IRLR120NTRPBF-CN CHIPNOBO

Symbol Micros: TIRLR120n CNB
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO252 (DPACK)
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 120mOhm; 12A; 36W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLR120NPBF; IRLR120NTRLPBF; IRLR120NTRPBF; SP001577026; SP001568906; SP001574026;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 120mOhm
Maksymalny prąd drenu: 12A
Maksymalna tracona moc: 36W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: CHIPNOBO
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: CHIPNOBO Symbol producenta: IRLR120NTRPBF-CN RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
295 szt.
ilość szt. 3+ 10+ 50+ 295+ 1475+
cena netto (PLN) 1,1000 0,7020 0,4940 0,4200 0,3990
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
295
Producent: CHIPNOBO Symbol producenta: IRLR120NTRPBF-CN RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
205 szt.
ilość szt. 3+ 10+ 50+ 205+ 820+
cena netto (PLN) 1,1000 0,6990 0,4890 0,4240 0,3990
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
205
Rezystancja otwartego kanału: 120mOhm
Maksymalny prąd drenu: 12A
Maksymalna tracona moc: 36W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: CHIPNOBO
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta