RDH11N06UB CREATEK
Symbol Micros:
TBUZ11 CRE
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 8mOhm; 80A; 115W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: BUZ11-NR4941; BUZ11_NR4941;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 8mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 80A |
| Maksymalna tracona moc: | 115W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | CREATEK |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 8mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 80A |
| Maksymalna tracona moc: | 115W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | CREATEK |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |
Odpowiedniki
BUZ11-NR4941
Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 40mOhm; 30A; 75W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BUZ11-NR4941; BUZ11_NR4941; BUZ11;
Producent:
ON-Semiconductor
Symbol producenta:
BUZ11-NR4941 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
Stan magazynowy
5913 szt.
| Ilość szt. | 1+ | 5+ | 50+ | 200+ | 600+ |
| cena netto (PLN) | 4,8700 | 3,2400 | 2,5100 | 2,3700 | 2,3200 |
Sposób pakowania: 50
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
ON-Semiconductor
Symbol producenta:
BUZ11-NR4941 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
Stan magazynowy
5650 szt.
| Ilość szt. | 10+ |
| cena netto (PLN) | 2,5337 |
Sposób pakowania: 10
Ilość (wielokrotność 1)
BUZ11-CN CHIPNOBO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 25mOhm; 48A; 100W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: BUZ11-NR4941; BUZ11_NR4941;
Producent:
CHIPNOBO
Symbol producenta:
BUZ11-CN RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
Stan magazynowy
235 szt.
| Ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 300+ | 900+ |
| cena netto (PLN) | 3,1100 | 1,9700 | 1,5500 | 1,3900 | 1,3500 |
Sposób pakowania: 50/300
Ilość (wielokrotność 1)