BCV27 SHIKUES
Symbol Micros:
TBCV27 SHK
Obudowa: SOT23
Tranzystor NPN; 20000; 200mW; 30V; 500mA; 220MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCV27,215; BCV27E6327HTSA1; BCV27E6395HTMA1; BCV27TA; BCV27TC; BCV27-TP;
Parametry
| Moc strat: | 200mW |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 20000 |
| Częstotliwość graniczna: | 220MHz |
| Producent: | SHIKUES |
| Obudowa: | SOT23 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 500mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 30V |
| Moc strat: | 200mW |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 20000 |
| Częstotliwość graniczna: | 220MHz |
| Producent: | SHIKUES |
| Obudowa: | SOT23 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 500mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |
Odpowiedniki
BCV27 smd
Tranzystor NPN; 20000; 350mW; 30V; 1,2A; 220MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCV27E6327HTSA1; BCV27,215; BCV27E6327; BCV27.215;
Producent:
NXP
Symbol producenta:
BCV27 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
930 szt.
| Ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,9790 | 0,4650 | 0,2620 | 0,1990 | 0,1780 |
Sposób pakowania: 3000/15000
Ilość (wielokrotność 1)