BCX5616H6327XTSA1

Symbol Micros: TBCX5616 INF
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT89
Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 BCX5616H6327XTSA1; BCX5616H6433XTMA1;
Parametry
Moc strat: 2W
Producent: INFINEON
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 250
Obudowa: SOT89
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Maksymalny prąd kolektora: 1A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Producent: Infineon Symbol producenta: BCX5616H6433XTMA1 Obudowa dokładna: SOT89  
Magazyn zewnetrzny:
20000 szt.
ilość szt. 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4226
Sposób pakowania:
4000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: BCX5616H6433XTMA1 Obudowa dokładna: SOT89  
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt.
ilość szt. 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4142
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
4000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: BCX5616H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT89  
Magazyn zewnetrzny:
60000 szt.
ilość szt. 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4142
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 2W
Producent: INFINEON
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 250
Obudowa: SOT89
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Maksymalny prąd kolektora: 1A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN