BCV27 JSMICRO

Symbol Micros: TBCV27 JSM
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor Darlington NPN; 20000; 350mW; 30V; 500mA; 170MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCV27,215; BCV27E6327HTSA1; BCV27E6395HTMA1; BCV27TA; BCV27TC; BCV27-TP;
Parametry
Moc strat: 350mW
Producent: JSMICRO
Obudowa: SOT23
Częstotliwość graniczna: 170MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 20000
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 30V
Producent: JSMicro Semiconductor Symbol producenta: BCV27 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,5780 0,2740 0,1540 0,1170 0,1050
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Moc strat: 350mW
Producent: JSMICRO
Obudowa: SOT23
Częstotliwość graniczna: 170MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 20000
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 30V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: Darlington NPN

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta