IRFR5305T HXY MOSFET

Symbol Micros: TIRFR5305 HXY
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO252 (DPAK)
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 100mOhm; 20A; 40W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFR5305PBF; IRFR5305TRLPBF; IRFR5305TRPBF; IRFR5305TRRPBF; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 100mOhm
Maksymalny prąd drenu: 20A
Maksymalna tracona moc: 40W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: HXY MOSFET
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: P-MOSFET
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
Rezystancja otwartego kanału: 100mOhm
Maksymalny prąd drenu: 20A
Maksymalna tracona moc: 40W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: HXY MOSFET
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD