BUZ11-NR4941

Symbol Micros: TBUZ11
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 40mOhm; 30A; 75W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BUZ11-NR4941; BUZ11_NR4941; BUZ11;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 40mOhm
Maksymalny prąd drenu: 30A
Maksymalna tracona moc: 75W
Obudowa: TO220
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 50V
Maksymalne napięcie dren-bramka: 50V
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: BUZ11-NR4941 RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
1517 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 50+ 200+ 400+
cena netto (PLN) 5,2300 3,4700 2,6800 2,5300 2,4900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: BUZ11-NR4941 RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
20 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 50+ 200+ 400+
cena netto (PLN) 5,2300 3,4700 2,6800 2,5300 2,4900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
20
Rezystancja otwartego kanału: 40mOhm
Maksymalny prąd drenu: 30A
Maksymalna tracona moc: 75W
Obudowa: TO220
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 50V
Maksymalne napięcie dren-bramka: 50V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT