BCX5616H6327XTSA1
Symbol Micros:
TBCX5616 INF
Obudowa: SOT89
Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 BCX5616H6327XTSA1; BCX5616H6433XTMA1;
Parametry
Moc strat: | 2W |
Producent: | INFINEON |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 250 |
Obudowa: | SOT89 |
Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
Maksymalny prąd kolektora: | 1A |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 80V |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BCX5616H6433XTMA1
Obudowa dokładna: SOT89
Magazyn zewnetrzny:
20000 szt.
ilość szt. | 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,4226 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BCX5616H6433XTMA1
Obudowa dokładna: SOT89
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt.
ilość szt. | 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,4142 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BCX5616H6327XTSA1
Obudowa dokładna: SOT89
Magazyn zewnetrzny:
60000 szt.
ilość szt. | 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,4142 |
Moc strat: | 2W |
Producent: | INFINEON |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 250 |
Obudowa: | SOT89 |
Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
Maksymalny prąd kolektora: | 1A |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 80V |
Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
Typ tranzystora: | NPN |