BUZ11-NR4941
Symbol Micros:
TBUZ11
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 40mOhm; 30A; 75W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BUZ11-NR4941; BUZ11_NR4941; BUZ11;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 40mOhm |
| Maksymalna tracona moc: | 75W |
| Maksymalny prąd drenu: | 30A |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 50V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 50V |
| Rezystancja otwartego kanału: | 40mOhm |
| Maksymalna tracona moc: | 75W |
| Maksymalny prąd drenu: | 30A |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 50V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 50V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |
Odpowiedniki
BUZ11-CN CHIPNOBO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 25mOhm; 48A; 100W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: BUZ11-NR4941; BUZ11_NR4941;
Producent:
CHIPNOBO
Symbol producenta:
BUZ11-CN RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
Stan magazynowy
235 szt.
| Ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 300+ | 900+ |
| cena netto (PLN) | 3,1100 | 1,9700 | 1,5500 | 1,3900 | 1,3500 |
Sposób pakowania: 50/300
Ilość (wielokrotność 1)
RDH11N06UB CREATEK
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 8mOhm; 80A; 115W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: BUZ11-NR4941; BUZ11_NR4941;
Producent:
Createk Microelectronics
Symbol producenta:
RDH11N06UB RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
Stan magazynowy
200 szt.
| Ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
| cena netto (PLN) | 3,4300 | 2,1700 | 1,7100 | 1,5600 | 1,4900 |
Sposób pakowania: 50/200
Ilość (wielokrotność 1)