IRLL014NTR UMW
Symbol Micros:
TIRLL014n UMW
Obudowa: SOT223
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 280mOhm; 2,8A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLL014PBF; IRLL014TRPBF; IRLL014TRPBF-BE3; IRLL014NPBF; IRLL014NTRPBF; SP001550472; SP001578654;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 280mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2,8A |
| Maksymalna tracona moc: | 2,1W |
| Obudowa: | SOT223 |
| Producent: | UMW |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 280mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2,8A |
| Maksymalna tracona moc: | 2,1W |
| Obudowa: | SOT223 |
| Producent: | UMW |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 16V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |
Odpowiedniki
IRLL014N smd
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 280mOhm; 2,8A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLL014NPBF; IRLL014NTRPBF; IRLL014NPBF-GURT;
Producent:
Infineon
Symbol producenta:
IRLL014NTRPBF RoHS
Obudowa dokładna:
SOT223t/r
Stan magazynowy
2559 szt.
| Ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
| cena netto (PLN) | 2,2300 | 1,3500 | 1,0400 | 0,9350 | 0,8900 |
Sposób pakowania: 2500
Ilość (wielokrotność 1)
IRLL014TRPBF
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 10V; 280mOhm; 2,7A; 3,1W; -55°C ~ 150°C;
Producent:
Vishay
Symbol producenta:
IRLL014TRPBF RoHS
Obudowa dokładna:
SOT223t/r
Stan magazynowy
1060 szt.
| Ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
| cena netto (PLN) | 2,3700 | 1,4400 | 1,1100 | 0,9970 | 0,9490 |
Sposób pakowania: 2500
Ilość (wielokrotność 1)
IRLL014NTRPBF JGSEMI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 110mOhm; 5A; 1,79W; -55°C ~ 125°C; Odpowiednik: IRLL014PBF; IRLL014TRPBF; IRLL014TRPBF-BE3; IRLL014NPBF; IRLL014NTRPBF; SP001550472; SP001578654;
Pozycja dostępna na zamówienie