
Producent: DIOTEC
Symbol producenta: BC857B
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnetrzny:
54000 szt.
| ilość szt. | 18000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0482 |
Towar w drodze
Planowany termin:
2025-11-28
Ilość szt.: 3000
| Moc strat: | 250mW |
| Producent: | DIOTEC |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 475 |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | PNP |
Odpowiedniki
BC857B,215
Tranzystor PNP; 475; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC857BLT1G; BC857B RF; BC857B-7-F; BC857B,235; BC857B,215; BC857B-13-F; BC857B,215; BC857B-DIO; BC857B.215;
Producent:
NXP
Symbol producenta:
BC857B 3F.. RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
0 szt.
| Ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
| cena netto (PLN) | 1,0800 | 0,5750 | 0,4460 | 0,4110 | 0,3940 |
Sposób pakowania: 3000/9000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
NXP
Symbol producenta:
BC857B 3F.. RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
256248 szt.
| Ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
| cena netto (PLN) | 1,0800 | 0,5750 | 0,4460 | 0,4110 | 0,3940 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
BC857BE6327 INFINEON
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 BC857BE6327 BC857BE6327HTSA1 BC857BE6433 BC857BE6433HTMA1
Producent:
Infineon
Symbol producenta:
BC857BE6327HTSA1
Obudowa dokładna:
SOT23-3
Stan magazynowy
18000 szt.
| Ilość szt. | 6000+ |
| cena netto (PLN) | 0,1077 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
BC857B UMW
Tranzystor PNP; 475; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC857B,215; BC857B,235; BC857BLT1G; BC857BLT3G; BC857BE6327HTSA1; BC857BE6433HTMA1; BC857B RFG; BC857B-7-F; BC857B-TP;
Producent:
UMW
Symbol producenta:
BC857B RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
12000 szt.
| Ilość szt. | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ | 15000+ |
| cena netto (PLN) | 0,2460 | 0,0920 | 0,0492 | 0,0368 | 0,0339 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
BC857B SHIKUES
Tranzystor PNP; 450; 310mW; 45V; 100mA; 150MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC857B,215; BC857B,235; BC857BLT1G; BC857BLT3G; BC857BE6327HTSA1; BC857BE6433HTMA1; BC857B RFG; BC857B-7-F; BC857B-TP;
Producent:
SHIKUES
Symbol producenta:
BC857B RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
3000 szt.
| Ilość szt. | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ | 15000+ |
| cena netto (PLN) | 0,2490 | 0,0933 | 0,0500 | 0,0373 | 0,0344 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
BC857B SLKOR
Tranzystor PNP; 475; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC857B,215; BC857B,235; BC857BLT1G; BC857BLT3G; BC857BE6327HTSA1; BC857BE6433HTMA1; BC857B RFG; BC857B-7-F; BC857B-TP;
Producent:
SLKOR
Symbol producenta:
BC857B RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
29980 szt.
| Ilość szt. | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ | 15000+ |
| cena netto (PLN) | 0,1880 | 0,0703 | 0,0376 | 0,0281 | 0,0259 |
Sposób pakowania: 3000/39000
Ilość (wielokrotność 1)
BC857B GALAXY
Tranzystor PNP; 475; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC857B,215; BC857B,235; BC857BLT1G; BC857BLT3G; BC857BE6327HTSA1; BC857BE6433HTMA1; BC857B RFG; BC857B-7-F; BC857B-TP;
Producent:
GALAXY
Symbol producenta:
BC857B RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
3000 szt.
| Ilość szt. | 10+ | 50+ | 400+ | 3000+ | 12000+ |
| cena netto (PLN) | 0,2630 | 0,1010 | 0,0495 | 0,0394 | 0,0376 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
BC857B HXY MOSFET
Tranzystor PNP; 450; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC857B,215; BC857B,235; BC857BLT1G; BC857BLT3G; BC857BE6327HTSA1; BC857BE6433HTMA1; BC857B RFG; BC857B-7-F; BC857B-TP;
Producent:
HXY MOSFET
Symbol producenta:
BC857B RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
6000 szt.
| Ilość szt. | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ | 6000+ |
| cena netto (PLN) | 0,2170 | 0,0803 | 0,0425 | 0,0314 | 0,0299 |
Sposób pakowania: 3000/6000
Ilość (wielokrotność 1)
BC857B MLCCBASE
Tranzystor PNP; 475; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC857B,215; BC857B,235; BC857BLT1G; BC857BLT3G; BC857BE6327HTSA1; BC857B RFG; BC857B-7-F; BC857B-TP;
Pozycja dostępna na zamówienie
BC857B JUXING
Tranzystor PNP; 475; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC857B,215; BC857B,235; BC857BLT1G; BC857BLT3G; BC857BE6327HTSA1; BC857BE6433HTMA1; BC857B RFG; BC857B-7-F; BC857B-TP;
Producent:
JUXING
Symbol producenta:
BC857B 0.3MM RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
6000 szt.
| Ilość szt. | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ | 15000+ |
| cena netto (PLN) | 0,1870 | 0,0681 | 0,0360 | 0,0269 | 0,0249 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
BC857B MERRY
Tranzystor PNP; 475; 200mW, 45V; 100mA; 100MHz, -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC857B,215; BC857B,235; BC857BLT1G; BC857BLT3G; BC857BE6327HTSA1; BC857B RFG; BC857B-7-F; BC857B-TP;
Producent:
MERRY
Symbol producenta:
BC857B RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
6000 szt.
| Ilość szt. | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ | 12000+ |
| cena netto (PLN) | 0,1610 | 0,0587 | 0,0310 | 0,0231 | 0,0215 |
Sposób pakowania: 3000/12000
Ilość (wielokrotność 1)