LGE2302
Symbol Micros:
TLGE2302
Obudowa: SOT23
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.35W; SOT23 LGE2302-LGE; TSM2302CX RFG; TSM2302CS RF;
Parametry
| Maksymalny prąd drenu: | 2,1A |
| Maksymalna tracona moc: | 350mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | LGE |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 8V |
| Maksymalny prąd drenu: | 2,1A |
| Maksymalna tracona moc: | 350mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | LGE |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 8V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |
Odpowiedniki
TSM2302CX
Tranzystor N-MOSFET; 20V; 8V; 95mOhm; 2,4A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik:TSM2302CX RFG; TSM2302CXRFG; TSM2302CXRF; TSM2302CX-RFG; LGE2302;
Producent:
TAI-SEM
Symbol producenta:
TSM2302CX RFG RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
0 szt.
| Ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
| cena netto (PLN) | 1,6100 | 0,8850 | 0,6960 | 0,6450 | 0,6180 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
TSM2302CX JGSEMI
Tranzystor N-MOSFET; 20V; 12V; 55mOhm; 4A; 1,56W; -55°C ~ 125°C; Odpowiednik:TSM2302CX RFG;
Producent:
JGSEMI
Symbol producenta:
TSM2302CX RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
1000 szt.
| Ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
| cena netto (PLN) | 1,1900 | 0,6490 | 0,4260 | 0,3680 | 0,3390 |
Sposób pakowania: 1000
Ilość (wielokrotność 1)