IRLR120N smd

Symbol Micros: TIRLR120n
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO252 (DPACK)
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 16V; 265mOhm; 10A; 48W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR120NTRPBF; IRLR120NPBF; IRLR120NPBF-GURT; IRLR120NTRLPBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 265mOhm
Maksymalny prąd drenu: 10A
Maksymalna tracona moc: 48W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: IRLR120NTR RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r  
Stan magazynowy:
0 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 3,8900 2,4600 1,9400 1,7700 1,6900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2000
Producent: Infineon Symbol producenta: IRLR120NTRL RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r  
Stan magazynowy:
330 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 3,8900 2,4600 1,9400 1,7700 1,6900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Producent: Infineon Symbol producenta: IRLR120NTR RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)  
Stan magazynowy:
1496 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 3,8900 2,4600 1,9400 1,7700 1,6900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2000
Rezystancja otwartego kanału: 265mOhm
Maksymalny prąd drenu: 10A
Maksymalna tracona moc: 48W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 16V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta