IRFR5305TRPBF

Symbol Micros: TIRFR5305
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO252 (DPACK)
Tranzystor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFR5305TRPBF; IRFR5305PBF; IRFR5305TRLPBF; IRFR5305PBF-GURT; IRFR5305TRPPBF; IRFR5305 smd; IRFR5305TR;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 65mOhm
Maksymalny prąd drenu: 31A
Maksymalna tracona moc: 110W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 55V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFR5305TR RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r  
Stan magazynowy:
60275 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 3,4700 2,2000 1,7400 1,5800 1,5100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2000
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFR5305 RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)  
Stan magazynowy:
0 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 3,4700 2,2000 1,7400 1,5800 1,5100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
75/1275
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFR5305TR RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r  
Stan magazynowy:
33000 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 3,4700 2,2000 1,7400 1,5800 1,5100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Rezystancja otwartego kanału: 65mOhm
Maksymalny prąd drenu: 31A
Maksymalna tracona moc: 110W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 55V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD
Opis szczegółowy

Producent: International Rectifier
Typ tranzystora: P-MOSFET
Polaryzacja: unipolarny
Rodzaj tranzystora: HEXFET
Napięcie dren-źródło: -55V
Prąd drenu: -31A
Moc: 110W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 65mΩ
Rezystancja termiczna złącze-obudowa: 1.4K/W
Montaż: SMD