IRLR120NTRPBF
Symbol Micros:
TIRLR120n
Obudowa: TO252 (DPACK)
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 16V; 265mOhm; 10A; 48W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR120NTRPBF; IRLR120NPBF; IRLR120NPBF-GURT; IRLR120NTRLPBF; IRLR120N SMD;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 265mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 10A |
| Maksymalna tracona moc: | 48W |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Producent: | International Rectifier |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRLR120NTRL RoHS
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r
Stan magazynowy:
190 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,8900 | 2,4600 | 1,9400 | 1,7700 | 1,6900 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRLR120NTR RoHS
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)
Stan magazynowy:
1496 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,8900 | 2,4600 | 1,9400 | 1,7700 | 1,6900 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRLR120NTRPBF
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)
Magazyn zewnetrzny:
4450 szt.
| ilość szt. | 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,6900 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRLR120NTRPBF
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)
Magazyn zewnetrzny:
66000 szt.
| ilość szt. | 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,6900 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRLR120NTRPBF
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)
Magazyn zewnetrzny:
42500 szt.
| ilość szt. | 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,6900 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 265mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 10A |
| Maksymalna tracona moc: | 48W |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Producent: | International Rectifier |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 16V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | SMD |
Odpowiedniki
IRLR120NTR UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 265mOhm; 10A; 48W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR120NPBF; IRLR120NTRLPBF; IRLR120NTRPBF; SP001577026; SP001568906; SP001574026;
Producent:
UMW
Symbol producenta:
IRLR120NTR RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
Stan magazynowy
290 szt.
| Ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 400+ | 2000+ |
| cena netto (PLN) | 1,2100 | 0,6460 | 0,5030 | 0,4590 | 0,4400 |
Sposób pakowania: 400
Ilość (wielokrotność 1)
IRLR120NTRPBF HXY MOSFET
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 120mOhm; 12A; 17W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLR120NPBF; IRLR120NTRLPBF; IRLR120NTRPBF; SP001577026; SP001568906; SP001574026;
Producent:
HXY MOSFET
Symbol producenta:
IRLR120NTRPBF RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
Stan magazynowy
200 szt.
| Ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
| cena netto (PLN) | 1,9500 | 1,1800 | 0,9060 | 0,8180 | 0,7780 |
Sposób pakowania: 200
Ilość (wielokrotność 1)
IRLR120NTRPBF-CN CHIPNOBO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 120mOhm; 12A; 36W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLR120NPBF; IRLR120NTRLPBF; IRLR120NTRPBF; SP001577026; SP001568906; SP001574026;
Producent:
CHIPNOBO
Symbol producenta:
IRLR120NTRPBF-CN RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
Stan magazynowy
205 szt.
| Ilość szt. | 3+ | 10+ | 50+ | 205+ | 820+ |
| cena netto (PLN) | 1,1000 | 0,6990 | 0,4890 | 0,4240 | 0,3990 |
Sposób pakowania: 205
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
CHIPNOBO
Symbol producenta:
IRLR120NTRPBF-CN RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
Stan magazynowy
295 szt.
| Ilość szt. | 3+ | 10+ | 50+ | 295+ | 1475+ |
| cena netto (PLN) | 1,1000 | 0,7020 | 0,4940 | 0,4200 | 0,3990 |
Sposób pakowania: 295
Ilość (wielokrotność 1)