IRLL014NTRPBF JGSEMI

Symbol Micros: TIRLL014n JGS
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT223
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 110mOhm; 5A; 1,79W; -55°C ~ 125°C; Odpowiednik: IRLL014PBF; IRLL014TRPBF; IRLL014TRPBF-BE3; IRLL014NPBF; IRLL014NTRPBF; SP001550472; SP001578654;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 110mOhm
Maksymalny prąd drenu: 5A
Maksymalna tracona moc: 1,79W
Obudowa: SOT223
Producent: JGSEMI
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: JGSEMI Symbol producenta: IRLL014NTRPBF RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
0 szt.
ilość szt. 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,6900 1,1100 0,7930 0,6940 0,6500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Rezystancja otwartego kanału: 110mOhm
Maksymalny prąd drenu: 5A
Maksymalna tracona moc: 1,79W
Obudowa: SOT223
Producent: JGSEMI
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 125°C
Montaż: SMD