LGE2302

Symbol Micros: TLGE2302
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.35W; SOT23 ODPOWIEDNIK: LGE2302-LGE; TSM2302CX RFG; TSM2302CS RF;
Parametry
Maksymalny prąd drenu: 2,1A
Maksymalna tracona moc: 350mW
Obudowa: SOT23
Producent: LGE
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 8V
Producent: LGE Symbol producenta: LGE2302 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
1875 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,5720 0,2630 0,1430 0,1070 0,0954
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Maksymalny prąd drenu: 2,1A
Maksymalna tracona moc: 350mW
Obudowa: SOT23
Producent: LGE
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 8V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta