IRLR120NTRPBF-CN CHIPNOBO
Symbol Micros:
TIRLR120n CNB
Obudowa: TO252 (DPAK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 120mOhm; 12A; 36W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLR120NPBF; IRLR120NTRLPBF; IRLR120NTRPBF; SP001577026; SP001568906; SP001574026;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 120mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 12A |
| Maksymalna tracona moc: | 36W |
| Obudowa: | TO252 (DPAK) |
| Producent: | CHIPNOBO |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Rezystancja otwartego kanału: | 120mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 12A |
| Maksymalna tracona moc: | 36W |
| Obudowa: | TO252 (DPAK) |
| Producent: | CHIPNOBO |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |
Odpowiedniki
IRLR120NTRPBF
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 16V; 265mOhm; 10A; 48W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR120NTRPBF; IRLR120NPBF; IRLR120NPBF-GURT; IRLR120NTRLPBF; IRLR120N SMD;
Producent:
Infineon
Symbol producenta:
IRLR120NTRL RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
Stan magazynowy
90 szt.
| Ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
| cena netto (PLN) | 3,8900 | 2,4600 | 1,9400 | 1,7700 | 1,6900 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
Infineon
Symbol producenta:
IRLR120NTRL RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPAK)
Stan magazynowy
1296 szt.
| Ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
| cena netto (PLN) | 3,8900 | 2,4600 | 1,9400 | 1,7700 | 1,6900 |
Sposób pakowania: 2000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
Infineon
Symbol producenta:
IRLR120NTRL RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPAK)
Stan magazynowy
50500 szt.
| Ilość szt. | 2000+ |
| cena netto (PLN) | 1,6900 |
Sposób pakowania: 2000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
Infineon
Symbol producenta:
IRLR120NTRL RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPAK)
Stan magazynowy
5800 szt.
| Ilość szt. | 50+ |
| cena netto (PLN) | 1,6900 |
Sposób pakowania: 50
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
Infineon
Symbol producenta:
IRLR120NTRL RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPAK)
Stan magazynowy
6000 szt.
| Ilość szt. | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 1,6900 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
IRLR120NTR UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 265mOhm; 10A; 48W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR120NPBF; IRLR120NTRLPBF; IRLR120NTRPBF; SP001577026; SP001568906; SP001574026;
Producent:
UMW
Symbol producenta:
IRLR120NTR RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
Stan magazynowy
290 szt.
| Ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 400+ | 2000+ |
| cena netto (PLN) | 1,2100 | 0,6460 | 0,5030 | 0,4590 | 0,4400 |
Sposób pakowania: 400
Ilość (wielokrotność 1)
IRLR120NTRPBF HXY MOSFET
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 120mOhm; 12A; 17W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLR120NPBF; IRLR120NTRLPBF; IRLR120NTRPBF; SP001577026; SP001568906; SP001574026;
Producent:
HXY MOSFET
Symbol producenta:
IRLR120NTRPBF RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
Stan magazynowy
240 szt.
| Ilość szt. | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
| cena netto (PLN) | 1,7900 | 1,1800 | 0,8420 | 0,7360 | 0,6900 |
Sposób pakowania: 200
Ilość (wielokrotność 1)