BCV27 SLKOR
Symbol Micros:
TBCV27 SLK
Obudowa: SOT23
Tranzystor Darlington NPN; 20000; 200mW; 30V; 500mA; 220MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCV27,215; BCV27E6327HTSA1; BCV27E6395HTMA1; BCV27TA; BCV27TC; BCV27-TP;
Parametry
| Moc strat: | 200mW |
| Producent: | SLKOR |
| Obudowa: | SOT23 |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 20000 |
| Częstotliwość graniczna: | 220MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 500mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 30V |
| Moc strat: | 200mW |
| Producent: | SLKOR |
| Obudowa: | SOT23 |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 20000 |
| Częstotliwość graniczna: | 220MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 500mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | Darlington NPN |
Odpowiedniki
BCV27,215
Tranzystor NPN; 20000; 350mW; 30V; 1,2A; 220MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCV27E6327HTSA1; BCV27,215; BCV27E6327; BCV27.215;
Producent:
NXP
Symbol producenta:
BCV27 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
10 szt.
| Ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 1,0300 | 0,5230 | 0,3170 | 0,2510 | 0,2290 |
Sposób pakowania: 3000/15000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
NXP
Symbol producenta:
BCV27 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
5500 szt.
| Ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 1,0300 | 0,5230 | 0,3170 | 0,2510 | 0,2290 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
BCV27 SHIKUES
Tranzystor Darlington NPN; 20000; 200mW; 30V; 500mA; 220MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCV27,215; BCV27E6327HTSA1; BCV27E6395HTMA1; BCV27TA; BCV27TC; BCV27-TP;
Producent:
SHIKUES
Symbol producenta:
BCV27 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
500 szt.
| Ilość szt. | 5+ | 30+ | 200+ | 1000+ | 5000+ |
| cena netto (PLN) | 0,6550 | 0,2620 | 0,1520 | 0,1270 | 0,1190 |
Sposób pakowania: 1000
Ilość (wielokrotność 1)