IRFR5305TRPBF

Symbol Micros: TIRFR5305
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO252 (DPAK)
Tranzystor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFR5305TRPBF; IRFR5305PBF; IRFR5305TRLPBF; IRFR5305PBF-GURT; IRFR5305TRPPBF; IRFR5305 smd; IRFR5305TR;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 65mOhm
Maksymalny prąd drenu: 31A
Maksymalna tracona moc: 110W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 55V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFR5305TR RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r  
Stan magazynowy:
33270 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 3,0100 1,9100 1,5100 1,3700 1,3100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2000
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFR5305TR RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r  
Stan magazynowy:
20513 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 3,0100 1,9100 1,5100 1,3700 1,3100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFR5305TRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPAK)  
Magazyn zewnętrzny:
201700 szt.
ilość szt. 2000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 1,3100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFR5305TRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPAK)  
Magazyn zewnętrzny:
94760 szt.
ilość szt. 50+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 1,7483
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFR5305TRLPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPAK)  
Magazyn zewnętrzny:
1700 szt.
ilość szt. 50+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 2,0204
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFR5305TRLPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPAK)  
Magazyn zewnętrzny:
45000 szt.
ilość szt. 3000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 1,3765
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFR5305TRLPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPAK)  
Magazyn zewnętrzny:
111000 szt.
ilość szt. 3000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 1,4681
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFR5305TRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPAK)  
Magazyn zewnętrzny:
304000 szt.
ilość szt. 2000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 1,3100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 65mOhm
Maksymalny prąd drenu: 31A
Maksymalna tracona moc: 110W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 55V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD
Opis szczegółowy

Producent: International Rectifier
Typ tranzystora: P-MOSFET
Polaryzacja: unipolarny
Rodzaj tranzystora: HEXFET
Napięcie dren-źródło: -55V
Prąd drenu: -31A
Moc: 110W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 65mΩ
Rezystancja termiczna złącze-obudowa: 1.4K/W
Montaż: SMD