BUZ11-CN CHIPNOBO
Symbol Micros:
TBUZ11 CNB
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 25mOhm; 48A; 100W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: BUZ11-NR4941; BUZ11_NR4941;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 25mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 48A |
| Maksymalna tracona moc: | 100W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | CHIPNOBO |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 25mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 48A |
| Maksymalna tracona moc: | 100W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | CHIPNOBO |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |
Odpowiedniki
BUZ11-NR4941
Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 40mOhm; 30A; 75W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BUZ11-NR4941; BUZ11_NR4941; BUZ11;
Producent:
ON-Semiconductor
Symbol producenta:
BUZ11-NR4941 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
Stan magazynowy
6113 szt.
| Ilość szt. | 1+ | 5+ | 50+ | 200+ | 600+ |
| cena netto (PLN) | 4,8700 | 3,2400 | 2,5100 | 2,3700 | 2,3200 |
Sposób pakowania: 50
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
ON-Semiconductor
Symbol producenta:
BUZ11-NR4941 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
Stan magazynowy
4570 szt.
| Ilość szt. | 10+ |
| cena netto (PLN) | 2,3200 |
Sposób pakowania: 10
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
ON-Semiconductor
Symbol producenta:
BUZ11-NR4941 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
Stan magazynowy
3600 szt.
| Ilość szt. | 300+ |
| cena netto (PLN) | 2,3200 |
Sposób pakowania: 50
Ilość (wielokrotność 1)