IRLL014N smd
Symbol Micros:
TIRLL014n
Obudowa: SOT223
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 280mOhm; 2,8A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLL014NPBF; IRLL014NTRPBF; IRLL014NPBF-GURT;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 280mOhm |
| Maksymalna tracona moc: | 2,1W |
| Maksymalny prąd drenu: | 2,8A |
| Obudowa: | SOT223 |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: International Rectifier
Symbol producenta: IRLL014NTRPBF RoHS
Obudowa dokładna: SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
600 szt.
| ilość szt. | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ | 600+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,6100 | 1,0500 | 0,7490 | 0,6530 | 0,6200 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRLL014NTRPBF RoHS
Obudowa dokładna: SOT223t/r
Stan magazynowy:
41 szt.
| ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,6100 | 0,8810 | 0,6900 | 0,6380 | 0,6110 |
Producent: International Rectifier
Symbol producenta: IRLL014NTR RoHS
Obudowa dokładna: SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
400 szt.
| ilość szt. | 3+ | 10+ | 50+ | 250+ | 1200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,6100 | 1,0500 | 0,7490 | 0,6440 | 0,6090 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRLL014NTRPBF
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnętrzny:
44150 szt.
| ilość szt. | 50+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,8072 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRLL014NTRPBF
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnętrzny:
90000 szt.
| ilość szt. | 5000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,6200 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRLL014NTRPBF
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnętrzny:
315000 szt.
| ilość szt. | 2500+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,6200 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 280mOhm |
| Maksymalna tracona moc: | 2,1W |
| Maksymalny prąd drenu: | 2,8A |
| Obudowa: | SOT223 |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 16V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |