TSM2302CX JGSEMI

Symbol Micros: TTSM2302cx JGS
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-MOSFET; 20V; 12V; 55mOhm; 4A; 1,56W; -55°C ~ 125°C; Odpowiednik:TSM2302CX RFG;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 55mOhm
Maksymalny prąd drenu: 4A
Maksymalna tracona moc: 1,56W
Obudowa: SOT23
Producent: JGSEMI
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: JGSEMI Symbol producenta: TSM2302CX RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
1000 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,1900 0,6490 0,4260 0,3680 0,3390
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Rezystancja otwartego kanału: 55mOhm
Maksymalny prąd drenu: 4A
Maksymalna tracona moc: 1,56W
Obudowa: SOT23
Producent: JGSEMI
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 12V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 125°C
Montaż: SMD