TSM2302CX JGSEMI

Symbol Micros: TTSM2302cx JGS
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor N-MOSFET; 20V; 12V; 55mOhm; 4A; 1,56W; -55°C ~ 125°C; Odpowiednik: TSM2302CX RFG;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 55mOhm
Maksymalny prąd drenu: 4A
Maksymalna tracona moc: 1,56W
Obudowa: SOT23
Producent: JGSEMI
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: JGSEMI Symbol producenta: TSM2302CX RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
820 szt.
ilość szt. 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
cena netto (PLN) 0,7480 0,2990 0,1740 0,1450 0,1360
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Rezystancja otwartego kanału: 55mOhm
Maksymalny prąd drenu: 4A
Maksymalna tracona moc: 1,56W
Obudowa: SOT23
Producent: JGSEMI
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 12V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 125°C
Montaż: SMD

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta